Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2026
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "heterostructure"

Фотоника #7/2018
Г. А. Мустафаев, В. А. Панченко, А. Г. Мустафаев, Н. В. Черкесова
Оптические свойства гетероструктуры на основе полупроводников AlN / GaN

Современные технологии создания гетероструктур на основе твердых растворов полупроводниковых нитридов позволяют получать высокоэффективные светоизлучающие диоды. Нитриды алюминия и галлия, а также твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для оптоэлектронных устройств фиолетовой области спектра. Проведено исследование оптических свойств многослойной гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников AlN / GaN. Моделирование проводилось с использованием математического пакета программ MathCad. Полученные результаты позволяют формировать интегральные структуры, излучающие несколько длин волн, совокупность которых позволяет увеличить дифференциальную квантовую эффективность светодиода в ультрафиолетовой области спектра. Предложена структура источника излучения с длинами волны в окрестностях 278 и 317 нм. DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.7.680.683

Наноиндустрия #9/2018
Певцов Евгений Филиппович, Беспалов Алексей Викторович, Буш Александр Андреевич, Голикова Ольга Львовна
Электрофизические свойства структур с тонкими пленками сегнетоэлектриков

Проведены комплексные исследования электрофизических свойств гетероструктур с тонкими пленками сегнетоэлектриков типа PbZr0,53Ti0,47O3 на Si и PbTiO3/YBa2Cu3O7–x на SrTiO3. Получены новые данные по вольт-фарадным характеристикам этих структур и проведены количественные оценки параметров физических моделей, описывающих процессы переключения поляризации и эффекты на границах между слоями. УДК 537.9+621.315.592.9 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.471.480

Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь
МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки".

Наноиндустрия #5/2011
Д.Красовицкий, А.Алексеев, С.Петров, В.Чалый
Стандартизованное производство гетероструктур III-N для твердотельной СВЧ-электроники

Приведены возможности широкозонных полупроводниковых нитридов III группы для мощных устройств СВЧ-диапазона и преодоления проблем при разработке технологии приборных нитридных гетероструктур. Создание специализированного ростового оборудования и новаторские конструкции гетероструктур и режимов роста позволили достичь мирового уровня, расширить перспективы их дальнейшего улучшения.