eng
Выпуск #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ
Просмотры: 206
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93
Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.
Теги: electronic components gan microwave transistor telecommunication equipment компонентная база свч-транзистор телекоммуникационное оборудование
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.
Теги: electronic components gan microwave transistor telecommunication equipment компонентная база свч-транзистор телекоммуникационное оборудование
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
