eng
Выпуск #2/2023
Р. Алексеев, И. Семейкин, А. Цоцорин, П. Куршев
LDMOS: НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «НИИЭТ»
LDMOS: НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «НИИЭТ»
Просмотры: 39
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96
Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2.
Теги: dvb-t / dvb-t2 electronic components ldmos microwave transistor transistor die компонентная база свч-транзистор стандарты dvb-t / dvb-t2 технология ldmos транзисторный кристалл
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2.
Теги: dvb-t / dvb-t2 electronic components ldmos microwave transistor transistor die компонентная база свч-транзистор стандарты dvb-t / dvb-t2 технология ldmos транзисторный кристалл
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
