eng
Выпуск #3/2026
В. Иванов
КАРБИД КРЕМНИЯ ДЛЯ СИЛОВЫХ МИКРОСХЕМ: ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ
КАРБИД КРЕМНИЯ ДЛЯ СИЛОВЫХ МИКРОСХЕМ: ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ
Просмотры: 156
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.255.3.164.169
В работе описываются первые три этапа технологического цикла производства микросхем на основе карбида кремния – выращивание монокристаллов, изготовление пластин и эпитаксия. Приведен обзор современных технологических решений и оборудования.
Теги: cutting epitaxy power components silicon carbide single crystal growth карбид кремния резка рост монокристалла силовые компоненты эпитаксия
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В работе описываются первые три этапа технологического цикла производства микросхем на основе карбида кремния – выращивание монокристаллов, изготовление пластин и эпитаксия. Приведен обзор современных технологических решений и оборудования.
Теги: cutting epitaxy power components silicon carbide single crystal growth карбид кремния резка рост монокристалла силовые компоненты эпитаксия
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
