Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "sram"

Электроника НТБ #10/2024
М. Макушин
ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ: НОВЫЕ АРХИТЕКТУРЫ ИИ ПРОЦЕССОРОВ И РАСШИРЕНИЕ РОЛИ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ИС

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.241.10.138.147 Рассматриваются новые архитектуры ИИ процессоров, позволяющих сбалансировать их быстродействие и эффективность. Отмечается, что роль ИИ в проектировании ИС постоянно расширяется по мере усложнения инструментальных средств САПР.

Электроника НТБ #4/2024
Д. Садеков
МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ И ФЛЕШ-ПАМЯТЬ ОТ КОМПАНИИ GigaDevice

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.235.4.126.130 GigaDevice Semiconductor – ведущий мировой fabless-разработчик микросхем флеш-памяти и микроконтроллеров. В статье представлен обзор основных линеек продукции GigaDevice.

Электроника НТБ #4/2022
И. Черепанов, М. Макушин
ЦИФРОВЫЕ ИС: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ СХЕМ ПАМЯТИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В СИСТЕМАХ ИИ

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.215.4.76.88 Анализируются тенденции развития сектора схем памяти. Большое внимание уделено освоению подходов 3D-интеграции, в том числе созданию приборов, сочетающих этажерки памяти и слои логических приборов, процессорных ядер и т. п.

Наноиндустрия #9/2018
Чистяков Михаил Геннадьевич
Исследование и оптимизация по критерию сбоеустойчивости ячейки памяти для технологии КНИ КМОП 0,25 мкм при облучении быстрыми нейтронами

В статье исследована устойчивость к сбоям ячейки памяти, спроектированной по технологии КНИ 0,25 мкм. Рассмотрены возможные ситуации сбоев при попадании в ячейку памяти быстрых нейтронов. Также рассмотрены основные методы повышения сбоеустойчивости ячеек памяти. Приведены рекомендации по повышению устойчивости к сбоям ячеек памяти. УДК 621.382, ББК 32.85 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.351.358

Наноиндустрия #9/2018
Красников Геннадий Яковлевич, Лушников Александр Сергеевич, Мещанов Владимир Дмитриевич, Рыбалко Егор Сергеевич, Фомичева Надежда Николаевна, Шелепин Николай Алексеевич
Исследование сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ

Представлены результаты исследования сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ. Приведены модельные и экспериментальные зависимости сбоеустойчивости пилотных образцов СОЗУ емкостью 4 Мбит при воздействии ТЗЧ от частоты исправления информации. Показано соответствие модели и эксперимента. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.327.329

Электроника НТБ #10/2015
И.Романова
Компания AMIC Technology на российском рынке. Новая продукция

Компания AMIC Technology – один из ведущих мировых производителей микросхем памяти. Производит как микросхемы промышленного стандарта, так и свои собственные уникальные разработки.

Электроника НТБ #5/2015
П.Пастухов, П. Леонов
Быстродействующие ОЗУ – проблемы создания

В статье анализируются проблемы создания современных СОЗУ с высокими информационной емкостью и быстродействием.