Представлен обзор физических механизмов генерации фотонов в полупроводниковых структурах, описаны основные режимы работы ФЭМ-систем и возможности метода для локализации различных типов дефектов. Приведены практические примеры применения метода в условиях разработки и производства микроэлектроники.