Рассмотрены основные способы модификации подзатворных диэлектрических слоев МДП-структур и особенности их использования для корректировки параметров, уменьшения дефектности и повышения надежности МДП-приборов. Исследовано влияние инжекционно-термической и плазменной обработок на характеристики МДП-структур. Показано, что термостабильная часть отрицательного заряда, накапливающегося в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС, в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов может использоваться для корректировки пороговых напряжений, зарядовой стабильности и пробивных напряжений МДП-приборов.

sitemap

Разработка: студия Green Art