Электроника НТБ #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93 Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.
Электроника НТБ #5/2020
В. Бельков, А. Цоцорин, И. Семейкин, М. Черных
МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80 В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В
Электроника НТБ #5/2016
А.Алексеев, С.Петров
Создание мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN – отечественный комплекс технологического оборудования
Рассмотрены проектирование и производство мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN, реализованные в результате кооперации российских производителей оборудования и электронной компонентной базы.