sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2026
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)
Книги по электронике
Статьи
Электроника НТБ #1/2026
ПРОБЛЕМНЫЕ ВОПРОСЫ КОММЕРЦИАЛИЗАЦИИ И ВЫВОДА НА ГРАЖДАНСКИЙ РЫНОК ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ПАССИВНЫХ КОМПОНЕНТОВ. РАСШИРЕННОЕ ЗАСЕДАНИЕ ЭКСПЕРТНОГО СОВЕТА КОНСОРЦИУМА «ПАССИВНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ»
Электроника НТБ #10/2025
Статьи и материалы, опубликованные в журнале «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес» в 2025
Репортажи
//
все
Электроника НТБ #3/2025
ВИЗИТ НА ПР-ВО АО «КРАСНОЗНАМЕНСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ «АРСЕНАЛ»
Электроника НТБ #10/2024
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБОРУДОВАНИЯ. ВИЗИТ НА ПРОИЗВОДСТВО ООО «ПРОТЕХ»
Новости
//
все новости
20.02.2026
Дорогие мужчины! С 23 февраля!
13.02.2026
РИММ-2026: релиз второго дня форума
События
//
все события
c 12.03.2026 до 13.03.2026
Форум «Безопасность ТЭК» 2026: Робототехника и искусственный интеллект для цифровой трансформации ТЭК. г. Москва
c 24.03.2026 до 25.03.2026
XXVII Сибирский промышленно-инновационном форум «ПРОМТЕХЭКСПО». г. Омск
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2026
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
Медиаданные:
О журнале
Учредитель
Издатель
Редакционный совет
Распространение_
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Реклама:
Отдел рекламы
В журнале
На сайте
Авторам:
Соискателям учёной степени
Требования к статьям
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по электронике
читать книгу
Топильский В.Б.
Схемотехника аналого-цифровых преобразователей
читать книгу
Белоус А.И., Солодуха В.А.
Основы кибербезопасности. Cтандарты, концепции, методы и средства обеспечения
читать книгу
Уразаев В.
Влагозащита печатных узлов
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "диоксид кремния"
Наноиндустрия #3-4/2025
Е.В.Панфилова, В.А.Дюбанов, А.Р.Ибрагимов, О.М.Ибрагимова, Д.Ю.Шрамко, Као Ван Хоа, И.И.Юрасова, А.Н.Двинянинов
ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК SiO2 С РЕГУЛИРУЕМЫМ КОЛИЧЕСТВОМ СЛОЕВ МЕТОДАМИ УПРАВЛЯЕМОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ
DOI:
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.3-4.212.220
Фотонно-кристаллические сверхрешетки на основе сферических микрочастиц диоксида кремния обладают уникальными структурными, механическими, химическими и оптическими свойствами. Благодаря экономичной, основанной на самоорганизации технологии их формирования и широкому спектру возможных применений в микро- и наноэлектронике, фотонике и лазерной технике они являются одним из наиболее перспективных материалов наноинженерии. Для перехода к практическому использованию разработок в этой области необходимо научиться получать структуры с управляемыми параметрами. Поэтому цель данной работы заключалась в разработке научных и технических решений, позволяющих реализовывать управляемую самоорганизацию сферических частиц в пленочную структуру с регулируемым количеством слоев.
Наноиндустрия #7-8/2023
Л.И.Кравец, В.А.Алтынов, Р.В.Гайнутдинов, Е.В.Шестериков, И.В.Кулинич, С.И.Твердохлебов
ФОРМИРОВАНИЕ КОМПОЗИЦИОННЫХ МЕМБРАН С АСИММЕТРИЕЙ ПРОВОДИМОСТИ МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
DOI:
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.7-8.416.425
Проведено исследование поверхностных и электрохимических свойств трековой мембраны из полиэтилентерефталата, на одну из сторон которой методом плазмохимического осаждения из газовой фазы смеси силана и закиси азота наносили наноразмерные покрытия из диоксида кремния. Показано, что осаждение слоя диоксида кремния на поверхность мембраны приводит к созданию композиционных мембран, обладающих в растворах электролитов асимметрией проводимости.
Электроника НТБ #6/2019
В. Иванов
Хлорирование в солевом расплаве в технологии производства поликристаллического кремния
Для снижения себестоимости поликремния предлагается в качестве сырья использовать материалы, содержащие диоксид кремния. Описаны процесс хлорирования кремнезема в соляном расплаве и применяющиеся сырьевые материалы. Определены расходы основных сырьевых материалов, их стоимость в традиционной и предлагаемой новой технологии производства поликремния. Проведен сравнительный анализ расчетных значений. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.154.160
Разработка: студия
Green Art