sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)
Книги по электронике
Статьи
Электроника НТБ #8/2025
Колонка Департамента радиоэлектронной промышленности
Электроника НТБ #6/2025
КОЛОНКА ДЕПАРТАМЕНТА РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Репортажи
//
все
Электроника НТБ #3/2025
ВИЗИТ НА ПР-ВО АО «КРАСНОЗНАМЕНСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ «АРСЕНАЛ»
Электроника НТБ #10/2024
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБОРУДОВАНИЯ. ВИЗИТ НА ПРОИЗВОДСТВО ООО «ПРОТЕХ»
Новости
//
все новости
31.10.2025
Опубликована деловая программа выставки-форума «Электроника России» 2025
28.10.2025
Международная выставка «Интерполитех» стартовала в Москве
События
//
все события
c 25.11.2025 до 27.11.2025
4-я Международная выставка-форум «Электроника России». г. Москва, МВЦ «Крокус Экспо»
c 24.03.2026 до 25.03.2026
XXVII Сибирский промышленно-инновационном форум «ПРОМТЕХЭКСПО». г. Омск
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
Медиаданные:
О журнале
Учредитель
Издатель
Редакционный совет
Распространение_
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Реклама:
Отдел рекламы
В журнале
На сайте
Авторам:
Соискателям учёной степени
Требования к статьям
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по электронике
читать книгу
Неволин В.К.
Зондовые нанотехнологии в электронике. Издание 2-е, исправленное. / Электронная книга
читать книгу
Под ред. Б.М. Малашевича
Александр Анатольевич ВАСЕНКОВ. Созидатели отечественной электроники. Вып.1
читать книгу
Под редакцией Удда Э.
Волоконно-оптические датчики
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "межсоединения"
Электроника НТБ #5/2025
Д. Суханов
СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ГЕТЕРОГЕННОЙ ИНТЕГРАЦИИ ЧИПЛЕТОВ
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.246.5.104.108 Системы на основе чиплетов обеспечивают ряд преимуществ с точки зрения проектирования и производства, но в то же время требуют внедрения усовершенствованных технологий корпусирования и гетерогенной интеграции. В статье представлен обзор современных методов создания межсоединений в чиплетных системах.
Электроника НТБ #5/2021
М. Макушин
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ IPD – ТЕХНОЛОГИИ, ПЕРСПЕКТИВЫ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.206.5.46.51 Анализуется структура рынка IPD, дается прогноз на 2025 год. Рассматриваются технология IPD и специальная платформа проектирования IPD.
Наноиндустрия #2/2020
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Формирование контактно-металлизационных систем с улучшенными технологическими параметрами
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.122.125 Показаны технологические подходы, улучшающие адгезию металлизации, уменьшающие структурные напряжения в пленке при осаждении и электромиграцию при формировании контактно-металлизационных систем элементов ИЭ.
Наноиндустрия #2/2020
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Элементно-технологическая и конструктивная интеграции при создании микроэлектронных приборных структур
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.108.112 При изготовлении микроэлектронных приборных структур (МПС) с субмикронными размерами усиливается связь между их параметрами и технологией изготовления. Физико-технологическое моделирование позволяет прогнозировать характеристики МПС и устанавливать корреляции технологических и электрических параметров элементов, оптимально их проектировать.
Наноиндустрия #6/2019
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Формирование многоуровневой системы межсоединений и повышение воспроизводимости процесса при создании элементов интегральной электроники
DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.6.338.341 Показано формирование многоуровневой системы межсоединений (МСМ) в элементах интегральной электроники, определены влияющие факторы, пути снижения внутренних напряжений и обеспечение адгезии. Показано, что МСМ обеспечивает создание надежных и стабильных элементов и воспроизводимость получения МСМ.
Электроника НТБ #8/2014
А.Нисан, С.Бонапартов
Аэрозольная печать: технология и варианты применения
Сегодня активно развивается технология аэрозольной печати – метод аддитивного производства элементов и межсоединений, при котором мельчайшие капельки материала наносятся аэродинамически-сфокусированной струей на трехмерное основание селективно, без использования масок. Принцип работы аэрозольной печати и для каких целей она применяется обсуждаются в статье.
Печатный монтаж #5/2012
А.Медведев
перспективы развития технологий электрических межсоединений в электронном приборостроении
Сегодня мировая электроника стоит на пороге очередной генерации технологий межсоединений, чтобы соответствовать растущей интеграции электронной компонентной базы. В этом плане российским предприятиям предстоит решать задачи Государственной программы "Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности" на 2020–2025 годы. Будет ли развитие электроники по-прежнему подчиняться закону Мура? Будет ли вслед за этим увеличиваться плотность межсоединений по правилу Рента? Постараемся ответить на эти вопросы.
Наноиндустрия #2/2012
М.Белкин, А.Сигов
Исследование проблем при создании оптических межсоединений
Преимущества оптоэлектронного подхода позволяют сделать вывод о его перспективности для замены электрических межсоединений в кремниевых ИС. Однако при его широком внедрении возникают серьезные технико-экономические проблемы. Этот подход, известный уже более 20 лет, все еще находится на начальной стадии технологического развития в части его применения в гибридных ИС и монолитных ИС.
Наноиндустрия #1/2012
М.Белкин, А.Сигов
Оптические межсоединения в интегральных схемах
Исследуется применение оптоэлектронного подхода для формирования соединительных линий между кристаллами и внутри кристаллов больших цифровых и аналоговых интегральных микросхем (ИС) на кремниевых подложках. Рассмотрены наиболее близкие к практической реализации методы межсоединений в гибридных и монолитных ИС, анализируются потенциальные преимущества и проблемы оптоэлектронного подхода.
Разработка: студия
Green Art