eng
Промышленное внедрение SiGe-технологии позволит создавать СВЧ-микросхемы с рекордными параметрами. В статье рассмотрены свойства гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ), примеры СВЧ-микросхем, созданных на базе кремний-германиевых ГБТ, а также перспективы развития SiGe-технологии.
Теги: heterojunction bipolar transistor (hbt) microwave ic sige-technology sige-технология гетеропереходный биполярный транзистор (гбт) свч-микросхема
Технология гетеропереходных биполярных транзисторов с кремний-германиевой базой (ГБТ) (в англоязычной литературе Heterojunction Bipolar Transistor – НВТ) начала промышленно развиваться во второй половине 90-х годов прошлого века. Быстрое уменьшение как горизонтальных, так и вертикальных размеров транзисторов обеспечило доминирование SiGe-ГБТ на рынке интегральных СВЧ-микросхем для беспроводных и оптоволоконных систем связи. Современные промышленно освоенные технологии гетеропереходных транзисторов позволяют достичь минимальных размеров эмиттерного контакта на уровне от 90 до 130 нм при толщине базы транзисторов 20–30 нм.[1]
Повышенный интерес к SiGe-технологии обусловлен также возможностью создания высокочастотных интегральных схем для контрольно-измерительного оборудования, что позволило расширить полосу пропускания этих приборов до 100 ГГц. Большой интерес представляет разработанный компанией IBM процессор на базе SiGe с тактовой частотой более 350 ГГц. Уже сейчас SiGe-чипы применяются в системах глобального позиционирования GPS, ГЛОНАСС, Galileo. Применение данной технологии перспективно в развитии радарных систем X- и V-диапазонов, а также сверхскоростного Интернета со скоростью передачи более 1 Гбит/с.
Значительный интерес представляет использование SiGe-ГБТ и КМОП-схем в едином технологическом процессе, что обеспечивает высокую степень интеграции и рекордные частотные характеристики схем.
Рассмотрим основные свойства и особенности гетеропереходных транзисторов с кремний-германиевой базой.
Главное преимущество ГБТ – экстремально высокое быстродействие. Верхняя граничная частота промышленно освоенных транзисторов достигает 300 ГГц (рис.1). Это обеспечивается встроенным полем в базе, малым временем пролета, а также малой постоянной времени заряда база-эмиттерного перехода. Выигрыш в быстродействии по сравнению с обычными кремниевыми биполярными транзисторами только за счет разницы в ширине запрещенной зоны составляет более чем в два раза [2]:
, (1)
где – коэффициент диффузии носителей в базе, ΔEg, Ge – изменение ширины запрещенной зоны за счет введения Ge, kT = 4,11 · 10–21 Дж, τb – время пролета через базу.
Проблема высокой плотности коллекторного тока решается путем выбора его оптимального значения, не превышающего пиковое, а также применения конструктивно-технологических решений, позволяющих оптимально распределить токи и не допустить разрушение конструкции ГБТ.
Одновременно с высоким быстродействием может быть достигнут высокий коэффициент усиления за счет разницы в ширине запрещенной зоны эмиттера и базы. Выигрыш в коэффициенте усиления βSiGe по сравнению с обычным интегральным биполярным транзистором может составлять от 3 до 10 раз [2]:
, (2)
где NV, NC – эффективная плотность поверхностных состояний, соответственно, в валентной зоне и в зоне проводимости.
Существенным достоинством гетеропереходных транзисторов является высокое значение напряжения Эрли в рабочем диапазоне коллекторных напряжений (рис.2). Большая концентрация примеси в базе (порядка 8·1019 см–3) приводит к тому, что основные части области пространственного заряда коллекторного и эмиттерного переходов расположены соответственно в области коллектора и эмиттера, следовательно, толщина базы слабо зависит от напряжений коллектор-база и эмиттер-база. В этом случае напряжение Эрли (VA) для транзисторов может достигать 100 В, что в два-четыре раза больше, чем у обычного интегрального кремниевого транзистора [2]:
. (3)
Следствием высокого напряжения Эрли является возможность дополнительного повышения коэффициента усиления транзистора при сохранении высокого напряжения прокола базы.
Цена, которую приходится платить за высокие быстродействие и коэффициент усиления, – меньшие, чем у обычных интегральных транзисторов, пробивные напряжения коллектор-эмиттер и обратные напряжения база-эмиттер, составляющие соответственно 3,5 и 1,3 В, что является следствием высокой напряженности электрического поля в тонкой базе.
Гетеропереходный транзистор обладает замечательными шумовыми характеристиками в СВЧ-диапазоне (рис.3) [5]. Это следствие сниженного сопротивления базы и высокого коэффициента усиления по току. Величина собственного фактора шума NFmin зависит от плотности эмиттерного тока, режима работы транзистора и технологического процесса:
, (4)
, (5)
где β – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, gm – передаточная проводимость транзистора, Rn = (rb + re), rb, re – сопротивление тела базы и эмиттера соответственно, Сi = Ceb + Ckb, Ceb, Ckb – емкость перехода эмиттер-база и коллектор-база, соответственно, fT – верхняя граничная частота в схеме с общим эмиттером.
Как уже отмечалось, ГБТ работают при высоких плотностях эмиттерного тока. Следствием этого является эффект саморазогрева транзисторов, что приводит к деградации его характеристик (рис.4) [2]. Данный эффект компенсируется введением теплового сопротивления транзистора, зависящего от его геометрии и тока, протекающего через прибор. Проблема электротермической связи решается путем выбора конструкции и топологии транзистора, а проблема низкочастотной стабильности – соответствующего подбора нагрузочных элементов.
Кроме электротермической обратной связи, высокой плотности коллекторного тока и относительно низких пробивных напряжений ГБТ (порядка 2 В), к проблемам, требующим решения при внедрении SiGe-технологии, относится зависимость статических и динамических характеристик ГБТ от разброса параметров технологического процесса.
Тем не менее, высокие характеристики SiGe-ГБТ и возможность их интегрирования с КМОП-схемами позволяют рассматривать данную технологию как перспективную для создания систем-на-кристалле (СнК) СВЧ-диапазона. Использование ГБТ позволит расширить частотный диапазон СнК до нескольких десятков ГГц. Примером интегрирования ГБТ с КМОП-транзисторами может служить технология третьего поколения компании IBM (рис.5) [3, 4]. Недавно компания запустила БиКМОП-технологию пятого поколения 9HP, совместимую с 90-нм КМОП-процессом, которая отличается пониженной потребляемой мощностью.
Компании Jazz-Tower Semiconductor, IBM и ST Microelectronics являются мировыми лидерами в промышленном освоении гетеропереходных SiGe ИС (см. табл.) [5, 6, 7]. На технологической базе ГБТ компаний Jazz-Tower Semiconductor и IBM спроектирован широкий набор интегральных схем СВЧ-диапазона.
Примером устройства, созданного на основе технологического процесса компании IBM, является СВЧ усилитель-ограничитель для высокоскоростных (до 100 Гбит/с) оптоволоконных каналов передачи данных [8]. Один из способов передачи информации по этим каналам – мультиплексирование и передача потока данных с последующим их демультиплексированием. СВЧ усилители-ограничители, наряду с мультиплексорами / демультиплексорами играют решающую роль в этом процессе, так как служат входными / выходными блоками системы. Особенность данного устройства заключается в использовании оптимизированного усилителя Черри-Купера. Применение оригинальных методов и принципов проектирования позволило получить джиттер не более 7,5 пс при полосе пропускания 12 ГГц и размахе выходного сигнала 995 мВ (рис.6). На базе усилителей-ограничителей разработан набор преобразователей кодов NRZ в коды RZ и NRZM.
Передача СВЧ-сигналов по кабельным линиям связана со значительным затуханием высокочастотной составляющей сигнала, что приводит к потере информации. Например, затухание сигнала при прохождении через кабель (тип RG-6, длина 100 м) на частоте 6 ГГц достигает 50 дБ. При повышении частоты затухание растет. Для решения задачи адаптивного восстановления СВЧ-сигналов предназначены СВЧ-эквалайзеры. Кроме восстановления сигнала эти устройства позволяют повысить мощность передаваемого сигнала. Примером такого устройства служит микросхема дифференциального эквалайзера с усилителем мощности на базе SiGe-ГБТ (рис.7) [9].
На основе SiGe-ГБТ и КМОП-схем можно создать полноценную СВЧ СнК. Интегральная схема сверхширокополосного радиотрансивера, выполненная на основе SiGe-ГБТ, предназначена для работы в диапазоне частот 3–6 ГГц (рис.8, 9) [10]. Устройство содержит цепь самотестирования, которая позволяет соединить выход передатчика и вход приемника и проверить прохождение сигнала. Сигнал из антенны на вход приемника поступает от малошумящего усилителя (рис.10), усиление которого можно программировать в диапазоне 4–24 дБ с помощью последовательно-параллельного интерфейса. Усилитель с автоматической регулировкой усиления до 50 дБ передает сигнал на аналого-цифровой преобразователь, после которого оцифрованный сигнал демультиплексируется на 16 каналов. Тактовая частота работы АЦП составляет 10,8 ГГц. Тактовый сигнал формируется с помощью схемы ФАПЧ (ФАПЧ1 на рис.8). На выходе демультиплексора формируются 16 дифференциальных сигналов данных и тактовый LVDS-сигнал.
На вход передатчика из цифрового решающего устройства также поступают два потока LVDS-сигналов данных с частотой 675 МГц, которые мультиплексируются в один поток со скоростью передачи 1,35 ГГц и передаются на BPSK-модулятор. Синхронизация данных мультиплексора, регистра и BPSK-модулятора выполняется с помощью ФАПЧ2 (см. рис.8).
Малошумящий усилитель (см. рис.10) характеризуется низким уровнем шума, приведенного ко входу усилителя, величина которого составляет менее 2 дБ в полосе от 3 до 6 ГГц [11]. Чувствительность приемника трансмиттера составляет не менее –70 дБм. Джиттер синтезатора частот приемника и передатчика не превышает 2 пс. Приемопередатчик может работать совместно с СВЧ-эквалайзером (см. рис.7) и усилителем мощности.
* * *
Совместимая с КМОП-процессом гетеропереходная технология кремний-германиевых транзисторов, которая освоена рядом компаний, позволяет создавать интегральные СВЧ-схемы, работающие в диапазоне частот до 20 ГГц. Развитие данной технологической базы связано, с одной стороны, с уменьшением размеров транзисторов в вертикальной плоскости, что позволит достичь граничной частоты 400–500 ГГц, а с другой стороны, – с уменьшением потерь при передаче сигналов по линиям связи.
ЛИТЕРАТУРА
1. Fukun Tang. Electronics Development for pSec Time-of Flight Detectors. – http://psec.uchicago.edu/library/doclib/documents/34
2. Cressler J. Silicon Heterostructure Handbook. Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Aplications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. – Talor & Franscis, London, New York, 2006, 12227 p.
3. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ-применений // Известия высших учебных заведений, Электроника № 5. 2006.
4. Racanelli M., Kempf P. SiGe BiCMOS Technology for Communication Systems, International conference on Solid State Devices and Materials, Naqoja, September, 2002.
5. Voinigescu S., Popescu P. at al. Circuits and Technologies for Highly Integrated Optical Networking IC’s at 10 Gb/s to 40 Gb/s. – http://www.eecg.toronto.edu/~sorinv/papers/cicc2001.pdf
6. Joseph J., Harame D.L., Jagannathan B., Coolbaugh D. at al. Status and Direction of Communication Technology – SiGe BiCMOS and RFCMOS. – Proceedings of the IEEE. Vol. 93. 2005. № 9. P. 1539–1558.
7. Preisler E., Lanzerotti L., Hurwitz P., Racanelli M. Demonstration of a 270 GHz fT SiGe-C HBT Within a Manufacturing Proven 0.18 BiCMOS Process Without the Use of a Raised Extrinsic Base. – 2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting 13–15 Oct. 2008 Monteray. P0 .125–128.
8. Тимошенков В.П., Новожилов В.Е. Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ. – Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России № 2 2007, с. 73–80.
9. Timoshenkov V.P. An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors. – ISSN 1063–7397, Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, № 7, pp. 446–452.
10. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона на SiGe транзисторах. – Известия высших учебных заведений Электроника № 3 (83). 2010. C. 20–26.
11. Тимошенков В.П. Сверширокополосный от 3ГГц до 5ГГц двухканальный малошумящий усилитель на гетеропереходных биполярных транзисторах : Материалы международной конференции RLCNC 2008. Радиолокация навигация связь. – Воронеж, 2008.
Повышенный интерес к SiGe-технологии обусловлен также возможностью создания высокочастотных интегральных схем для контрольно-измерительного оборудования, что позволило расширить полосу пропускания этих приборов до 100 ГГц. Большой интерес представляет разработанный компанией IBM процессор на базе SiGe с тактовой частотой более 350 ГГц. Уже сейчас SiGe-чипы применяются в системах глобального позиционирования GPS, ГЛОНАСС, Galileo. Применение данной технологии перспективно в развитии радарных систем X- и V-диапазонов, а также сверхскоростного Интернета со скоростью передачи более 1 Гбит/с.
Значительный интерес представляет использование SiGe-ГБТ и КМОП-схем в едином технологическом процессе, что обеспечивает высокую степень интеграции и рекордные частотные характеристики схем.
Рассмотрим основные свойства и особенности гетеропереходных транзисторов с кремний-германиевой базой.
Главное преимущество ГБТ – экстремально высокое быстродействие. Верхняя граничная частота промышленно освоенных транзисторов достигает 300 ГГц (рис.1). Это обеспечивается встроенным полем в базе, малым временем пролета, а также малой постоянной времени заряда база-эмиттерного перехода. Выигрыш в быстродействии по сравнению с обычными кремниевыми биполярными транзисторами только за счет разницы в ширине запрещенной зоны составляет более чем в два раза [2]:
, (1)
где – коэффициент диффузии носителей в базе, ΔEg, Ge – изменение ширины запрещенной зоны за счет введения Ge, kT = 4,11 · 10–21 Дж, τb – время пролета через базу.
Проблема высокой плотности коллекторного тока решается путем выбора его оптимального значения, не превышающего пиковое, а также применения конструктивно-технологических решений, позволяющих оптимально распределить токи и не допустить разрушение конструкции ГБТ.
Одновременно с высоким быстродействием может быть достигнут высокий коэффициент усиления за счет разницы в ширине запрещенной зоны эмиттера и базы. Выигрыш в коэффициенте усиления βSiGe по сравнению с обычным интегральным биполярным транзистором может составлять от 3 до 10 раз [2]:
, (2)
где NV, NC – эффективная плотность поверхностных состояний, соответственно, в валентной зоне и в зоне проводимости.
Существенным достоинством гетеропереходных транзисторов является высокое значение напряжения Эрли в рабочем диапазоне коллекторных напряжений (рис.2). Большая концентрация примеси в базе (порядка 8·1019 см–3) приводит к тому, что основные части области пространственного заряда коллекторного и эмиттерного переходов расположены соответственно в области коллектора и эмиттера, следовательно, толщина базы слабо зависит от напряжений коллектор-база и эмиттер-база. В этом случае напряжение Эрли (VA) для транзисторов может достигать 100 В, что в два-четыре раза больше, чем у обычного интегрального кремниевого транзистора [2]:
. (3)
Следствием высокого напряжения Эрли является возможность дополнительного повышения коэффициента усиления транзистора при сохранении высокого напряжения прокола базы.
Цена, которую приходится платить за высокие быстродействие и коэффициент усиления, – меньшие, чем у обычных интегральных транзисторов, пробивные напряжения коллектор-эмиттер и обратные напряжения база-эмиттер, составляющие соответственно 3,5 и 1,3 В, что является следствием высокой напряженности электрического поля в тонкой базе.
Гетеропереходный транзистор обладает замечательными шумовыми характеристиками в СВЧ-диапазоне (рис.3) [5]. Это следствие сниженного сопротивления базы и высокого коэффициента усиления по току. Величина собственного фактора шума NFmin зависит от плотности эмиттерного тока, режима работы транзистора и технологического процесса:
, (4)
, (5)
где β – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, gm – передаточная проводимость транзистора, Rn = (rb + re), rb, re – сопротивление тела базы и эмиттера соответственно, Сi = Ceb + Ckb, Ceb, Ckb – емкость перехода эмиттер-база и коллектор-база, соответственно, fT – верхняя граничная частота в схеме с общим эмиттером.
Как уже отмечалось, ГБТ работают при высоких плотностях эмиттерного тока. Следствием этого является эффект саморазогрева транзисторов, что приводит к деградации его характеристик (рис.4) [2]. Данный эффект компенсируется введением теплового сопротивления транзистора, зависящего от его геометрии и тока, протекающего через прибор. Проблема электротермической связи решается путем выбора конструкции и топологии транзистора, а проблема низкочастотной стабильности – соответствующего подбора нагрузочных элементов.
Кроме электротермической обратной связи, высокой плотности коллекторного тока и относительно низких пробивных напряжений ГБТ (порядка 2 В), к проблемам, требующим решения при внедрении SiGe-технологии, относится зависимость статических и динамических характеристик ГБТ от разброса параметров технологического процесса.
Тем не менее, высокие характеристики SiGe-ГБТ и возможность их интегрирования с КМОП-схемами позволяют рассматривать данную технологию как перспективную для создания систем-на-кристалле (СнК) СВЧ-диапазона. Использование ГБТ позволит расширить частотный диапазон СнК до нескольких десятков ГГц. Примером интегрирования ГБТ с КМОП-транзисторами может служить технология третьего поколения компании IBM (рис.5) [3, 4]. Недавно компания запустила БиКМОП-технологию пятого поколения 9HP, совместимую с 90-нм КМОП-процессом, которая отличается пониженной потребляемой мощностью.
Компании Jazz-Tower Semiconductor, IBM и ST Microelectronics являются мировыми лидерами в промышленном освоении гетеропереходных SiGe ИС (см. табл.) [5, 6, 7]. На технологической базе ГБТ компаний Jazz-Tower Semiconductor и IBM спроектирован широкий набор интегральных схем СВЧ-диапазона.
Примером устройства, созданного на основе технологического процесса компании IBM, является СВЧ усилитель-ограничитель для высокоскоростных (до 100 Гбит/с) оптоволоконных каналов передачи данных [8]. Один из способов передачи информации по этим каналам – мультиплексирование и передача потока данных с последующим их демультиплексированием. СВЧ усилители-ограничители, наряду с мультиплексорами / демультиплексорами играют решающую роль в этом процессе, так как служат входными / выходными блоками системы. Особенность данного устройства заключается в использовании оптимизированного усилителя Черри-Купера. Применение оригинальных методов и принципов проектирования позволило получить джиттер не более 7,5 пс при полосе пропускания 12 ГГц и размахе выходного сигнала 995 мВ (рис.6). На базе усилителей-ограничителей разработан набор преобразователей кодов NRZ в коды RZ и NRZM.
Передача СВЧ-сигналов по кабельным линиям связана со значительным затуханием высокочастотной составляющей сигнала, что приводит к потере информации. Например, затухание сигнала при прохождении через кабель (тип RG-6, длина 100 м) на частоте 6 ГГц достигает 50 дБ. При повышении частоты затухание растет. Для решения задачи адаптивного восстановления СВЧ-сигналов предназначены СВЧ-эквалайзеры. Кроме восстановления сигнала эти устройства позволяют повысить мощность передаваемого сигнала. Примером такого устройства служит микросхема дифференциального эквалайзера с усилителем мощности на базе SiGe-ГБТ (рис.7) [9].
На основе SiGe-ГБТ и КМОП-схем можно создать полноценную СВЧ СнК. Интегральная схема сверхширокополосного радиотрансивера, выполненная на основе SiGe-ГБТ, предназначена для работы в диапазоне частот 3–6 ГГц (рис.8, 9) [10]. Устройство содержит цепь самотестирования, которая позволяет соединить выход передатчика и вход приемника и проверить прохождение сигнала. Сигнал из антенны на вход приемника поступает от малошумящего усилителя (рис.10), усиление которого можно программировать в диапазоне 4–24 дБ с помощью последовательно-параллельного интерфейса. Усилитель с автоматической регулировкой усиления до 50 дБ передает сигнал на аналого-цифровой преобразователь, после которого оцифрованный сигнал демультиплексируется на 16 каналов. Тактовая частота работы АЦП составляет 10,8 ГГц. Тактовый сигнал формируется с помощью схемы ФАПЧ (ФАПЧ1 на рис.8). На выходе демультиплексора формируются 16 дифференциальных сигналов данных и тактовый LVDS-сигнал.
На вход передатчика из цифрового решающего устройства также поступают два потока LVDS-сигналов данных с частотой 675 МГц, которые мультиплексируются в один поток со скоростью передачи 1,35 ГГц и передаются на BPSK-модулятор. Синхронизация данных мультиплексора, регистра и BPSK-модулятора выполняется с помощью ФАПЧ2 (см. рис.8).
Малошумящий усилитель (см. рис.10) характеризуется низким уровнем шума, приведенного ко входу усилителя, величина которого составляет менее 2 дБ в полосе от 3 до 6 ГГц [11]. Чувствительность приемника трансмиттера составляет не менее –70 дБм. Джиттер синтезатора частот приемника и передатчика не превышает 2 пс. Приемопередатчик может работать совместно с СВЧ-эквалайзером (см. рис.7) и усилителем мощности.
* * *
Совместимая с КМОП-процессом гетеропереходная технология кремний-германиевых транзисторов, которая освоена рядом компаний, позволяет создавать интегральные СВЧ-схемы, работающие в диапазоне частот до 20 ГГц. Развитие данной технологической базы связано, с одной стороны, с уменьшением размеров транзисторов в вертикальной плоскости, что позволит достичь граничной частоты 400–500 ГГц, а с другой стороны, – с уменьшением потерь при передаче сигналов по линиям связи.
ЛИТЕРАТУРА
1. Fukun Tang. Electronics Development for pSec Time-of Flight Detectors. – http://psec.uchicago.edu/library/doclib/documents/34
2. Cressler J. Silicon Heterostructure Handbook. Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Aplications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. – Talor & Franscis, London, New York, 2006, 12227 p.
3. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ-применений // Известия высших учебных заведений, Электроника № 5. 2006.
4. Racanelli M., Kempf P. SiGe BiCMOS Technology for Communication Systems, International conference on Solid State Devices and Materials, Naqoja, September, 2002.
5. Voinigescu S., Popescu P. at al. Circuits and Technologies for Highly Integrated Optical Networking IC’s at 10 Gb/s to 40 Gb/s. – http://www.eecg.toronto.edu/~sorinv/papers/cicc2001.pdf
6. Joseph J., Harame D.L., Jagannathan B., Coolbaugh D. at al. Status and Direction of Communication Technology – SiGe BiCMOS and RFCMOS. – Proceedings of the IEEE. Vol. 93. 2005. № 9. P. 1539–1558.
7. Preisler E., Lanzerotti L., Hurwitz P., Racanelli M. Demonstration of a 270 GHz fT SiGe-C HBT Within a Manufacturing Proven 0.18 BiCMOS Process Without the Use of a Raised Extrinsic Base. – 2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting 13–15 Oct. 2008 Monteray. P0 .125–128.
8. Тимошенков В.П., Новожилов В.Е. Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ. – Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России № 2 2007, с. 73–80.
9. Timoshenkov V.P. An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors. – ISSN 1063–7397, Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, № 7, pp. 446–452.
10. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона на SiGe транзисторах. – Известия высших учебных заведений Электроника № 3 (83). 2010. C. 20–26.
11. Тимошенков В.П. Сверширокополосный от 3ГГц до 5ГГц двухканальный малошумящий усилитель на гетеропереходных биполярных транзисторах : Материалы международной конференции RLCNC 2008. Радиолокация навигация связь. – Воронеж, 2008.
Отзывы читателей
