eng
Выпуск #9/2025
Д. Суханов
ОПТИМИЗАЦИЯ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНОГО СЛОЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ СТРУКТУР TSV
ОПТИМИЗАЦИЯ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНОГО СЛОЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ СТРУКТУР TSV
Просмотры: 2
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.251.9.98.102
В статье представлен обзор методов оптимизации процесса травления оксидного слоя при формировании структур сквозных кремниевых межсоединений (TSV). Анализируется их влияние на качество и надежность 3D-интеграции полупроводниковых устройств.
Ключевые слова: сквозные кремниевые межсоединения, скорость травления, оксидный изолирующий слой, пассивационная пленка
Теги: etch rate insulating oxide layer passivation film through-silicon-via
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В статье представлен обзор методов оптимизации процесса травления оксидного слоя при формировании структур сквозных кремниевых межсоединений (TSV). Анализируется их влияние на качество и надежность 3D-интеграции полупроводниковых устройств.
Ключевые слова: сквозные кремниевые межсоединения, скорость травления, оксидный изолирующий слой, пассивационная пленка
Теги: etch rate insulating oxide layer passivation film through-silicon-via
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
