Разработка нейроморфных систем на основе мемристорных структур требует создания оптимальной модели мемристора, которая наиболее точно описывает механизм переключения сопротивления и учитывает реальные характеристики устройства. В статье обсуждаются результаты схемотехнического моделирования пассивного кросс-бара и интегратора на различных моделях мемристоров в LTspice.