Выпуск #4/2026
В. Кочемасов, Т. Косичкина
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 1
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 1
Просмотры: 25
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.52.59
Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных
и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности СВЧ-диапазона.
Теги: gallium nitride high electron mobility transistors microwave devices power amplifiers wide band gap нитрид галлия свч-устройства транзисторы с высокой подвижностью электронов усилители мощности широкая запрещенная зона
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных
и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности СВЧ-диапазона.
Теги: gallium nitride high electron mobility transistors microwave devices power amplifiers wide band gap нитрид галлия свч-устройства транзисторы с высокой подвижностью электронов усилители мощности широкая запрещенная зона
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
eng




