eng
Выпуск #9/2023
К. Дудинов, Н. Заднепряная
ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА
ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА
Просмотры: 265
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127
Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F-класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.
Теги: 0.25 µm topology 25 мкм bandwidth design gaas phemt output power phemt на gaas quality factor выходная мощность добротность полоса пропускания проектирование топология 0
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F-класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.
Теги: 0.25 µm topology 25 мкм bandwidth design gaas phemt output power phemt на gaas quality factor выходная мощность добротность полоса пропускания проектирование топология 0
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
