К микросхемам космического и военного назначения всегда предъявлялись повышенные требования по устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных схем (ИС), а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится важной и для производителей коммерческой микроэлектроники. Ее решение требует принятия мер на всех уровнях разработки ИС: синтеза и верификации, трассировки шин питания, конструирования библиотечных элементов схем, технологического процесса изготовления.

sitemap

Разработка: студия Green Art