Технология измерения критических размеров элементов СБИС с помощью оптического микроскопа имеет ряд преимуществ перед конкурентами: растровой электронной микроскопией*, эллипсометрией** и др. В отличие от растровой электронной микроскопии она не загрязняет образец и требует значительно меньшего времени на измерения, а в отличие от эллипсометрии – работает с одиночным объектом, а не с периодической структурой. И хотя оптическая микроскопия допускает гораздо большую погрешность, чем эти два метода, все же она до сих пор составляет им конкуренцию. Показаны преимущества некогерентного освещения перед когерентным при измерении критических размеров объектов менее 0,5 мкм. Разработан метод измерения критических размеров до 0,2 мкм с помощью алгоритма поиска стабильного положения фокуса. Погрешность метода (2s) составляет 10–20 нм.

sitemap

Разработка: студия Green Art