eng
Выпуск #10/2020
С.Тарасов, Д.Колесников, Г.Глушков, М.Полунин, С.Рябыкин, А.Ткачев
ВОЗМОЖНА ЛИ ЗАМЕНА ИМПОРТНЫХ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ИЗВЕСТНЫХ МИРОВЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ НА ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ?
ВОЗМОЖНА ЛИ ЗАМЕНА ИМПОРТНЫХ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ИЗВЕСТНЫХ МИРОВЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ НА ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ?
Просмотры: 267
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.100.104
В статье рассмотрены результаты измерения параметров GaN HEMT-транзистора производства АО «ПКК Миландр» в составе тестового усилителя мощности при работе в непрерывном режиме в диапазоне частот 3,4–3,8 ГГц, проведено сравнение полученных данных с характеристиками GaN-транзистора CGHV40030F от компании Wolfspeed. Представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в области СВЧ GaN HEMT-транзисторов для широкого диапазона частот и силовых транзисторов.
Теги: hemt microwave gan transistor power amplifier power transistors wide band gap semiconductors свч gan-транзистор силовые транзисторы усилитель мощности широкозонные полупроводники
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В статье рассмотрены результаты измерения параметров GaN HEMT-транзистора производства АО «ПКК Миландр» в составе тестового усилителя мощности при работе в непрерывном режиме в диапазоне частот 3,4–3,8 ГГц, проведено сравнение полученных данных с характеристиками GaN-транзистора CGHV40030F от компании Wolfspeed. Представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в области СВЧ GaN HEMT-транзисторов для широкого диапазона частот и силовых транзисторов.
Теги: hemt microwave gan transistor power amplifier power transistors wide band gap semiconductors свч gan-транзистор силовые транзисторы усилитель мощности широкозонные полупроводники
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
