DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.96.104
В статье проведен анализ этапов технологического цикла изготовления n-канального МОП-транзистора по заданным параметрам и построение модели этого транзистора
в САПР TCAD. Выполнено сравнение параметров и характеристик построенной модели с заявленными в технологическом задании.

sitemap

Разработка: студия Green Art