eng
Выпуск #3/2026
В. Плебанович, А. Сучков, В. Гришкевич, В. Светенкова
ПРИМЕНЕНИЕ МИКРОСКОПИИ ФОТОННОЙ ЭМИССИИ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И АНАЛИЗА ОТКАЗОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ПРИМЕНЕНИЕ МИКРОСКОПИИ ФОТОННОЙ ЭМИССИИ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И АНАЛИЗА ОТКАЗОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Просмотры: 108
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.255.3.184.188
Представлен обзор физических механизмов генерации фотонов в полупроводниковых структурах, описаны основные режимы работы ФЭМ-систем и возможности метода для локализации различных типов дефектов. Приведены практические примеры применения метода в условиях разработки и производства микроэлектроники.
Теги: foton complex ics microscopy pem system photon emission ис комплекс фотон микроскопия фотонная эмиссия фэм-система
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Представлен обзор физических механизмов генерации фотонов в полупроводниковых структурах, описаны основные режимы работы ФЭМ-систем и возможности метода для локализации различных типов дефектов. Приведены практические примеры применения метода в условиях разработки и производства микроэлектроники.
Теги: foton complex ics microscopy pem system photon emission ис комплекс фотон микроскопия фотонная эмиссия фэм-система
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
