eng
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА КОМПАНИИ INFINEON
Малогабаритные коммутаторы компании Infineon предназначены для автомобильной электроники, но благодаря своей надёжности и низкой стоимости могут быть использованы и для других приложений. К этому классу коммутаторов относятся:
· быстрые коммутаторы (до 1 МГц) на n-канальных полевых МОП-транзисторах семейства TEMPFET. Конструкция их корпусов позволяет эффективно отводить тепло и использовать современные теплоотводящие материалы компании Bergquist, что обеспечивает защиту от перегрева;
· коммутаторы для дискретных и аналоговых сигналов семейства HITFET. Рассчитаны на рабочие напряжения до 60 В и токи от 1 до 21 А, оснащены разветвлённой системой защиты;
· 6-, 12- и 18-канальные коммутаторы для реализации малогабаритных Smart Multichannel Switches с напряжением питания 5 или 3,3 В.
Выпускаются также более мощные приборы семейств mini-PROFET, PROFET и др.
Микросхемы для DC/DC-конвертеров. К изделиям этого класса относятся:
· семейство CoreControl-PWM – современные двух–четырехфазные преобразователи с автоматическим выбором числа фаз, мягким стартом и программируемой частотой преобразования (50–400 кГц). Предусмотрена защита от перегрева;
· семейство CoreControl-Gate Driver – преобразователи с напряжением питания 12 В и частотой преобразования до 1 МГц. Работают в расширенном диапазоне температур (до 150°С);
· семейство CoreControl-Integrated Switch – драйвер и силовой полевой МОП-ключ в одном корпусе TO220-7. Имеют эффективную тепловую защиту. Рабочая температура до 150°С;
· семейство HighSpeed и другие на напряжения 600 и 1200 В и рабочие частоты 10 и 30 кГц;
· семейство LightMOS для электронных балластов на ток до 3 А и напряжение 600 В. Предназначены для работы с лампами мощностью 40–120 Вт.
Устройства управления электродвигателями представляют собой мостовые схемы и драйверы управления шаговыми двигателями и двигателями постоянного тока. Микросхемы драйверов поддерживают рабочие частоты до 30 кГц, что обеспечивает высококачественное управление двигателями любой мощности. Система защиты позволяет сохранять работоспособность в самых различных нештатных ситуациях. Мосты построены на силовых полевых МОП-транзисторах на ток до 7 А (для пропорционального управления). Интегрированные с силовыми цепями драйверы шаговых двигателей обеспечивают выходной ток до 750 мА на канал, а также эффективную защиту и диагностику состояния системы.
Регуляторы напряжения для промышленных и автомобильных приложений. Поддерживают входные напряжения до 65 В и ток до 2 А. Выпускаются одно- и трехканальные модели. Рабочий диапазон температур -40–150°С.
Микросхемы управления импульсными AC/DC-преобразователями позволяют эффективно преобразовывать энергию в требуемый вид при использовании минимального числа компонентов. К этому классу изделий относятся семейства преобразователей:
· PWM-FF для реализации недорогих узлов питания мощностью до 300 Вт. Работают на фиксированных частотах 67, 100 и 110 кГц;
· PWM-QR для реализации квазилинейных узлов питания мощностью до 300 Вт. Стабилизируют выходное напряжение, поддерживая обратную связь через оптрон;
· семейство PWM-DCM для реализации импульсных узлов питания с коррекцией фактора мощности и с детектором нулевого тока;
· PWM-CCM для реализации узлов питания с режимом линейной проводимости. Коммутаторы мощности работают на частотах 50–250 кГц. Цикл регулирования до 95% точности возможен с частотой до 125 кГц. Встроен генератор опорного напряжения с точностью ±2%;
· PWM (FF) + PFC (CCM) combicontrol IC, сочетающие достоинства микросхем семейств PWM-FF и PWM-CCM. Позволяют реализовывать узлы питания мощностью до 200 Вт с очень хорошим соотношением цена/качество.
Микросхемы для управления импульсными DC/DC-преобразователями реализуют с минимальным числом навесных компонентов DC/DC-преобразователи различной мощности. Для коммутации силовой цепи используются полевые МОП-транзисторы.
Специальные микросхемы для промышленных применений, к которым относятся:
· операционные усилители с напряжением питания 3–36 В и выходным током до 100 мА;
· интерфейсы цифровых датчиков и мощных транзисторов с высоковольтными цепями защиты (до 2000 В);
· разнообразные микросхемы защиты выходов от короткого замыкания, микросхемы реализации аварийных звуковых оповещателей (гонгов), регулировки мощности в нагрузке и другие изделия с расширенным температурным диапазоном.
Силовые полевые МОП-транзисторы выпускаются на рабочие напряжения 20–800 В. Могут быть использованы для управления как слаботочными, так и силовыми цепями.
Силовые БТИЗ для промышленного применения.
Диоды, мощные и диоды Шоттки, на напряжения 300, 600, 1200 В.
www.infenion.com
БЕСПРОВОДНОЙ ГОЛОСОВОЙ МОДУЛЬ (CVM) КОМПАНИИ NATIONAL SEMICONDUCTOR
Модуль реализован на базе микросхем SC14428 и LMX4168 (LMX4268). С его помощью можно передавать и принимать голосовую информацию на частоте 1,9 или 2,4 ГГц и данные со скоростью передачи 24 Кбит/с. Габаритные размеры изделия всего 45х26,5х5 мм, что позволяет использовать его в составе малогабаритного оборудования. Модуль работает в двух режимах: поддержки работы микротелефонной трубки только для обмена голосовой информацией (режим handset) и в базовом, поддерживающим как голосовой обмен, так и обмен данными. С помощью модуля могут быть реализованы беспроводные интерфейсы SPI или UART. В базовом режиме обеспечивается регистрация до шести микротелефонных трубок, различные режимы соединения и вызова. Предусмотрено до 10 мелодий вызова. Характеристики модуля:
Напряжение питания 2,5 В
Типовая выходная мощность 200 мВт
Чувствительность 93 дБм
Радиус действия 350 м (в зданиях 75 м)
Диапазон рабочих температур 10–60°С
Модуль предназначен для сотовых микросистем, беспроводных интерфейсов и сбора данных, систем связи транспортных средств, подключения периферии, систем оповещения.
www.national.com
ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ, ДЕШЕВЫЕ FPGA НА ОСНОВЕ ФЛЭШ-ПАМЯТИ
РЕАЛЬНАЯ АЛЬТЕРНАТИВА СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫМ ASIC-МИКРОСХЕМАМ
В январе 2005 года компания Actel сообщила о выпуске третьего поколения программируемых пользователем базовых матричных микросхем (FPGA) на основе флэш-технологии семейств ProASIC3 и ProSIC3E (ProASIC3/E). На сегодняшний день микросхемы этих двух семейств – единственные FPGA, в которых применяется пользовательская энергонезависимая флэш-память емкостью 1 Кбит (128x8 страниц). Логическая емкость новых микросхем (семи семейства ProASIC3 и трех семейства ProSIC3E) лежит в пределах от 30К до 3М системных вентилей. Микросхемы содержат шесть блоков формирования тактового импульса, в каждый из которых встроена схема ФАПЧ, двухпортовый СОЗУ емкостью 504 Кбит и до 616 пользовательских вводов/выводов, совместимых с 66-МГц/64-бит PCI-шиной. Напряжение питания ядра 1,5 В, рабочее напряжение блоков ввода/вывода – 1,5, 1,8, 2,5 и 3,3 В. Системная частота 350 МГц, коэффициент использования логических элементов 95%. При каждом включении питания не требуется дополнительной энергонезависимой памяти для хранения конфигурационных данных, что снижает стоимость системы и улучшает ее защиту и надежность. Реконфигурирование может выполняться внутрисистемно через интерфейс JTAG с помощью 128-бит алгоритма AES-стандарта, не опасаясь несанкционированного раскрытия или копирования ценной интеллектуальной собственности. Высокую защиту конфигурации обеспечивает и схема блокировки на базе флэш-памяти (FlashLock).
На хранимые в ячейках флэш-памяти данные не воздействуют высокоэнергетические нейтроны, благодаря чему новые микросхемы, в отличие от FPGA на базе СОЗУ, характеризуются достаточно высокой радиационной стойкостью.
Выполнены микросхемы семейств ProASIC3/E по 0,13-мкм LVMOS-технологии с семью уровнями металлизации (шесть – медных и один – алюминиевый). Логические и управляющие элементы, в том числе ФАПЧ, изготовлены по стандартной КМОП-технологии. В отличие от СОЗУ, каждая ячейка которых содержит шесть транзисторов, в ячейке флэш-памяти используется один транзистор, что обеспечивает большую экономию занимаемой площади и более высокий выход годных микросхем.
Компания уже начала опытные поставки входящей в семейство микросхемы А3Р600 с логической емкостью 600К системных вентилей и емкостью СОЗУ 108 Кбит. К массовому производству планируется приступить в четвертом квартале 2005 года. Начальная стоимость семи микросхем семейства ProASIC3 при закупке партии в 250 тыс. шт. составит менее 10 долларов.
Таким образом, микросхемы семейств ProASIC3/E – самые дешевые на сегодняшний день FPGA, представленные на мировом рынке. Они смогут найти широкое применение в бытовой аппаратуре, автомобильной электронике и других ценочувствительных системах. Согласно оценкам, продажи FPGA, характеризуемых самыми высокими темпами роста на рынке ПЛИС, в 2004 году составят 500 млн. долл., а в 2008-м достигнут 1,5 млрд. долл. Разработчики компании Actel – единственного поставщика FPGA с использованием флэш-технологии – считают, что для FPGA флэш-технология сыграет такую же роль, что и для мобильных телефонов, фотокамер и видеомагнитофонов. Память этого типа будет применяться в большей части программируемых пользователем микросхем с логической емкостью свыше 1 млн. системных вентилей. По мере усиления фактора своевременного выхода на рынок и стремительного роста производственных издержек FPGA быстро вторгаются в секторы рынка, где традиционно лидировали специализированные микросхемы типа ASIC, а благодаря низкой стоимости и надежной архитектуре с использованием флэш-памяти FPGA семейств ProASIC3/E смогут успешно стимулировать развитие всего рынка ПЛИС.
www.actel.com
НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ ПОЛУМОСТОВЫХ МОДУЛЕЙ SEMIXTM IGBT КОМПАНИИ SEMIKRON.
БОЛЬШАЯ МОЩНОСТЬ И МИНИМАЛЬНЫЕ ГАБАРИТЫ
Благодаря малой высоте корпуса (высота силовых выводов – 17 мм) новые модули семейства SEMiXTM обеспечивают почти двукратное увеличение плотности мощности по сравнению со стандартными 62-мм модулями с идентичными размерами силовых кристаллов. Конструктивные и электрические характеристики модулей SEMiX позволяют использовать их в широком спектре промышленных применений различного назначения и мощности. Конструктив семейства SEMiX – базовая платформа: модули различной мощности имеют идентичное конструкторское исполнение и отличаются только длиной. На сегодняшний день в семейство полумостовых модулей SEMiX входят компоненты трех типоразмеров для различных уровней мощности: SEMiX 2 – ток 190–470 А, 62х117 мм; SEMiX 3 – ток 250–700 А, 62х150 мм и SEMiX 4 – ток 600–900 А, 69х183 мм. В трехфазном исполнении предлагаются модули SEMiX 33 с током 250–700 А.
В модулях семейства SEMiX 126 и 176 серии с рабочим напряжением 1200 и 1700 В и рабочим током 200–700 А использованы кристаллы, выполненные по технологии Trench IGBT3, обеспечивающей сверхнизкие потери проводимости. В модулях 128 серии с рабочим напряжением 1200 В, предназначенных для работы на частотах свыше 6 кГц, применяются кристаллы SPT (Soft Punch Trough) IGBT, имеющие оптимальное сочетание потерь проводимости и переключения.
Для повышения надежности работы в динамических режимах и снижения уровня электромагнитных помех во всем диапазоне рабочих температур в модулях SEMiX использованы антипараллельные диоды с управляемым временем жизни носителей (Controlled Axial Lifetime – CAL). Диоды CAL позволяют применять SEMiX как в режиме "жесткого переключения", так и в резонансном режиме. Плавная кривая обратного восстановления CAL-диодов обеспечивает высокую электромагнитную совместимость компонентов в широком диапазоне токов и рабочих температур.
Основная особенность нового семейства IGBT модулей SEMiX – большой выбор конфигураций: они могут поставляться, как стандартные силовые модули или интеллектуальные модули (IPM) совместно со специализированными драйверами SKYPER. Для подключения платы управления в модулях предусмотрен сигнальный разъем. В исполнении IPM драйвер является составной частью конструкции. При изготовлении трехфазного инвертора может использоваться трехфазный модуль SEMiX 33 или три раздельных полумостовых модуля. При этом за счет разнесения локальных источников перегрева тепловое сопротивление снижается на 20%. При аналогичных условиях эксплуатации это означает увеличение допустимого тока на 15% или снижение температуры кристаллов на 10–15°С, что обеспечивает увеличение ресурса изделия.
Основные области применения нового поколения модулей SEMiX IGBT – приводы и силовые преобразователи, работающие в диапазоне мощности до 150 кВт.
Материал предоставлен ЗАО “Компел”.
www.compel.ru
Малогабаритные коммутаторы компании Infineon предназначены для автомобильной электроники, но благодаря своей надёжности и низкой стоимости могут быть использованы и для других приложений. К этому классу коммутаторов относятся:
· быстрые коммутаторы (до 1 МГц) на n-канальных полевых МОП-транзисторах семейства TEMPFET. Конструкция их корпусов позволяет эффективно отводить тепло и использовать современные теплоотводящие материалы компании Bergquist, что обеспечивает защиту от перегрева;
· коммутаторы для дискретных и аналоговых сигналов семейства HITFET. Рассчитаны на рабочие напряжения до 60 В и токи от 1 до 21 А, оснащены разветвлённой системой защиты;
· 6-, 12- и 18-канальные коммутаторы для реализации малогабаритных Smart Multichannel Switches с напряжением питания 5 или 3,3 В.
Выпускаются также более мощные приборы семейств mini-PROFET, PROFET и др.
Микросхемы для DC/DC-конвертеров. К изделиям этого класса относятся:
· семейство CoreControl-PWM – современные двух–четырехфазные преобразователи с автоматическим выбором числа фаз, мягким стартом и программируемой частотой преобразования (50–400 кГц). Предусмотрена защита от перегрева;
· семейство CoreControl-Gate Driver – преобразователи с напряжением питания 12 В и частотой преобразования до 1 МГц. Работают в расширенном диапазоне температур (до 150°С);
· семейство CoreControl-Integrated Switch – драйвер и силовой полевой МОП-ключ в одном корпусе TO220-7. Имеют эффективную тепловую защиту. Рабочая температура до 150°С;
· семейство HighSpeed и другие на напряжения 600 и 1200 В и рабочие частоты 10 и 30 кГц;
· семейство LightMOS для электронных балластов на ток до 3 А и напряжение 600 В. Предназначены для работы с лампами мощностью 40–120 Вт.
Устройства управления электродвигателями представляют собой мостовые схемы и драйверы управления шаговыми двигателями и двигателями постоянного тока. Микросхемы драйверов поддерживают рабочие частоты до 30 кГц, что обеспечивает высококачественное управление двигателями любой мощности. Система защиты позволяет сохранять работоспособность в самых различных нештатных ситуациях. Мосты построены на силовых полевых МОП-транзисторах на ток до 7 А (для пропорционального управления). Интегрированные с силовыми цепями драйверы шаговых двигателей обеспечивают выходной ток до 750 мА на канал, а также эффективную защиту и диагностику состояния системы.
Регуляторы напряжения для промышленных и автомобильных приложений. Поддерживают входные напряжения до 65 В и ток до 2 А. Выпускаются одно- и трехканальные модели. Рабочий диапазон температур -40–150°С.
Микросхемы управления импульсными AC/DC-преобразователями позволяют эффективно преобразовывать энергию в требуемый вид при использовании минимального числа компонентов. К этому классу изделий относятся семейства преобразователей:
· PWM-FF для реализации недорогих узлов питания мощностью до 300 Вт. Работают на фиксированных частотах 67, 100 и 110 кГц;
· PWM-QR для реализации квазилинейных узлов питания мощностью до 300 Вт. Стабилизируют выходное напряжение, поддерживая обратную связь через оптрон;
· семейство PWM-DCM для реализации импульсных узлов питания с коррекцией фактора мощности и с детектором нулевого тока;
· PWM-CCM для реализации узлов питания с режимом линейной проводимости. Коммутаторы мощности работают на частотах 50–250 кГц. Цикл регулирования до 95% точности возможен с частотой до 125 кГц. Встроен генератор опорного напряжения с точностью ±2%;
· PWM (FF) + PFC (CCM) combicontrol IC, сочетающие достоинства микросхем семейств PWM-FF и PWM-CCM. Позволяют реализовывать узлы питания мощностью до 200 Вт с очень хорошим соотношением цена/качество.
Микросхемы для управления импульсными DC/DC-преобразователями реализуют с минимальным числом навесных компонентов DC/DC-преобразователи различной мощности. Для коммутации силовой цепи используются полевые МОП-транзисторы.
Специальные микросхемы для промышленных применений, к которым относятся:
· операционные усилители с напряжением питания 3–36 В и выходным током до 100 мА;
· интерфейсы цифровых датчиков и мощных транзисторов с высоковольтными цепями защиты (до 2000 В);
· разнообразные микросхемы защиты выходов от короткого замыкания, микросхемы реализации аварийных звуковых оповещателей (гонгов), регулировки мощности в нагрузке и другие изделия с расширенным температурным диапазоном.
Силовые полевые МОП-транзисторы выпускаются на рабочие напряжения 20–800 В. Могут быть использованы для управления как слаботочными, так и силовыми цепями.
Силовые БТИЗ для промышленного применения.
Диоды, мощные и диоды Шоттки, на напряжения 300, 600, 1200 В.
www.infenion.com
БЕСПРОВОДНОЙ ГОЛОСОВОЙ МОДУЛЬ (CVM) КОМПАНИИ NATIONAL SEMICONDUCTOR
Модуль реализован на базе микросхем SC14428 и LMX4168 (LMX4268). С его помощью можно передавать и принимать голосовую информацию на частоте 1,9 или 2,4 ГГц и данные со скоростью передачи 24 Кбит/с. Габаритные размеры изделия всего 45х26,5х5 мм, что позволяет использовать его в составе малогабаритного оборудования. Модуль работает в двух режимах: поддержки работы микротелефонной трубки только для обмена голосовой информацией (режим handset) и в базовом, поддерживающим как голосовой обмен, так и обмен данными. С помощью модуля могут быть реализованы беспроводные интерфейсы SPI или UART. В базовом режиме обеспечивается регистрация до шести микротелефонных трубок, различные режимы соединения и вызова. Предусмотрено до 10 мелодий вызова. Характеристики модуля:
Напряжение питания 2,5 В
Типовая выходная мощность 200 мВт
Чувствительность 93 дБм
Радиус действия 350 м (в зданиях 75 м)
Диапазон рабочих температур 10–60°С
Модуль предназначен для сотовых микросистем, беспроводных интерфейсов и сбора данных, систем связи транспортных средств, подключения периферии, систем оповещения.
www.national.com
ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ, ДЕШЕВЫЕ FPGA НА ОСНОВЕ ФЛЭШ-ПАМЯТИ
РЕАЛЬНАЯ АЛЬТЕРНАТИВА СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫМ ASIC-МИКРОСХЕМАМ
В январе 2005 года компания Actel сообщила о выпуске третьего поколения программируемых пользователем базовых матричных микросхем (FPGA) на основе флэш-технологии семейств ProASIC3 и ProSIC3E (ProASIC3/E). На сегодняшний день микросхемы этих двух семейств – единственные FPGA, в которых применяется пользовательская энергонезависимая флэш-память емкостью 1 Кбит (128x8 страниц). Логическая емкость новых микросхем (семи семейства ProASIC3 и трех семейства ProSIC3E) лежит в пределах от 30К до 3М системных вентилей. Микросхемы содержат шесть блоков формирования тактового импульса, в каждый из которых встроена схема ФАПЧ, двухпортовый СОЗУ емкостью 504 Кбит и до 616 пользовательских вводов/выводов, совместимых с 66-МГц/64-бит PCI-шиной. Напряжение питания ядра 1,5 В, рабочее напряжение блоков ввода/вывода – 1,5, 1,8, 2,5 и 3,3 В. Системная частота 350 МГц, коэффициент использования логических элементов 95%. При каждом включении питания не требуется дополнительной энергонезависимой памяти для хранения конфигурационных данных, что снижает стоимость системы и улучшает ее защиту и надежность. Реконфигурирование может выполняться внутрисистемно через интерфейс JTAG с помощью 128-бит алгоритма AES-стандарта, не опасаясь несанкционированного раскрытия или копирования ценной интеллектуальной собственности. Высокую защиту конфигурации обеспечивает и схема блокировки на базе флэш-памяти (FlashLock).
На хранимые в ячейках флэш-памяти данные не воздействуют высокоэнергетические нейтроны, благодаря чему новые микросхемы, в отличие от FPGA на базе СОЗУ, характеризуются достаточно высокой радиационной стойкостью.
Выполнены микросхемы семейств ProASIC3/E по 0,13-мкм LVMOS-технологии с семью уровнями металлизации (шесть – медных и один – алюминиевый). Логические и управляющие элементы, в том числе ФАПЧ, изготовлены по стандартной КМОП-технологии. В отличие от СОЗУ, каждая ячейка которых содержит шесть транзисторов, в ячейке флэш-памяти используется один транзистор, что обеспечивает большую экономию занимаемой площади и более высокий выход годных микросхем.
Компания уже начала опытные поставки входящей в семейство микросхемы А3Р600 с логической емкостью 600К системных вентилей и емкостью СОЗУ 108 Кбит. К массовому производству планируется приступить в четвертом квартале 2005 года. Начальная стоимость семи микросхем семейства ProASIC3 при закупке партии в 250 тыс. шт. составит менее 10 долларов.
Таким образом, микросхемы семейств ProASIC3/E – самые дешевые на сегодняшний день FPGA, представленные на мировом рынке. Они смогут найти широкое применение в бытовой аппаратуре, автомобильной электронике и других ценочувствительных системах. Согласно оценкам, продажи FPGA, характеризуемых самыми высокими темпами роста на рынке ПЛИС, в 2004 году составят 500 млн. долл., а в 2008-м достигнут 1,5 млрд. долл. Разработчики компании Actel – единственного поставщика FPGA с использованием флэш-технологии – считают, что для FPGA флэш-технология сыграет такую же роль, что и для мобильных телефонов, фотокамер и видеомагнитофонов. Память этого типа будет применяться в большей части программируемых пользователем микросхем с логической емкостью свыше 1 млн. системных вентилей. По мере усиления фактора своевременного выхода на рынок и стремительного роста производственных издержек FPGA быстро вторгаются в секторы рынка, где традиционно лидировали специализированные микросхемы типа ASIC, а благодаря низкой стоимости и надежной архитектуре с использованием флэш-памяти FPGA семейств ProASIC3/E смогут успешно стимулировать развитие всего рынка ПЛИС.
www.actel.com
НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ ПОЛУМОСТОВЫХ МОДУЛЕЙ SEMIXTM IGBT КОМПАНИИ SEMIKRON.
БОЛЬШАЯ МОЩНОСТЬ И МИНИМАЛЬНЫЕ ГАБАРИТЫ
Благодаря малой высоте корпуса (высота силовых выводов – 17 мм) новые модули семейства SEMiXTM обеспечивают почти двукратное увеличение плотности мощности по сравнению со стандартными 62-мм модулями с идентичными размерами силовых кристаллов. Конструктивные и электрические характеристики модулей SEMiX позволяют использовать их в широком спектре промышленных применений различного назначения и мощности. Конструктив семейства SEMiX – базовая платформа: модули различной мощности имеют идентичное конструкторское исполнение и отличаются только длиной. На сегодняшний день в семейство полумостовых модулей SEMiX входят компоненты трех типоразмеров для различных уровней мощности: SEMiX 2 – ток 190–470 А, 62х117 мм; SEMiX 3 – ток 250–700 А, 62х150 мм и SEMiX 4 – ток 600–900 А, 69х183 мм. В трехфазном исполнении предлагаются модули SEMiX 33 с током 250–700 А.
В модулях семейства SEMiX 126 и 176 серии с рабочим напряжением 1200 и 1700 В и рабочим током 200–700 А использованы кристаллы, выполненные по технологии Trench IGBT3, обеспечивающей сверхнизкие потери проводимости. В модулях 128 серии с рабочим напряжением 1200 В, предназначенных для работы на частотах свыше 6 кГц, применяются кристаллы SPT (Soft Punch Trough) IGBT, имеющие оптимальное сочетание потерь проводимости и переключения.
Для повышения надежности работы в динамических режимах и снижения уровня электромагнитных помех во всем диапазоне рабочих температур в модулях SEMiX использованы антипараллельные диоды с управляемым временем жизни носителей (Controlled Axial Lifetime – CAL). Диоды CAL позволяют применять SEMiX как в режиме "жесткого переключения", так и в резонансном режиме. Плавная кривая обратного восстановления CAL-диодов обеспечивает высокую электромагнитную совместимость компонентов в широком диапазоне токов и рабочих температур.
Основная особенность нового семейства IGBT модулей SEMiX – большой выбор конфигураций: они могут поставляться, как стандартные силовые модули или интеллектуальные модули (IPM) совместно со специализированными драйверами SKYPER. Для подключения платы управления в модулях предусмотрен сигнальный разъем. В исполнении IPM драйвер является составной частью конструкции. При изготовлении трехфазного инвертора может использоваться трехфазный модуль SEMiX 33 или три раздельных полумостовых модуля. При этом за счет разнесения локальных источников перегрева тепловое сопротивление снижается на 20%. При аналогичных условиях эксплуатации это означает увеличение допустимого тока на 15% или снижение температуры кристаллов на 10–15°С, что обеспечивает увеличение ресурса изделия.
Основные области применения нового поколения модулей SEMiX IGBT – приводы и силовые преобразователи, работающие в диапазоне мощности до 150 кВт.
Материал предоставлен ЗАО “Компел”.
www.compel.ru
Отзывы читателей
