Одной из проблем реализации процессов фотолитографии в производстве интегральных схем, которые во многом определяют уровень микроэлектроники в целом, является коррекция геометрической формы топологических элементов. Предлагаемый авторами метод основан на использовании структур компенсации оптического эффекта близости. Результаты, представленные в статье, получены на первой отечественной производственной линии, позволяющей изготавливать оригиналы топологии интегральных схем технологического уровня 350 нм. Моделирование процесса формирования изображений топологических структур фотошаблонов в светочувствительном слое (фоторезисте) проводилось на многоканальном лазерном генераторе изображений ЭМ-5189. В соответствии с разработанной математической моделью процесса экспонирования в Центре проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов (МИЭТ) были изготовлены несколько комплектов оригиналов топологии.

sitemap

Разработка: студия Green Art