Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2026
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "mos transistor"

Наноиндустрия #9/2018
Слепцов Евгений Васильевич, Черных Алексей Владимирович, Черных Сергей Владимирович, Слепцова Анастасия Алексеевна, Кондратьев Евгений Сергеевич, Гладышева Надежда Борисовна, Дорофеев Алексей Анатольевич, Диденко Сергей Иванович
Исследование барьеров Шоттки на основе Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к AlGaN/GaN гетероструктурам

В настоящей работе проведено исследование влияния отжига в диапазоне температур от 300 до 650 °C на параметры барьера Шоттки и тока утечки контактов Шоттки Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN. УДК 621.382.032.27 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.264.265

Наноиндустрия #9/2018
Сивченко Александр Сергеевич, Кузнецов Евгений Васильевич
Определение основных параметров надежности КМОП процесса полупроводниковой фабрики

В данной работе предложен подход по оценке надежности технологии КМОП ИС. Для этого разработаны методики исследований, автоматизированные программы измерений на их основе и тестовые структуры. Данные методики позволяют проводить исследования по оценке качества подзатворного диэлектрика МОП транзисторов, их стойкости к воздействию горячих носителей и изменению параметров под воздействием высокой температуры при отрицательном напряжении, а также определять надежность шин металлизации и переходных окон к электромиграции. Разработанные методики прошли апробацию на тестовых структурах, изготовленных по технологии 65 нм. Предложенный подход может быть использован на фабриках по производству КМОП ИС для контроля качества технологических процессов, от которых зависят основные характеристики надежности КМОП ИС, а также дизайн-центрами для оценки надежности технологии полупроводниковой фабрики. УДК 621.3.049 .77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.257.263

Наноиндустрия #7/2016
А.Бенедиктов, П.Игнатов
Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе

Рассмотрены особенности движения основных носителей зарядов в пространстве между стоком и истоком КНИ МОП-транзисторов при различных температурах окружающей среды. Смоделированы состояния полного и частичного обеднения транзисторов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.102.109

Наноиндустрия #5/2016
Д.Андреев, Д.Атамась, Д.Копцев, О.Ковалева
Библиотека кремниевых КМОП СВЧ-элементов и сложно-функциональных блоков для построения приемо-передающих модулей

Разработана библиотека СВЧ-элементов и сложно-функцио-нальных блоков, позволяющая корректно моделировать электрические характеристики СВЧ-транзисторов на частотах до 12 ГГц. DOI:10.22184/1993-8578.2016.67.5.46.57

Электроника НТБ #9/2014
В.Ракитин
МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

Рассмотрен новый тип приборов с нанометровыми размерами – совмещенный МОП-транзистор (СМОП). Описана конструкция и принцип его работы. Проведено моделирование СМОП с минимальным топологическим размером 10 нм и показана его работоспособность при напряжении вплоть до 0,1 В.

Электроника НТБ #5/2015
П.Пастухов, П. Леонов
Быстродействующие ОЗУ – проблемы создания

В статье анализируются проблемы создания современных СОЗУ с высокими информационной емкостью и быстродействием.