Электроника НТБ #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93 Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.
Электроника НТБ #10/2021
М. Макушин
ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МОНОЛИТНЫХ СВЧ ИС И GaN-РАДИОПРИБОРОВ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.74.83 Рассматриваются перспективы развития рынка и технологий монолитных СВЧ ИС, а также радиоприборов на основе GaN и GaAs. Отмечается, что перспективы развития во многом зависят от технологии, по которой реализуются СВЧ ИС и радиоприборы.