eng
DOI: 10.22184/1992-4178.2017.168.7.106.107
30 лет назад В.Г.Мокеров начал работу по формированию научного коллектива института: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода "Микрон" (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН. В созданном В.Г.Мокеровым научном коллективе с 1983 года трудится заведующий лабораторией, д. ф.‑ м. н. Г.Б.Галиев. В 2002 году ИСВЧПЭ РАН стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г.Мокеров возглавлял до 2008 года. В 2008–2009 годах институтом руководил д. ф.‑ м. н. Ю.А.Матвеев, с 2010 по 2016-й – профессор П.П.Мальцев, д.т.н., заслуженный деятель науки Российской Федерации. С 2016 года институт возглавляет д.т.н., профессор С.А.Гамкрелидзе.
Возраст 70% сотрудников научного коллектива института не превышает 39 лет.
Деятельность института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники по следующим направлениям:
• технология и физика квантово-размерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;[1]
• расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов для частот до 200–250 ГГц и выше;
• разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями (диапазон частот до 50–250 ГГц) и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т. д.;
• микро- и нанотехнологии формирования короткоканальных гетероструктурных СВЧ-приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
• разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ- и КВЧ-электроники.
ИСВЧПЭ РАН – лидер в России в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ-электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ-электроники в России и в мире.
В институте создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем, которым руководит главный конструктор – заместитель директора по НИОКР Ю.В.Фёдоров. Разрабатываемые инновационные технологии апробируются на базе технологического комплекса института, который постоянно совершенствуется и оснащается новым технологическим и контрольно-измерительным оборудованием.
ИСВЧПЭ РАН поддерживает тесные научно-производственные связи с ведущими предприятиями радиоэлектронной промышленности: АО "ГЗ "Пульсар", АО "НПП "Исток" им. А.И.Шокина", АО "НПП "Пульсар", ОАО "ОКБ-Планета", ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон", АО "НПО "Орион", ПАО "Радиофизика" (входит в АО "Концерн ВКО "Алмаз-Антей"), ОАО "Радиосвязь" и др. Основная форма сотрудничества – совместное выполнение НИОКР в рамках государственного оборонного заказа, государственных программ развития оборонно-промышленного комплекса и радиоэлектронной промышленности.
В настоящее время ИСВЧПЭ РАН организует систему комплексной логистики по внедрению результатов исследований и разработок непосредственно в промышленное производство ведущих предприятий – изготовителей перспективных изделий СВЧ-электроники. Для этого по инициативе ИСВЧПЭ РАН создан Центр "Электронная компонентная база СВЧ-техники, перспективные технологии и материалы", который обеспечивает оперативное организационно-техническое и научно-производственное взаимодействие сторон при выполнении ОКР, прежде всего по импортозамещению ЭКБ, и выполнении фундаментальных, поисковых и прикладных исследований по формированию научно-технического задела в области СВЧ-приборов и устройств, в частности, на базе новых физических принципов.
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар "Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем", которым руководит член-корреспондент РАН, д. ф.‑ м. н. В.И.Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России. Итоговые научные публикации сотрудников института в 2017 году приведены в списке литературы [1–12].
За выдающиеся научные результаты коллектив ИСВЧПЭ РАН награжден Почетной грамотой ФАНО России в связи с 15-летием.
ЛИТЕРАТУРА
1. Алфёров Ж.И., Зубов Ф.И., Цырлин Г.Э., Жуков А.Е., Щаврук Н.В., Павлов А.Ю., Пономарёв Д.С., Клочков А.Н., Хабибуллин Р.А., Мальцев П.П. Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 259–265.
2. Рыжий В.И., Рыжий М.B., Отсуджи Т. На пути к реализации терагерцовых лазеров на основе графеновых гетероструктур // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 265–273.
3. Фёдоров Ю.В., Бугаев А.С., Павлов А.Ю., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н., Томош К.Н., Енюшкина Е.Н., Галиев Р.Р., Майтама М.В., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Гамкрелидзе С.А. Технология изготовления и разработка монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5.
С. 273–294.
4. Бугаев А.С., Глинский И.А., Пушкарёв С.С., Лаврухин Д.В., Ячменев А.Э., Хабибуллин Р.А., Пономарёв Д.С. Разработка материалов и фотопроводящих антенн на их основе для генерации и детектирования импульсного и непрерывного терагерцового (ТГц) излучения // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 294–302.
5. Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Рубан О.А., Алешин А.Н. Неразрушающие методы контроля арсенидных и нитридных гетероструктур с квантовой ямой // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 259–265.
6. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. Разделение полупроводниковых пластин из твердого материала на кристаллы // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 317–320.
7. Галиев Г.Б., Буряков А.М., Билык В.Р., Хусяинов Д.И., Мишина Е.Д., Климов Е.А, Клочков А.Н., Пушкарёв С.С., Васильевский И.С., Грехов М.М., Трунькин И.Н., Васильев А.Л. Терагерцевое излучениe эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
8. Алёшин А.Н. Изучение деформационного поля в слоях метаморфного ступенчатого буфера на основе тройных растворов InxAl1-xAs методом построения карт обратного пространства // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
9. Павлов А.Ю. Переход от сплавной к несплавной технологии омических контактов при росте диапазона рабочих частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9.
С. 322–322.
10. Дашков А.В., Щаврук Н.В., Щеглова Т.А., Тарасов Н.С., Мальцев П.П., Хабибуллин Р.А. Апробация способа изготовления контейнеров из антистатического материала для полупроводниковых кристаллов сложной формы на основе 3D-печати // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
11. Белкин М.Е., Клюшник Д.А., Фофанов Д.А. Характеристики электрооптического преобразования современных лазерных излучателей при распределении по оптическому волокну опорных радиосигналов дециметрового диапазона // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
12. Матвеенко О.С. Интегрированные антенны для использования в системах на кристалле // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
Возраст 70% сотрудников научного коллектива института не превышает 39 лет.
Деятельность института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники по следующим направлениям:
• технология и физика квантово-размерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;[1]
• расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов для частот до 200–250 ГГц и выше;
• разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями (диапазон частот до 50–250 ГГц) и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т. д.;
• микро- и нанотехнологии формирования короткоканальных гетероструктурных СВЧ-приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
• разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ- и КВЧ-электроники.
ИСВЧПЭ РАН – лидер в России в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ-электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ-электроники в России и в мире.
В институте создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем, которым руководит главный конструктор – заместитель директора по НИОКР Ю.В.Фёдоров. Разрабатываемые инновационные технологии апробируются на базе технологического комплекса института, который постоянно совершенствуется и оснащается новым технологическим и контрольно-измерительным оборудованием.
ИСВЧПЭ РАН поддерживает тесные научно-производственные связи с ведущими предприятиями радиоэлектронной промышленности: АО "ГЗ "Пульсар", АО "НПП "Исток" им. А.И.Шокина", АО "НПП "Пульсар", ОАО "ОКБ-Планета", ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон", АО "НПО "Орион", ПАО "Радиофизика" (входит в АО "Концерн ВКО "Алмаз-Антей"), ОАО "Радиосвязь" и др. Основная форма сотрудничества – совместное выполнение НИОКР в рамках государственного оборонного заказа, государственных программ развития оборонно-промышленного комплекса и радиоэлектронной промышленности.
В настоящее время ИСВЧПЭ РАН организует систему комплексной логистики по внедрению результатов исследований и разработок непосредственно в промышленное производство ведущих предприятий – изготовителей перспективных изделий СВЧ-электроники. Для этого по инициативе ИСВЧПЭ РАН создан Центр "Электронная компонентная база СВЧ-техники, перспективные технологии и материалы", который обеспечивает оперативное организационно-техническое и научно-производственное взаимодействие сторон при выполнении ОКР, прежде всего по импортозамещению ЭКБ, и выполнении фундаментальных, поисковых и прикладных исследований по формированию научно-технического задела в области СВЧ-приборов и устройств, в частности, на базе новых физических принципов.
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар "Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем", которым руководит член-корреспондент РАН, д. ф.‑ м. н. В.И.Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России. Итоговые научные публикации сотрудников института в 2017 году приведены в списке литературы [1–12].
За выдающиеся научные результаты коллектив ИСВЧПЭ РАН награжден Почетной грамотой ФАНО России в связи с 15-летием.
ЛИТЕРАТУРА
1. Алфёров Ж.И., Зубов Ф.И., Цырлин Г.Э., Жуков А.Е., Щаврук Н.В., Павлов А.Ю., Пономарёв Д.С., Клочков А.Н., Хабибуллин Р.А., Мальцев П.П. Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 259–265.
2. Рыжий В.И., Рыжий М.B., Отсуджи Т. На пути к реализации терагерцовых лазеров на основе графеновых гетероструктур // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 265–273.
3. Фёдоров Ю.В., Бугаев А.С., Павлов А.Ю., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н., Томош К.Н., Енюшкина Е.Н., Галиев Р.Р., Майтама М.В., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Гамкрелидзе С.А. Технология изготовления и разработка монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5.
С. 273–294.
4. Бугаев А.С., Глинский И.А., Пушкарёв С.С., Лаврухин Д.В., Ячменев А.Э., Хабибуллин Р.А., Пономарёв Д.С. Разработка материалов и фотопроводящих антенн на их основе для генерации и детектирования импульсного и непрерывного терагерцового (ТГц) излучения // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 294–302.
5. Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Рубан О.А., Алешин А.Н. Неразрушающие методы контроля арсенидных и нитридных гетероструктур с квантовой ямой // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 259–265.
6. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. Разделение полупроводниковых пластин из твердого материала на кристаллы // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 5. С. 317–320.
7. Галиев Г.Б., Буряков А.М., Билык В.Р., Хусяинов Д.И., Мишина Е.Д., Климов Е.А, Клочков А.Н., Пушкарёв С.С., Васильевский И.С., Грехов М.М., Трунькин И.Н., Васильев А.Л. Терагерцевое излучениe эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
8. Алёшин А.Н. Изучение деформационного поля в слоях метаморфного ступенчатого буфера на основе тройных растворов InxAl1-xAs методом построения карт обратного пространства // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
9. Павлов А.Ю. Переход от сплавной к несплавной технологии омических контактов при росте диапазона рабочих частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9.
С. 322–322.
10. Дашков А.В., Щаврук Н.В., Щеглова Т.А., Тарасов Н.С., Мальцев П.П., Хабибуллин Р.А. Апробация способа изготовления контейнеров из антистатического материала для полупроводниковых кристаллов сложной формы на основе 3D-печати // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
11. Белкин М.Е., Клюшник Д.А., Фофанов Д.А. Характеристики электрооптического преобразования современных лазерных излучателей при распределении по оптическому волокну опорных радиосигналов дециметрового диапазона // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
12. Матвеенко О.С. Интегрированные антенны для использования в системах на кристалле // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 322–322.
Отзывы читателей
