Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "gaas"

Фотоника #4/2022
А. В. Наумов, В. В. Старцев
Получение методами кристаллизации из расплава некоторых объемных кристаллов фотоники в России. Часть 1

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.4.272.286 В работе представлен обзор современного состояния методов получения некоторых объемных кристаллов фотоники из расплава. В первой части обзора дан анализ текущего состояния дел в России для некоторых промышленно важных кристаллов фотоники. Отмечены факторы, являющиеся значимыми для современного производства, а также определяющими факторами для контроля состава, структуры, морфологии и других свойств промышленных оптических материалов.

Электроника НТБ #4/2018
А. Гасанов, А. Наумов
Промышленное производство галлия и индия: современное состояние и прогнозы

Представлен обзор мирового и российского рынков галлия и индия – исходных материалов для синтеза полупроводниковых соединений современной СВЧ-техники (GaAs, InP). УДК 621.315.592 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.175.4.156.162

Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Хлыбов Александр Иванович, Родионов Денис Владимирович
Экстракция параметров модели HEMT-транзистора на основе исследований рефлектометрическим методом

В работе продемонстрирована возможность временного метода для исследования параметров НЕМТ транзистора. Показано применение рефлектометрического метода к задаче экстракции параметров малосигнальной модели HEMT транзистора. Измерены параметры HEMT транзистора в динамическом режиме (входная и проходная емкости, сопротивление канала в крутой и пологой областях, крутизна транзистора). УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.481