Рассматриваются новые подходы к разработке автоэмиттера, необходимого для СВЧ-систем диапазона 0,1–1 ТГц. Предварительному анализу был подвергнут большой объем научной литературы, посвященной автоэмиттерам. Основной мотив такого анализа заключался в выяснении причин, препятствующих разработке эффективного автоэмиттера. Было выяснено, что к таким причинам следует отнести закоротки управляющего электрода, разброс по высоте эмитирующих электроны микроструктур и обеспечение высокого вакуума, необходимого для уменьшения числа ионов, разрушающих эмитирующие структуры. В работе в качестве эмитирующих структур предложены алмазные микроконусы с высокой плотностью их размещения. Алмаз обладает высокой прочностью, что понижает разрушающее действие ионов. Для уменьшения у микроконусов разброса по высоте используется реверсивная литография. Ее суть заключается в том, что сначала на поверхности кремния формируется маска с минимально допустимыми размерами, а поверх этой маски наращивается легированная алмазная пленка. В качестве управляющего электрода предлагается использовать графеновый электрод, что предполагает полное отсутствие в электроде отверстий, относительно которых необходимо центрировать микроострия.

sitemap

Разработка: студия Green Art