DOI: 10.22184/1992-4178.2020.200.9.72.82

Рассматриваются вопросы адаптации мемристивных устройств с многоуровневым переключением сопротивления для использования в искусственных нейронных сетях в качестве электронных эквивалентов синапсов.

sitemap

Разработка: студия Green Art