Транзисторы на нитриде галлия, о создании которых впервые сообщили в начале 1993 года разработчики компании APA Optics во главе с М.Ханом (M.Khan), существенно расширили возможности приборов CВЧ-диапазона. Эти приборы способны работать в значительно более широком диапазоне частот и при более высоких температурах, а также с большей выходной мощностью по сравнению с приборами на кремнии, арсениде галлия, карбиде кремния или на любом другом освоенном в производстве полупроводниковом материале. Применение GaN-транзисторов существенно улучшает параметры усилителей, модуляторов и других ключевых устройств современных радиоэлектроных систем. Широкополосные беспроводные сети, вездесущие электрические транспортные средства, совершенные контроллеры энергетических систем, малогабаритные надежные твердотельные радары – все эти системы, как и многие другие, могут быть реализованы и улучшены благодаря применению транзисторов на нитриде галлия. При столь перспективном рынке разработка и совершенствование GaN-технологии становятся приоритетными при постановке НИОКР в области полупроводниковой техники.

sitemap

Разработка: студия Green Art