В сороковые годы в СССР так же, как и в США активно проводились исследования в области полупроводниковых устройств усиления сигнала (С.Г.Калашников, Н.А.Пенин — ЦНИИ-108 МО). К сожалению, наблюдавшийся ими эффект не получил должного объяснения и открытие не состоялось. Первый в нашей стране образец точечного германиевого транзистора создан в 1949 году. В 1953 году изготовлен первый в Союзе опытный образец плоскостного (сплавного) германиевого транзистора. В том же году в Москве открывается специализированный отраслевой НИИ полупроводниковой электроники, который сейчас носит название “Пульсар”. Первые плоскостные транзисторы, ставшие основой серийных приборов типа П1, П2, П3 и их дальнейших модификаций (П6, П13—П16), были изготовлены в НИИ “Пульсар” (тогда НИИ-35), в лаборатории А.В.Красилова. Работы этой лаборатории создали базу для дальнейшего развития транзисторной технологии в институте.

sitemap

Разработка: студия Green Art