eng
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.199.8.46.58
Теги: field effect transistors gallium nitride (gan) silicon carbide (sic) карбид кремния (sic) нитрид галлия (gan) полевые транзисторы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Теги: field effect transistors gallium nitride (gan) silicon carbide (sic) карбид кремния (sic) нитрид галлия (gan) полевые транзисторы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
