Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "reram"

Электроника НТБ #4/2022
И. Черепанов, М. Макушин
ЦИФРОВЫЕ ИС: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ СХЕМ ПАМЯТИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В СИСТЕМАХ ИИ

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.215.4.76.88 Анализируются тенденции развития сектора схем памяти. Большое внимание уделено освоению подходов 3D-интеграции, в том числе созданию приборов, сочетающих этажерки памяти и слои логических приборов, процессорных ядер и т. п.

Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Антон Олегович, Иванов Сергей Владимирович, Воронов Даниил Дмитриевич, Орлов Олег Михайлович
Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния

В работе будут представлены экспериментальные данные, демонстрирующие наличие проблемы с повторяемостью и воспроизводимостью электрофизических характеристик ячеек ReRAM. Также будет представлен обзор методов улучшения стабильности характеристик, произведен анализ их применимости к имеющимся образцам памяти. Будут предложены различные схемотехниченские и структурные изменения ячеек для повышения стабильности характеристик. УДК 004.076.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.234.235