Возможность создания SiGe-транзисторов была теоретически обоснована 40 лет назад. На разработку кремний-германиевой технологии фирме IBM потребовалось не одно десятилетие и многие сотни миллионов долларов.* Но сегодня SiGe-технология уже стремительно продвигается на рынок, и биполярные SiGe-гетеротранзисторы (НВТ), несмотря на скептицизм экспертов, успешно конкурируют с кремниевыми биполярными приборами и наступают на позиции GaAs-устройств. Совершенствование SiGe-транзисторов привело к появлению кремний-германиевых БиКМОП-схем. И сейчас самое перспективное направление работ в области SiGe-технологии – объединение НВТ со специализированными КМОП ИС, открывающее широкие возможности создания системы-на-кристалле, в которой объединены ВЧ-, аналоговые и цифровые устройства.

sitemap

Разработка: студия Green Art