Расширение возможностей портативных бытовых электронных устройств, например воспроизведение видеоинформации в реальном времени, приводит к росту потребности в энергонезависимой быстродействующей памяти большой емкости и с малой удельной стоимостью в пересчете на единицу хранимой информации. Один из самых многообещающих новых типов памяти – магниторезистивное, или магнитное, ОЗУ (Magnetoresistive RAM – MRAM), сочетающее лучшие характеристики трех основных видов полупроводниковой памяти: плотность упаковки ДОЗУ, быстродействие СОЗУ и энергонезависимость флэш-памяти. В начале века появилось множество сообщений, согласно которым MRAM смогут появиться на рынке памяти уже в 2004 году. Эти прогнозы полностью не оправдались. Тем не менее, по крайней мере две компании – Freescale Semiconductor (бывший сектор полупроводниковых изделий компании Motorola) и Infineon – объявили о начале опытных поставок магнитных ОЗУ. Не отстать от них стремится и компания Cypress.

sitemap

Разработка: студия Green Art