eng
Выпуск #5/2026
В. Кочемасов, Т. Косичкина
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 2
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 2
Просмотры: 4
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.257.5.126.134
Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности
СВЧ-диапазона
Теги: нитрид галлия свч-устройства транзисторы с высокой подвижностью электронов усилители мощности широкая запрещенная зона
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности
СВЧ-диапазона
Теги: нитрид галлия свч-устройства транзисторы с высокой подвижностью электронов усилители мощности широкая запрещенная зона
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
