Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "memristor"

Электроника НТБ #7/2023
Д. Пермяков, А. Строгонов
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕДИ И ОЛОВА

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.228.7.184.190 В статье описан способ формирования мемристорной структуры методом спрей-пиролиза оксида олова и электрохимического осаждения оксида меди. Обсуждаются результаты измерения электрических характеристик полученного мемристора, проанализированы факторы, влияющие на воспроизводимость его свойств.

Электроника НТБ #2/2021
В. Ежов
НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ КАК ИНСТРУМЕНТ РЕАЛИЗАЦИИ ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.203.2.82.92 Проектирование нейроморфных систем, способных имитировать биологические нейроны и синапсы, моделировать когнитивные процессы человеческого мозга, рассматривается как одно из ключевых направлений в области искусственного интеллекта. В статье рассмотрены общие принципы построения нейроморфных систем и способы реализации нейронных сетей, представлен обзор перспективных проектов в области нейроморфных вычислений.

Электроника НТБ #9/2020
С. Щаников, А. Зуев, И. Борданов, С. Данилин, В. Лукоянов, Д. Королев, А. Белов, Я. Пигарева, А. Гладков, А. Пимашкин, А. Михайлов, В. Казанцев
ИСКУССТВЕННАЯ НЕЙРОННАЯ СЕТЬ НА ОСНОВЕ МЕМРИСТИВНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ДВУНАПРАВЛЕННОГО АДАПТИВНОГО НЕЙРОИНТЕРФЕЙСА

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.200.9.86.95 Рассмотрено создание нейроинтерфейса для двунаправленной связи между выращенной в микрофлюидном чипе биологической нейронной сетью (БНС) диссоциированных клеток гиппокампа и искусственной нейронной сетью (ИНС) с синапсами на базе массивов металл-оксидных мемристивных устройств.

Наноиндустрия #5/2017
С.Удовиченко, А.Писарев, А.Бусыгин, О.Маевский
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора

Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34

Наноиндустрия #1/2016
А.Петров, Л.Алексеева, А.Иванов, В.Лучинин, А.Романов, T.Чикев, Т.Набатамэ
На пути к нейроморфной мемристорной компьютерной платформе

Эффекты переключения сопротивления в наноразмерных пленках открыли перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данные сохраняются за счет изменения сопротивления материала. DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109

Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь
МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки".

Электроника НТБ #9/2014
В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ

В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм.

Электроника НТБ #8/2010
Н.Елисеев.
Мемристоры и кроссбары. Нанотехнологии для процессоров

Микропроцессоры сейчас быстро приближаются к технологическим пределам своей производительности. Поэтому в последние годы идет активный поиск новых направлений развития процессорной техники, отличных от доминирующих сегодня КМОП-технологий. Элементы новых процессоров должны иметь размеры порядка нанометров, и, соответственно, решения для их создания лежат в области нанотехнологий. К счастью, оказалось, что именно в наномасштабах проявляются свойства материалов, позволяющие реализовать новые подходы к созданию процессорных устройств. Один из таких подходов разрабатывает компания Hewlett Packard (HP). В его основе лежат два ключевых элемента: мемристоры и кроссбары.