eng
Выпуск #6/2026
Р. Шахмаева, Г. Ирзаев
ТЕХНОЛОГИЯ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ ЗОЛОТА В РАБОЧУЮ ОБЛАСТЬ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛА МОЩНОГО ТРАНЗИСТОРА
ТЕХНОЛОГИЯ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ ЗОЛОТА В РАБОЧУЮ ОБЛАСТЬ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛА МОЩНОГО ТРАНЗИСТОРА
Просмотры: 1
DOI: 10.22184/1992-4178.2026.258.6.148.151
Рассмотрен механизм уменьшения времени жизни носителей
заряда в кремниевом кристалле транзисторной структуры за счет диффузии золота в область коллектора. Предложена реализация технологии диффузионного легирования кремния золотом для увеличения сечения захвата носителей и сокращения времени
их жизни, что повышает быстродействие мощного транзистора.
Теги: carrier lifetime gold deposition gold diffusion into silicon high-power transistor photoresist p-n junction p-n-переход время жизни носителей диффузия золота в кремний мощный транзистор напыление золота фоторезист
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Рассмотрен механизм уменьшения времени жизни носителей
заряда в кремниевом кристалле транзисторной структуры за счет диффузии золота в область коллектора. Предложена реализация технологии диффузионного легирования кремния золотом для увеличения сечения захвата носителей и сокращения времени
их жизни, что повышает быстродействие мощного транзистора.
Теги: carrier lifetime gold deposition gold diffusion into silicon high-power transistor photoresist p-n junction p-n-переход время жизни носителей диффузия золота в кремний мощный транзистор напыление золота фоторезист
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
