Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "power amplifier"

Электроника НТБ #10/2021
Д. Садеков
ВЧ-УСИЛИТЕЛИ ОТ ANALOG DEVICES: ОБЗОР НОВИНОК

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.102.105 Analog Devices предлагает все необходимые компоненты для построения сигнальной цепи преобразования ВЧ/СВЧ-сигналов и создания устройств, работающих на частотах до 100 ГГц. В статье представлен обзор новинок в линейке ВЧ-усилителей, выпущенных компанией за последнее время.

Электроника НТБ #10/2020
С.Тарасов, Д.Колесников, Г.Глушков, М.Полунин, С.Рябыкин, А.Ткачев
ВОЗМОЖНА ЛИ ЗАМЕНА ИМПОРТНЫХ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ИЗВЕСТНЫХ МИРОВЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ НА ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ?

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.100.104 В статье рассмотрены результаты измерения параметров GaN HEMT-транзистора производства АО «ПКК Миландр» в составе тестового усилителя мощности при работе в непрерывном режиме в диапазоне частот 3,4–3,8 ГГц, проведено сравнение полученных данных с характеристиками GaN-транзистора CGHV40030F от компании Wolfspeed. Представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в области СВЧ GaN HEMT-транзисторов для широкого диапазона частот и силовых транзисторов.

Электроника НТБ #6/2018
Р. Смит, Л. Девлин, Р. Сантакумар, Р. Мартин, Г. Кон
Экономически выгодный согласованный по входу гибридный GaN-транзистор для применения в радарах S-диапазона

Рассмотрен GaN-транзистор QPD1020, в котором используется внутренняя входная согласующая цепь, реализованная на GaAs-кристалле. Отмечено, что данный транзистор обладает характеристиками, которые позволяют успешно использовать его в радиолокационных приложениях S-диапазона. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.177.6.74.78 УДК 621.382 | ВАК 05.27.01

Электроника НТБ #9/2017
Дж.М.Грин, Р.М.Х.Смит, Л.М.Дэвлин, Р.Сантакумар, Р.Мартин, Г.Кон
Усилитель мощности L-диапазона на базе GaN-транзистора

Рассмотрен усилитель мощности на базе GaN-транзистора QPD1013 компании Qorvo. Особое внимание уделено вопросам теплового режима, актуальным при использовании мощных GaN-транзисторов в корпусах для поверхностного монтажа. УДК 621.382 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.170.9.98.103

Электроника НТБ #6/2017
Э.Колон, Р.Сетти, М.Мордкович, В.Ченг, Дж.Куинн, Дж.Ньюболд, Б.Каплан
Практическая схема с расширенной полосой частот на основе СВЧ МИС усилителей мощности

Рассмотрена практическая схема с расширенным диапазоном частот на основе усилителей мощности GVA-91+ компании Mini-Circuits. Приводятся результаты измерений, показывающие отличные характеристики схемы в широком диапазоне частот. УДК 621.375.026 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.166.6.118.121

Электроника НТБ #10/2015
Ж.-П.Гильме
Измерение параметров усилителя мощности в импульсных режимах: использование ВАЦ Anritsu VectorStar

Рассматривается применение векторных анализаторов цепей (ВАЦ) для измерения параметров усилителя мощности в импульсных режимах. Новый метод измерений, реализованный в ВАЦ VectorStar компании Anritsu, повышает точность отслеживания изменений в импульсных выходных сигналах усилителя мощности на базе нитрида галлия.

Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах

В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51