Одна из важнейших технологических операций при изготовлении современных полупроводниковых приборов с минимальными размерами элементов 0,1 мкм и менее – прецизионное вытравливание сформированного литографией рисунка. Для этого скорость травления в направлении, перпендикулярном поверхности, должна быть максимальной,
а в боковом направлении – минимальной. Но анизотропное травление некоторых специальных материалов (нитрида кремния, двуокиси кремния, нитрида галлия, арсенида галлия и т.п.) с помощью традиционных химических процессов – задача практически неразрешимая. С ней может справиться ионное травление. Но из-за высокой энергии ионов (порядка 500–1500 эВ) глубина нарушенного слоя в полупроводнике достигает 20 нм, что резко ухудшает параметры полупроводникового прибора. Лучшие результаты обеспечивает реактивное ионное травление. Поэтому несомненный интерес представляет созданная в НПП "Тирс" установка реактивного ионного травления, отвечающая основным требованиям технологии производства полупроводниковых приборов, т.е. позволяющая травить необходимые материалы как с высокой скоростью, так и с максимальной анизотропией.

sitemap

Разработка: студия Green Art