eng
Выпуск #2/2025
А. Кищинский, В. Миннебаев
РАДИОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ – ДВИЖЕНИЕ ВПЕРЕД НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «РЭСВЧ-2024». ЧАСТЬ 1
РАДИОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ – ДВИЖЕНИЕ ВПЕРЕД НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «РЭСВЧ-2024». ЧАСТЬ 1
Просмотры: 963
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.42.48
В статье описаны перспективные разработки, представленные участниками конференции «РЭСВЧ-2024», приуроченной
к 20-летию АО «Микроволновые системы». В первой части работы обобщены материалы двух секций. Доклады секции 1 посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС. На секции 2 обсуждались конструкции, параметры СВЧ-компонентов и вопросы их надежности.
В статье описаны перспективные разработки, представленные участниками конференции «РЭСВЧ-2024», приуроченной
к 20-летию АО «Микроволновые системы». В первой части работы обобщены материалы двух секций. Доклады секции 1 посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС. На секции 2 обсуждались конструкции, параметры СВЧ-компонентов и вопросы их надежности.
Теги: epitaxial growth gan transistors gan-транзисторы hemt transistors heterostructures microwave electronics гетероструктуры немт-транзисторы свч-электроника эпитаксиальный рост
Радиоэлектроника СВЧ – движение вперед
Научно-техническая конференция «РЭСВЧ-2024». Часть 1
А. Кищинский, В. Миннебаев
3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Целью НТК «РЭСВЧ-2024» является осуществление обмена опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи развития в России промышленных технологий разработки и производства радиоэлектронных систем на основе твердотельных полупроводниковых приборов, начиная от технологий изготовления СВЧ ЭКБ до производства приборов и комплексов.
Особое внимание уделено повышению качества и технического уровня разрабатываемых компонентов, модулей, приборов и радиотехнических систем.
Научно-техническая конференция «РЭСВЧ-2024» является развитием тематических семинаров-совещаний, проводимых АО «Микроволновые системы» начиная с 2012 года. Круг вопросов, обсуждаемых в рамках мероприятия, достаточно широк: от создания полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, разработки ростовых и пост-ростовых технологий, оборудования для их производства – до особенностей проектирования, изготовления, испытания и эксплуатации радиолокационной, связной и другой аппаратуры СВЧ-диапазона на основе полупроводниковой ЭКБ.
В течение двух дней на шести заседаниях, включая пленарное заседание и пять рабочих секций, проходивших в очном режиме в конгресс-центре гостиничного комплекса «Измайлово», были заслушаны и обсуждены 63 доклада специалистов, представлявших 37 предприятий и организаций. Всего в мероприятии приняли участие 332 специалиста, в том числе 102 кандидата и доктора наук, представляющих 116 предприятий и организаций из 25 городов Российской Федерации и Беларуси.
Открыл НТК «РЭСВЧ-2024» и пленарное заседание Сергей Алексеевич Исаев, генеральный директор АО «Микроволновые системы», рассказавший об истории создания, основных вехах 20-летнего пути развития предприятия, его ключевых достижениях и планах. Особое внимание и слова благодарности были обращены к личностям, организовывавшим и поддерживающим предприятие на разных этапах его деятельности и, прежде всего, Евгению Сергеевичу Качанову (1938–2018), директору ФГУП «КНИРТИ» с 1989 по 2012 год.
Андрей Александрович Кищинский, главный конструктор АО «Микроволновые системы», доложил о развитии тематических направлений предприятия в истекшем 20-летии и о планах на будущее. В докладе освещены 16 тематических направлений, истории их создания, становления, а также основные параметры серийно выпускаемых изделий. Отдельное внимание уделено новым тематикам активно развивающихся обособленных подразделений в Нижнем Новгороде, Саратове и Санкт-Петербурге.
Отмечена научная деятельность сотрудников в рамках проведения регулярных внутренних научно-технических семинаров, участия в российских и международных конференциях и патентования научных результатов.
Вадим Минхатович Миннебаев, заместитель генерального директора по развитию ЭКБ АО «Микроволновые системы», посвятил свой доклад «Надежность GaN-приборов – миф или реальность?», опирающийся на многолетние исследования российских и зарубежных специалистов широкозонной полупроводниковой СВЧ-электроники, описанию механизмов деградации GaN НЕМТ (электрических, тепловых и механических), условиям их возникновения, характеру взаимодействия механизмов между собой (на основе визуального представления в виде «волшебного» треугольника взаимодействий) и путям купирования возможностей проявления деградационных явлений на различных этапах проектирования, изготовления и эксплуатации нитрид-галлиевой СВЧ ЭКБ.
Евгений Матвеевич Савченко, председатель рабочей группы по СВЧ-электронике Совета по развитию электронной промышленности Минпромторга России, доложил о работе экспертного сообщества в 2023–2024 гг. в части анализа более 500 научно-технических направлений развития СВЧ-электроники, мерах организационной поддержки радиоэлектронной промышленности, концепции формирования НИОКТР от разработки типовых технологических процессов до контрактного производства, включая вопросы организационного взаимодействия «РАН-вуз-ЦП-фабрика» текущих и планируемых к постановке до 2030 года НИОКТР по технологиям на GaAs ГБТ, GaN/SiC, GaN/Si, SiGe БиКМОП и др.
Далее работа НТК «РЭСВЧ-2024» разделилась по секциям. Доклады секции 1 были посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС.
Евгений Викторович Луценко, заведующий Центром «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, доложил о том, что применение сверхвысокотемпературного MOCVD-роста зародышевых слоев AlN на подложках SiC позволяет добиться локализации дефектов всего лишь в двух монослоях гетероинтерфейса AlN/SiC, что обеспечивает низкое тепловое сопротивление этого гетероинтерфейса [1]. Дальнейший рост непосредственно канального слоя GaN на таком тонком напряженном зародышевом слое AlN (безбуферная гетероструктура) без использования толстых буферных слоев (AlN, AlGaN, GaN:C, GaN:Fe) позволяет получить сверхнизкое тепловое сопротивление СВЧ-транзистора за счет приближения канала тепловыделения к подложке, имеющей высокую теплопроводность, а также избежать эффектов, связанных с зарядовыми состояниями ловушек глубоких центров, образованных примесями углерода и железа. Применение данной технологии (QuanFINE) позволяет увеличить на порядок время жизни, на 25% плотность мощности, на 10% эффективность; снизить на 50% тепловое сопротивление, на 1000% эффект памяти и на 50% коллапс тока транзистора; получить лучшую линейность в данном классе транзисторов [2, 3].
В Институте физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси были отработаны технологии создания тонких (40 нм) зародышевых слоев AlN с низкой концентрацией дислокаций порядка 109 см-2 и шероховатостью поверхности менее 0,2 нм методами молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что электрические характеристики двумерного газа транзисторных гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных на тонких зародышевых слоях AlN, значительно превышают характеристики гетероструктур, выращенных на слоях AlN толщиной 300 нм, что, по-видимому, обусловлено механическими напряжениями тонких слоев AlN. Оптимизированы технологии роста канального слоя GaN и барьерных слоев AlN и AlGaN-гетероструктур. На безбуферных гетероструктурах c толщиной канала GaN 600 нм получены следующие характеристики двумерного электронного газа: n = 1,13·1013 см-2, µ = 2 000 см2/(В·с)
для Al0,22Ga0,78N; n = 1,22·1013 см-2, µ = 1 940 см2/(В·с) для Al0,24Ga0,76N; n = 1,4·1013 см-2, µ = 1 820 см2/(В·с) (слоевое сопротивление менее 250 Ом/кв) для Al0,3Ga0,7N, которые близки к значениям стандартных гетероструктур AlGaN/GaN HEMT, выращенных на подложках SiC. Для безбуферных гетероструктур c толщиной канала GaN 300 нм получен лучший результат n = 1,19·1013 см-2, µ = 1 840 см2/(В·с) для Al0,24Ga0,76N. В докладе показаны перспективы применения молекулярно-пучковой эпитаксии для формирования безбуферных AlGaN/GaN-гетероструктур транзисторов с высокой подвижностью электронов и приведены характеристики транзисторов, полученных на таких гетероструктурах.
Андрей Федорович Цацульников, и. о. директора НТЦ микроэлектроники РАН, рассказал о разработке семейства установок газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС), обеспечивающих выращивание гетероструктур на основе нитрида галлия (III-N-гетероструктуры) на подложках различного типа (сапфир, карбид кремния и кремний) диаметром до 200 мм для изготовления различных типов приборных гетероструктур, включая СВЧ- и силовые транзисторы. Авторы изучили эпитаксиальный рост гетероструктур с барьерными слоями AlGaN высокого состава (до 50%) и толщиной 3–10 нм
методом ГФЭ на подложках Si (111) диаметром до 76 мм.
Получены транзисторные структуры с концентрацией электронов в двумерном канале более 1,7·1013 см-2. На этих гетероструктурах в АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина»
были изготовлены тестовые СВЧ-транзисторы с IНАС ≥ 1 400 мА/мм и S ≥ 600 мСм/мм. Разработана технология роста нормально-открытых AlGaN/GaN НЕМТ-структур на подложках кремния диаметром до 150 мм. На гетероструктурах AlGaN/GaN в МИЭТ созданы СВЧ-транзисторы с РВЫХ ≥ 5 Вт/мм (28 В), КПД > 60% (1 ГГц) и S = 320 мСм/мм.
Выращены прототипы AlGaN/GaN-гетероструктур для НЕМТ-транзисторов на подложках кремния диаметром 200 мм (рис. 1) со следующими электрофизическими параметрами: подвижность электронов 1 500–1 600 см2/(В·с), концентрация электронов (1,1–1,2)·1013 см-2.
Юрий Николаевич Свешников, главный научный сотрудник АО «Элма-Малахит», в своем докладе проанализировал расчетные и опубликованные экспериментальные результаты для различных видов гетеропереходов в структурах нитридных соединений GaAlN/GaN, InAlN/GaN, ScAlN/GaN и других, показав, что практически достигаемая плотность носителей заряда двумерного электронного газа (ДЭГ) в получаемых гетероструктурах может доходить до (3–4)·1013 см-2, что хотя и ниже теоретически предсказываемой величины 7·1013 см-2, но заметно выше, чем в используемых в мировой промышленности гетероструктурах на основе GaAlN/GaN, где это значение не превышает 1,4·1013 см-2. Представлены результаты исследований по получению структур на основе гетероперехода AlGaN/AlN/GaN с целью достижения максимальной плотности носителей заряда в ДЭГ и толщиной барьерного слоя, не превышающей 8 нм. Показано, что при соответствующем выборе содержания Al в барьерном слое AlGaN, его толщины, а также толщины спейсера AlN достигается плотность носителей заряда более 1,88·1013 см-2, при их подвижности на уровне 1·103 см2/(В·с). В докладе обсуждаются вопросы технологии изготовления гетероструктур, измерения их параметров и возникающие при этом проблемы, а также приводятся результаты, полученные при создании СВЧ-приборов и схем. На тестовых транзисторах с WЗ = 0,25 мкм максимальная плотность тока достигала 1,6 А/мм, а удельная крутизна – 400 мСм/мм, что является весьма обнадеживающим результатом, стимулирующим дальнейшее развитие технологии подобных гетероструктур.
Александр Вадимович Добров, инженер АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», в своем докладе представил технологию изготовления GaN HEMT-приборов с применением селективного эпитаксиального роста сильнолегированных слоев GaN, реализованную на предприятии.
В ходе работ были успешно освоены следующие процессы: формирование несплавных омических контактов к GaN HEMT со значениями контактного удельного сопротивления менее 0,15 Ом·мм; создание Т-образного затвора длиной 0,25 мкм со смещенной шляпой, выполняющей функцию полевого электрода; разработка двух типов тонкопленочных конденсаторов 50 пФ/мм2 и 400 пФ/мм2, широкого набора индуктивностей и сопротивлений; формирование межсоединений с применением гальванического метода; утонение Si и SiC-подложек до 100 мкм и травление сквозных отверстий для формирования заземляющего контакта. Параметры опытных мощных дискретных СВЧ-транзисторов (рис. 2) на частоте 12 ГГц:
РВЫХ = 4,5 Вт/мм, КУ = 15 дБ при КПД =48 %.
Павел Романович Машевич, заместитель директора по инновационному развитию ЦКП «МСТ и ЭКБ» НИУ МИЭТ, доложил о состоянии разработки типовых технологических процессов (ТТП) GaN/Si с проектными нормами до 0,25 мкм для СВЧ МИС и силовых приборов. Представлены значения параметров, измеренных на тестовых структурах параметрического монитора ТТП и ТПП-С, библиотечные элементы КИП, топологии и результаты изготовления первых экспериментальных образцов демонстраторов технологических процессов, включая параметрические мониторы, библиотечные элементы, а также СВЧ-транзисторы, усилители мощности и пассивные компоненты.
Максим Леонидович Занавескин, начальник отдела НИЦ «Курчатовский институт», рассказал о создании производства по типу foundry СВЧ-транзисторов и МИС по технологии GaN/Si с топологической нормой 0,25 мкм для обеспечения чипами отечественных разработчиков СВЧ-модулей. В докладе освещаются детали разработки технологии GaN/Si дискретных транзисторов и МИС. Технологический процесс GH025D базируется на использовании гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках высокоомного кремния диаметром 100 мм в НТЦ микроэлектроники РАН. Приводятся результаты оптимизации конструкций гетероструктур и транзисторов, включая формирование полевого электрода стока (рис. 3) для снижения напряженности поля в области затвор-сток, увеличения пробивного и рабочего напряжения, увеличения срока службы, уменьшения коллапса тока, повышения коэффициента усиления по мощности и снижения паразитной проходной емкости Cgd. Показаны основные характеристики параметрических модулей разрабатываемой технологии в сравнении с зарубежными аналогами, а также параметры транзистора с шириной затвора WЗ = 720 мм на частоте 6 ГГц в импульсном режиме: IСИ.МАКС = 950 мA/мм, P-3дБ = 5,3 Вт/мм при VСИ = 30 В, P-3дБ = 8,9 Вт/мм при VСИ = 40 В, P-3дБ = 11,5 Вт/мм при VСИ = 50 В.
Максим Викторович Драгуть, начальник группы разработки МИС АО «ОКБ-Планета», представил результаты разработки и модификации GaAs-технологических процессов для производства MESFET, рНЕМТ, МИС и пассивных устройств (IPD). В части СВЧ IPD показаны преимущества их применения при разработке и изготовлении блоков и узлов РЭА и СВЧ ЭКБ, а также результаты изготовления ряда фиксированных чип-аттенюаторов с величинами вносимых ослаблений: 0 дБ, 2 дБ, 3 дБ, 6 дБ, 10 дБ, 15 дБ, 20 дБ (Рвх ≤ 500 мВт) в диапазоне рабочих частот до 40 ГГц. Описывая результаты модификации технологии СВЧ МИС на основе гетероструктур GaAs с топологической нормой 1 мкм, предназначенных, в основном, для использования в дециметровом диапазоне, докладчик уделил внимание разработке дизайна исходных гетеро-эпитаксиальных структур, построению технологического процесса изготовления рНЕМТ-транзисторов с самосовмещенным затвором, проектированию топологии и конструкции усилительных и ключевых pHEMT-транзисторов и пассивных элементов. Представлены параметры усилительных (ft ≥ 18 ГГц, fmax = 30 ГГц, S ≥ 200 мСм/мм и переключательных (Ron ≤ 2,5 Ом·мм, Coff ≤ 0,22 пФ/мм) транзисторов. Результаты разработки дискретных СВЧ MESFET и рНЕМТ на основе эпитаксиальных структур GaAs следующие: рНЕМТ в корпусе SOT-89 (РВЫХ > 500 мВт, ΔFРАБ = 0,1–2,4 ГГц при ZВХ/ВЫХ = 50 Ом); малошумящий MESFET в корпусе SOT-89 (КШ ≤ 0,2 дБ, КУР ≥ 17дБ на fРАБ = 0,5 ГГц); двухзатворный рНЕМТ X-диапазона (рис. 4) в металлокерамическом корпусе (КШ ≤ 2,0 дБ, КУР ≥ 15 дБ).
Павел Алексеевич Дюканов, руководитель проектов АО «ДЦ „Кристал”», рассказал о разработках кремниевой ЭКБ и системных решений на ее основе, включая серии из более двух десятков аналоговых и цифровых микросхем, программно-аппаратных комплексов
и заказных СнК. Также уделено внимание новым, разработанным предприятием КНИ-технологиям «кремний на сапфире» и «кремний на оксиде» для производства фотоэлементов с обратной засветкой, цифро-аналоговых схем до 3,0 ГГц, МИС-памяти, логарифмических усилителей с FРАБ до 500 МГц, регулируемых усилителей с FРАБ до 150 МГц, детекторов с FРАБ до 1000 МГц и компараторов с τЗАД до 2 нс.
Доклад Владимира Владимировича Чистякова, ведущего инженера НИУ «МЭИ», был посвящен влиянию ловушек в AlxGaN1-x /GaN/AlyGaN1-y гетероструктурах на работоспособность высоковольтных HEMT. В выступлении отмечено, что ловушки существенно снижают пробивное напряжение, значительно увеличивают токи утечки затвора при увеличении напряжения на стоке. Использование второго барьерного слоя позволяет ограничить токи утечки по затвору и исключить возможный пробой сток-исток за счет снижения поляризационных воздействий в структуре. При этом, максимальное допустимое рабочее напряжение ограничивается превышением затворного или стокового тока утечки.
На секции 2 обсуждались конструкции и параметры СВЧ-компонентов, вопросы их надежности, а также моделирование и экстракция параметров моделей СВЧ-транзисторов.
Павел Сергеевич Сорвачев, инженер первой категории АО «Микроволновые системы», посвятил свое выступление результатам разработки МИС управления амплитудой и фазой сигнала Ku-диапазона частот, реализованной на основе GaAs pHEMT-процесса с топологической нормой 0,15 мкм. Кристалл MSP010D имеет 3-портовую конфигурацию и содержит следующие компоненты: три двухпозиционных коммутатора, обеспечивающих переключение приемного и передающего режимов; малошумящий усилитель на входе приемного канала, 6-разрядный аттенюатор, 6-разрядный фазовращатель, а также два буферных усилителя в общем плече; предварительный усилитель мощности на выходе передающего канала; цепи стабилизации затворного смещения активных элементов усилителей; высокоскоростной последовательно-параллельный драйвер управления состояниями и режимами схемы (время переключения амплитудных и фазовых состояний не более 40 нс, время загрузки данных на частоте 100 МГц не более 250 нс). Габаритные размеры кристалла 6,0 × 3,8 × 0,1 мм (рис. 5).
Анатолий Васильевич Галдецкий, начальник отделения АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», доложил о возможном пути решения проблем традиционной конструкции мощных СВЧ-транзисторов. В частности, он отметил: транзисторы с параллельным расположением пальцев при повышении мощности требуют значительного увеличения ширины кристалла, что создает проблемы при монтаже и ведет к росту габаритов кристалла. При этом уменьшение шага расположения пальцев (с целью уменьшения ширины кристалла) приводит к трудностям обеспечения теплового режима и необходимости уменьшения толщины кристалла до 25–30 мкм, что также осложняет монтаж. Кроме того, при увеличении ширины области, занимаемой транзистором, увеличивается продольный размер схем суммирования и изделия в целом. Основная идея решения заключается в использовании отдельной длинной низкоомной затворной шины для передачи входного напряжения, разбиении пальцев затвора на короткие микропальцы для обеспечения выравнивания амплитуды напряжения по длине затворов. Авторы разработали теорию, провели конструктивное, электромагнитное и тепловое моделирование, а также изготовили прототип транзистора с затворной шиной (рис. 6). Применение затворной шины позволило уменьшить площадь транзисторного чипа без изменения получаемой от него СВЧ-мощности и, как следствие, увеличить количество чипов с полупроводниковой пластины в 1,2–3 раза.
Станислав Вадимович Миннебаев, ведущий конструктор АО «Микроволновые системы», рассказал о разработке, серийном выпуске и использовании в усилителях мощности дискретных AlGaN/GaN/SiC СВЧ-транзисторов серии МСК. В докладе приведены параметры транзисторов МСК и их сравнение с зарубежными аналогами, в том числе снятыми с производства. Также представлены результаты модернизации серийных изделий путем замены активной элементной базы на нитрид-галлиевые транзисторы собственной разработки.
Константин Михайлович Амбуркин, научный сотрудник дизайн-центра приемопередающей ЭКБ и РЭА АО «ЭНПО СПЭЛС», доложил о создании аппаратно-программного комплекса для характеризации GaN HEMT на различных этапах жизненного цикла: как на пластине, так и после корпусирования. Измерения проводятся в широком диапазоне температур, напряжений питания и входных мощностей. Полученные результаты применяются для создания математических моделей и последующего сопровождения производства.
Игорь Олегович Метелкин, инженер первой категории АО «Микроволновые системы», осветил вопросы экстракции параметров и использования нелинейной модели ASM-HEMT нитрид-галлиевого транзистора. Особое внимание было уделено требованиям к измерениям
в импульсном и непрерывном режимах и автоматизации как процедур измерений, так и последующей математической обработки данных. Представлены результаты экстракции параметров модели ASM-HEMT с учетом влияния эффектов саморазогрева и ловушек, включая эффекты памяти, drain-lag и gate-lag.
Артем Александрович Попов, руководитель отдела разработки моделей ООО «50ом Технолоджиз», доложил о влиянии различных методов «деэмбеддинга» на значения экстрагированных параметров малосигнальной эквивалентной схемы интегрального СВЧ-транзистора.
В качестве исходных данных использованы результаты измерений пассивных тестовых структур и СВЧ-транзисторов, изготовленных по техпроцессу 0,25 мкм GaAs pHEMT на базе АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина». Исследования проведены на СВЧ-транзисторах с фиксированной общей шириной затвора в микрополосковом и копланарном исполнениях. По результатам сравнения автором сформулированы рекомендации по выбору метода «деэмбеддинга» с точки зрения точности малосигнальной модели и рационального использования площади тестового кристалла на пластине.
Александр Владимирович Андросов, ведущий инженер АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», рассказал о разработке отечественного SMA-адаптера быстрого подключения для применения в диапазоне 0–26 ГГц с КСВН ≤ 1,2, потерями не более 0,1 дБ и гарантированным количеством соединений не менее 1 000 (рис. 7), а также привел результаты анализа параметров 15 зарубежных и 2 отечественных адаптеров, отметив, что применению зарубежных SMA-адаптеров препятствует различие диаметров центральных штыревых проводников отечественных и зарубежных соединителей.
Андрей Викторович Коренев, главный конструктор АО «Иркутский релейный завод», представил результаты разработки, изготовления и испытаний коаксиальных СВЧ-нагрузок SMA, тип IX и SMP (рис. 8), и переключателя 1П2Н со встроенными согласованными нагрузками. Разработанные нагрузки выполнены с поперечным расположением резистивного элемента, который представляет собой прямоугольную плату с резистивным слоем в виде двух резисторов. Плата выполнена на основании из AlN толщиной 0,5 мм. Разработанные нагрузки SMA (вилка) являются аналогами продуктов Rosenberger и Huber+Suhner, а нагрузки SMP (розетка) – аналогами нагрузок Radiall и Rosenberger, и работоспособны до РВХ = 2 Вт.
Михаил Сергеевич Попов, заместитель начальника отдела СВЧ-электроники ФГБУ «ВНИИР», доложил о проведенной предприятием в рамках подготовки изменений в постановление Правительства Российской Федерации № 719 работе по оценке возможностей замены ЭКБ ИП, применяемой при создании отечественного телекоммуникационного оборудования, включая базовые станции сотовой связи, на период до 2030 года. Проанализировано 64 типономинала СВЧ ЭКБ ИП в диапазоне до 5 ГГц, из которых только три позиции не могут быть замещены в настоящее время в связи с отсутствием технологий.
Алексей Николаевич Пашков, заместитель начальника НПК АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», представил результаты исследования структуры, состава, фаз и анализа напряжений разработанных ферритовых материалов на основе технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC). Были определены и зафиксированы кривые зависимостей относительного удлинения образцов
от температуры для каждого из составов, исследованы макеты ферритового материала литиевой феррошпинели и других кристаллических структур (гранат, гексаферрит) для СВЧ-диапазона, изготовленные по технологии LTCC.
В докладе показаны образцы и результаты измерений различных ферритовых изделий (рис. 9).
ЛИТЕРАТУРА
Lu J., Chen J.-T., Dahlqvist M., et al. Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors. // Applied Physics Letters, 2019. 115 (22). pp.221601.
Веб-ресурс: https://swegan.se/quanfine/.
Веб-ресурс: https://swegan.se/technology/.
Научно-техническая конференция «РЭСВЧ-2024». Часть 1
А. Кищинский, В. Миннебаев
3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Целью НТК «РЭСВЧ-2024» является осуществление обмена опытом и налаживание прямого взаимодействия между руководителями, учеными, специалистами радиоэлектронной промышленности, представителями дизайн-центров, вузовской и академической науки в решении задачи развития в России промышленных технологий разработки и производства радиоэлектронных систем на основе твердотельных полупроводниковых приборов, начиная от технологий изготовления СВЧ ЭКБ до производства приборов и комплексов.
Особое внимание уделено повышению качества и технического уровня разрабатываемых компонентов, модулей, приборов и радиотехнических систем.
Научно-техническая конференция «РЭСВЧ-2024» является развитием тематических семинаров-совещаний, проводимых АО «Микроволновые системы» начиная с 2012 года. Круг вопросов, обсуждаемых в рамках мероприятия, достаточно широк: от создания полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, разработки ростовых и пост-ростовых технологий, оборудования для их производства – до особенностей проектирования, изготовления, испытания и эксплуатации радиолокационной, связной и другой аппаратуры СВЧ-диапазона на основе полупроводниковой ЭКБ.
В течение двух дней на шести заседаниях, включая пленарное заседание и пять рабочих секций, проходивших в очном режиме в конгресс-центре гостиничного комплекса «Измайлово», были заслушаны и обсуждены 63 доклада специалистов, представлявших 37 предприятий и организаций. Всего в мероприятии приняли участие 332 специалиста, в том числе 102 кандидата и доктора наук, представляющих 116 предприятий и организаций из 25 городов Российской Федерации и Беларуси.
Открыл НТК «РЭСВЧ-2024» и пленарное заседание Сергей Алексеевич Исаев, генеральный директор АО «Микроволновые системы», рассказавший об истории создания, основных вехах 20-летнего пути развития предприятия, его ключевых достижениях и планах. Особое внимание и слова благодарности были обращены к личностям, организовывавшим и поддерживающим предприятие на разных этапах его деятельности и, прежде всего, Евгению Сергеевичу Качанову (1938–2018), директору ФГУП «КНИРТИ» с 1989 по 2012 год.
Андрей Александрович Кищинский, главный конструктор АО «Микроволновые системы», доложил о развитии тематических направлений предприятия в истекшем 20-летии и о планах на будущее. В докладе освещены 16 тематических направлений, истории их создания, становления, а также основные параметры серийно выпускаемых изделий. Отдельное внимание уделено новым тематикам активно развивающихся обособленных подразделений в Нижнем Новгороде, Саратове и Санкт-Петербурге.
Отмечена научная деятельность сотрудников в рамках проведения регулярных внутренних научно-технических семинаров, участия в российских и международных конференциях и патентования научных результатов.
Вадим Минхатович Миннебаев, заместитель генерального директора по развитию ЭКБ АО «Микроволновые системы», посвятил свой доклад «Надежность GaN-приборов – миф или реальность?», опирающийся на многолетние исследования российских и зарубежных специалистов широкозонной полупроводниковой СВЧ-электроники, описанию механизмов деградации GaN НЕМТ (электрических, тепловых и механических), условиям их возникновения, характеру взаимодействия механизмов между собой (на основе визуального представления в виде «волшебного» треугольника взаимодействий) и путям купирования возможностей проявления деградационных явлений на различных этапах проектирования, изготовления и эксплуатации нитрид-галлиевой СВЧ ЭКБ.
Евгений Матвеевич Савченко, председатель рабочей группы по СВЧ-электронике Совета по развитию электронной промышленности Минпромторга России, доложил о работе экспертного сообщества в 2023–2024 гг. в части анализа более 500 научно-технических направлений развития СВЧ-электроники, мерах организационной поддержки радиоэлектронной промышленности, концепции формирования НИОКТР от разработки типовых технологических процессов до контрактного производства, включая вопросы организационного взаимодействия «РАН-вуз-ЦП-фабрика» текущих и планируемых к постановке до 2030 года НИОКТР по технологиям на GaAs ГБТ, GaN/SiC, GaN/Si, SiGe БиКМОП и др.
Далее работа НТК «РЭСВЧ-2024» разделилась по секциям. Доклады секции 1 были посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС.
Евгений Викторович Луценко, заведующий Центром «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, доложил о том, что применение сверхвысокотемпературного MOCVD-роста зародышевых слоев AlN на подложках SiC позволяет добиться локализации дефектов всего лишь в двух монослоях гетероинтерфейса AlN/SiC, что обеспечивает низкое тепловое сопротивление этого гетероинтерфейса [1]. Дальнейший рост непосредственно канального слоя GaN на таком тонком напряженном зародышевом слое AlN (безбуферная гетероструктура) без использования толстых буферных слоев (AlN, AlGaN, GaN:C, GaN:Fe) позволяет получить сверхнизкое тепловое сопротивление СВЧ-транзистора за счет приближения канала тепловыделения к подложке, имеющей высокую теплопроводность, а также избежать эффектов, связанных с зарядовыми состояниями ловушек глубоких центров, образованных примесями углерода и железа. Применение данной технологии (QuanFINE) позволяет увеличить на порядок время жизни, на 25% плотность мощности, на 10% эффективность; снизить на 50% тепловое сопротивление, на 1000% эффект памяти и на 50% коллапс тока транзистора; получить лучшую линейность в данном классе транзисторов [2, 3].
В Институте физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси были отработаны технологии создания тонких (40 нм) зародышевых слоев AlN с низкой концентрацией дислокаций порядка 109 см-2 и шероховатостью поверхности менее 0,2 нм методами молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что электрические характеристики двумерного газа транзисторных гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных на тонких зародышевых слоях AlN, значительно превышают характеристики гетероструктур, выращенных на слоях AlN толщиной 300 нм, что, по-видимому, обусловлено механическими напряжениями тонких слоев AlN. Оптимизированы технологии роста канального слоя GaN и барьерных слоев AlN и AlGaN-гетероструктур. На безбуферных гетероструктурах c толщиной канала GaN 600 нм получены следующие характеристики двумерного электронного газа: n = 1,13·1013 см-2, µ = 2 000 см2/(В·с)
для Al0,22Ga0,78N; n = 1,22·1013 см-2, µ = 1 940 см2/(В·с) для Al0,24Ga0,76N; n = 1,4·1013 см-2, µ = 1 820 см2/(В·с) (слоевое сопротивление менее 250 Ом/кв) для Al0,3Ga0,7N, которые близки к значениям стандартных гетероструктур AlGaN/GaN HEMT, выращенных на подложках SiC. Для безбуферных гетероструктур c толщиной канала GaN 300 нм получен лучший результат n = 1,19·1013 см-2, µ = 1 840 см2/(В·с) для Al0,24Ga0,76N. В докладе показаны перспективы применения молекулярно-пучковой эпитаксии для формирования безбуферных AlGaN/GaN-гетероструктур транзисторов с высокой подвижностью электронов и приведены характеристики транзисторов, полученных на таких гетероструктурах.
Андрей Федорович Цацульников, и. о. директора НТЦ микроэлектроники РАН, рассказал о разработке семейства установок газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС), обеспечивающих выращивание гетероструктур на основе нитрида галлия (III-N-гетероструктуры) на подложках различного типа (сапфир, карбид кремния и кремний) диаметром до 200 мм для изготовления различных типов приборных гетероструктур, включая СВЧ- и силовые транзисторы. Авторы изучили эпитаксиальный рост гетероструктур с барьерными слоями AlGaN высокого состава (до 50%) и толщиной 3–10 нм
методом ГФЭ на подложках Si (111) диаметром до 76 мм.
Получены транзисторные структуры с концентрацией электронов в двумерном канале более 1,7·1013 см-2. На этих гетероструктурах в АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина»
были изготовлены тестовые СВЧ-транзисторы с IНАС ≥ 1 400 мА/мм и S ≥ 600 мСм/мм. Разработана технология роста нормально-открытых AlGaN/GaN НЕМТ-структур на подложках кремния диаметром до 150 мм. На гетероструктурах AlGaN/GaN в МИЭТ созданы СВЧ-транзисторы с РВЫХ ≥ 5 Вт/мм (28 В), КПД > 60% (1 ГГц) и S = 320 мСм/мм.
Выращены прототипы AlGaN/GaN-гетероструктур для НЕМТ-транзисторов на подложках кремния диаметром 200 мм (рис. 1) со следующими электрофизическими параметрами: подвижность электронов 1 500–1 600 см2/(В·с), концентрация электронов (1,1–1,2)·1013 см-2.
Юрий Николаевич Свешников, главный научный сотрудник АО «Элма-Малахит», в своем докладе проанализировал расчетные и опубликованные экспериментальные результаты для различных видов гетеропереходов в структурах нитридных соединений GaAlN/GaN, InAlN/GaN, ScAlN/GaN и других, показав, что практически достигаемая плотность носителей заряда двумерного электронного газа (ДЭГ) в получаемых гетероструктурах может доходить до (3–4)·1013 см-2, что хотя и ниже теоретически предсказываемой величины 7·1013 см-2, но заметно выше, чем в используемых в мировой промышленности гетероструктурах на основе GaAlN/GaN, где это значение не превышает 1,4·1013 см-2. Представлены результаты исследований по получению структур на основе гетероперехода AlGaN/AlN/GaN с целью достижения максимальной плотности носителей заряда в ДЭГ и толщиной барьерного слоя, не превышающей 8 нм. Показано, что при соответствующем выборе содержания Al в барьерном слое AlGaN, его толщины, а также толщины спейсера AlN достигается плотность носителей заряда более 1,88·1013 см-2, при их подвижности на уровне 1·103 см2/(В·с). В докладе обсуждаются вопросы технологии изготовления гетероструктур, измерения их параметров и возникающие при этом проблемы, а также приводятся результаты, полученные при создании СВЧ-приборов и схем. На тестовых транзисторах с WЗ = 0,25 мкм максимальная плотность тока достигала 1,6 А/мм, а удельная крутизна – 400 мСм/мм, что является весьма обнадеживающим результатом, стимулирующим дальнейшее развитие технологии подобных гетероструктур.
Александр Вадимович Добров, инженер АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», в своем докладе представил технологию изготовления GaN HEMT-приборов с применением селективного эпитаксиального роста сильнолегированных слоев GaN, реализованную на предприятии.
В ходе работ были успешно освоены следующие процессы: формирование несплавных омических контактов к GaN HEMT со значениями контактного удельного сопротивления менее 0,15 Ом·мм; создание Т-образного затвора длиной 0,25 мкм со смещенной шляпой, выполняющей функцию полевого электрода; разработка двух типов тонкопленочных конденсаторов 50 пФ/мм2 и 400 пФ/мм2, широкого набора индуктивностей и сопротивлений; формирование межсоединений с применением гальванического метода; утонение Si и SiC-подложек до 100 мкм и травление сквозных отверстий для формирования заземляющего контакта. Параметры опытных мощных дискретных СВЧ-транзисторов (рис. 2) на частоте 12 ГГц:
РВЫХ = 4,5 Вт/мм, КУ = 15 дБ при КПД =48 %.
Павел Романович Машевич, заместитель директора по инновационному развитию ЦКП «МСТ и ЭКБ» НИУ МИЭТ, доложил о состоянии разработки типовых технологических процессов (ТТП) GaN/Si с проектными нормами до 0,25 мкм для СВЧ МИС и силовых приборов. Представлены значения параметров, измеренных на тестовых структурах параметрического монитора ТТП и ТПП-С, библиотечные элементы КИП, топологии и результаты изготовления первых экспериментальных образцов демонстраторов технологических процессов, включая параметрические мониторы, библиотечные элементы, а также СВЧ-транзисторы, усилители мощности и пассивные компоненты.
Максим Леонидович Занавескин, начальник отдела НИЦ «Курчатовский институт», рассказал о создании производства по типу foundry СВЧ-транзисторов и МИС по технологии GaN/Si с топологической нормой 0,25 мкм для обеспечения чипами отечественных разработчиков СВЧ-модулей. В докладе освещаются детали разработки технологии GaN/Si дискретных транзисторов и МИС. Технологический процесс GH025D базируется на использовании гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках высокоомного кремния диаметром 100 мм в НТЦ микроэлектроники РАН. Приводятся результаты оптимизации конструкций гетероструктур и транзисторов, включая формирование полевого электрода стока (рис. 3) для снижения напряженности поля в области затвор-сток, увеличения пробивного и рабочего напряжения, увеличения срока службы, уменьшения коллапса тока, повышения коэффициента усиления по мощности и снижения паразитной проходной емкости Cgd. Показаны основные характеристики параметрических модулей разрабатываемой технологии в сравнении с зарубежными аналогами, а также параметры транзистора с шириной затвора WЗ = 720 мм на частоте 6 ГГц в импульсном режиме: IСИ.МАКС = 950 мA/мм, P-3дБ = 5,3 Вт/мм при VСИ = 30 В, P-3дБ = 8,9 Вт/мм при VСИ = 40 В, P-3дБ = 11,5 Вт/мм при VСИ = 50 В.
Максим Викторович Драгуть, начальник группы разработки МИС АО «ОКБ-Планета», представил результаты разработки и модификации GaAs-технологических процессов для производства MESFET, рНЕМТ, МИС и пассивных устройств (IPD). В части СВЧ IPD показаны преимущества их применения при разработке и изготовлении блоков и узлов РЭА и СВЧ ЭКБ, а также результаты изготовления ряда фиксированных чип-аттенюаторов с величинами вносимых ослаблений: 0 дБ, 2 дБ, 3 дБ, 6 дБ, 10 дБ, 15 дБ, 20 дБ (Рвх ≤ 500 мВт) в диапазоне рабочих частот до 40 ГГц. Описывая результаты модификации технологии СВЧ МИС на основе гетероструктур GaAs с топологической нормой 1 мкм, предназначенных, в основном, для использования в дециметровом диапазоне, докладчик уделил внимание разработке дизайна исходных гетеро-эпитаксиальных структур, построению технологического процесса изготовления рНЕМТ-транзисторов с самосовмещенным затвором, проектированию топологии и конструкции усилительных и ключевых pHEMT-транзисторов и пассивных элементов. Представлены параметры усилительных (ft ≥ 18 ГГц, fmax = 30 ГГц, S ≥ 200 мСм/мм и переключательных (Ron ≤ 2,5 Ом·мм, Coff ≤ 0,22 пФ/мм) транзисторов. Результаты разработки дискретных СВЧ MESFET и рНЕМТ на основе эпитаксиальных структур GaAs следующие: рНЕМТ в корпусе SOT-89 (РВЫХ > 500 мВт, ΔFРАБ = 0,1–2,4 ГГц при ZВХ/ВЫХ = 50 Ом); малошумящий MESFET в корпусе SOT-89 (КШ ≤ 0,2 дБ, КУР ≥ 17дБ на fРАБ = 0,5 ГГц); двухзатворный рНЕМТ X-диапазона (рис. 4) в металлокерамическом корпусе (КШ ≤ 2,0 дБ, КУР ≥ 15 дБ).
Павел Алексеевич Дюканов, руководитель проектов АО «ДЦ „Кристал”», рассказал о разработках кремниевой ЭКБ и системных решений на ее основе, включая серии из более двух десятков аналоговых и цифровых микросхем, программно-аппаратных комплексов
и заказных СнК. Также уделено внимание новым, разработанным предприятием КНИ-технологиям «кремний на сапфире» и «кремний на оксиде» для производства фотоэлементов с обратной засветкой, цифро-аналоговых схем до 3,0 ГГц, МИС-памяти, логарифмических усилителей с FРАБ до 500 МГц, регулируемых усилителей с FРАБ до 150 МГц, детекторов с FРАБ до 1000 МГц и компараторов с τЗАД до 2 нс.
Доклад Владимира Владимировича Чистякова, ведущего инженера НИУ «МЭИ», был посвящен влиянию ловушек в AlxGaN1-x /GaN/AlyGaN1-y гетероструктурах на работоспособность высоковольтных HEMT. В выступлении отмечено, что ловушки существенно снижают пробивное напряжение, значительно увеличивают токи утечки затвора при увеличении напряжения на стоке. Использование второго барьерного слоя позволяет ограничить токи утечки по затвору и исключить возможный пробой сток-исток за счет снижения поляризационных воздействий в структуре. При этом, максимальное допустимое рабочее напряжение ограничивается превышением затворного или стокового тока утечки.
На секции 2 обсуждались конструкции и параметры СВЧ-компонентов, вопросы их надежности, а также моделирование и экстракция параметров моделей СВЧ-транзисторов.
Павел Сергеевич Сорвачев, инженер первой категории АО «Микроволновые системы», посвятил свое выступление результатам разработки МИС управления амплитудой и фазой сигнала Ku-диапазона частот, реализованной на основе GaAs pHEMT-процесса с топологической нормой 0,15 мкм. Кристалл MSP010D имеет 3-портовую конфигурацию и содержит следующие компоненты: три двухпозиционных коммутатора, обеспечивающих переключение приемного и передающего режимов; малошумящий усилитель на входе приемного канала, 6-разрядный аттенюатор, 6-разрядный фазовращатель, а также два буферных усилителя в общем плече; предварительный усилитель мощности на выходе передающего канала; цепи стабилизации затворного смещения активных элементов усилителей; высокоскоростной последовательно-параллельный драйвер управления состояниями и режимами схемы (время переключения амплитудных и фазовых состояний не более 40 нс, время загрузки данных на частоте 100 МГц не более 250 нс). Габаритные размеры кристалла 6,0 × 3,8 × 0,1 мм (рис. 5).
Анатолий Васильевич Галдецкий, начальник отделения АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», доложил о возможном пути решения проблем традиционной конструкции мощных СВЧ-транзисторов. В частности, он отметил: транзисторы с параллельным расположением пальцев при повышении мощности требуют значительного увеличения ширины кристалла, что создает проблемы при монтаже и ведет к росту габаритов кристалла. При этом уменьшение шага расположения пальцев (с целью уменьшения ширины кристалла) приводит к трудностям обеспечения теплового режима и необходимости уменьшения толщины кристалла до 25–30 мкм, что также осложняет монтаж. Кроме того, при увеличении ширины области, занимаемой транзистором, увеличивается продольный размер схем суммирования и изделия в целом. Основная идея решения заключается в использовании отдельной длинной низкоомной затворной шины для передачи входного напряжения, разбиении пальцев затвора на короткие микропальцы для обеспечения выравнивания амплитуды напряжения по длине затворов. Авторы разработали теорию, провели конструктивное, электромагнитное и тепловое моделирование, а также изготовили прототип транзистора с затворной шиной (рис. 6). Применение затворной шины позволило уменьшить площадь транзисторного чипа без изменения получаемой от него СВЧ-мощности и, как следствие, увеличить количество чипов с полупроводниковой пластины в 1,2–3 раза.
Станислав Вадимович Миннебаев, ведущий конструктор АО «Микроволновые системы», рассказал о разработке, серийном выпуске и использовании в усилителях мощности дискретных AlGaN/GaN/SiC СВЧ-транзисторов серии МСК. В докладе приведены параметры транзисторов МСК и их сравнение с зарубежными аналогами, в том числе снятыми с производства. Также представлены результаты модернизации серийных изделий путем замены активной элементной базы на нитрид-галлиевые транзисторы собственной разработки.
Константин Михайлович Амбуркин, научный сотрудник дизайн-центра приемопередающей ЭКБ и РЭА АО «ЭНПО СПЭЛС», доложил о создании аппаратно-программного комплекса для характеризации GaN HEMT на различных этапах жизненного цикла: как на пластине, так и после корпусирования. Измерения проводятся в широком диапазоне температур, напряжений питания и входных мощностей. Полученные результаты применяются для создания математических моделей и последующего сопровождения производства.
Игорь Олегович Метелкин, инженер первой категории АО «Микроволновые системы», осветил вопросы экстракции параметров и использования нелинейной модели ASM-HEMT нитрид-галлиевого транзистора. Особое внимание было уделено требованиям к измерениям
в импульсном и непрерывном режимах и автоматизации как процедур измерений, так и последующей математической обработки данных. Представлены результаты экстракции параметров модели ASM-HEMT с учетом влияния эффектов саморазогрева и ловушек, включая эффекты памяти, drain-lag и gate-lag.
Артем Александрович Попов, руководитель отдела разработки моделей ООО «50ом Технолоджиз», доложил о влиянии различных методов «деэмбеддинга» на значения экстрагированных параметров малосигнальной эквивалентной схемы интегрального СВЧ-транзистора.
В качестве исходных данных использованы результаты измерений пассивных тестовых структур и СВЧ-транзисторов, изготовленных по техпроцессу 0,25 мкм GaAs pHEMT на базе АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина». Исследования проведены на СВЧ-транзисторах с фиксированной общей шириной затвора в микрополосковом и копланарном исполнениях. По результатам сравнения автором сформулированы рекомендации по выбору метода «деэмбеддинга» с точки зрения точности малосигнальной модели и рационального использования площади тестового кристалла на пластине.
Александр Владимирович Андросов, ведущий инженер АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», рассказал о разработке отечественного SMA-адаптера быстрого подключения для применения в диапазоне 0–26 ГГц с КСВН ≤ 1,2, потерями не более 0,1 дБ и гарантированным количеством соединений не менее 1 000 (рис. 7), а также привел результаты анализа параметров 15 зарубежных и 2 отечественных адаптеров, отметив, что применению зарубежных SMA-адаптеров препятствует различие диаметров центральных штыревых проводников отечественных и зарубежных соединителей.
Андрей Викторович Коренев, главный конструктор АО «Иркутский релейный завод», представил результаты разработки, изготовления и испытаний коаксиальных СВЧ-нагрузок SMA, тип IX и SMP (рис. 8), и переключателя 1П2Н со встроенными согласованными нагрузками. Разработанные нагрузки выполнены с поперечным расположением резистивного элемента, который представляет собой прямоугольную плату с резистивным слоем в виде двух резисторов. Плата выполнена на основании из AlN толщиной 0,5 мм. Разработанные нагрузки SMA (вилка) являются аналогами продуктов Rosenberger и Huber+Suhner, а нагрузки SMP (розетка) – аналогами нагрузок Radiall и Rosenberger, и работоспособны до РВХ = 2 Вт.
Михаил Сергеевич Попов, заместитель начальника отдела СВЧ-электроники ФГБУ «ВНИИР», доложил о проведенной предприятием в рамках подготовки изменений в постановление Правительства Российской Федерации № 719 работе по оценке возможностей замены ЭКБ ИП, применяемой при создании отечественного телекоммуникационного оборудования, включая базовые станции сотовой связи, на период до 2030 года. Проанализировано 64 типономинала СВЧ ЭКБ ИП в диапазоне до 5 ГГц, из которых только три позиции не могут быть замещены в настоящее время в связи с отсутствием технологий.
Алексей Николаевич Пашков, заместитель начальника НПК АО «НПП „Исток” им. А. И. Шокина», представил результаты исследования структуры, состава, фаз и анализа напряжений разработанных ферритовых материалов на основе технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC). Были определены и зафиксированы кривые зависимостей относительного удлинения образцов
от температуры для каждого из составов, исследованы макеты ферритового материала литиевой феррошпинели и других кристаллических структур (гранат, гексаферрит) для СВЧ-диапазона, изготовленные по технологии LTCC.
В докладе показаны образцы и результаты измерений различных ферритовых изделий (рис. 9).
ЛИТЕРАТУРА
Lu J., Chen J.-T., Dahlqvist M., et al. Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors. // Applied Physics Letters, 2019. 115 (22). pp.221601.
Веб-ресурс: https://swegan.se/quanfine/.
Веб-ресурс: https://swegan.se/technology/.
Отзывы читателей
