Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "thin films"

Наноиндустрия #1/2025
Ф.А.Усков, И.В.Верюжский
ИЗУЧЕНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК СПИНОВОГО БЕСЩЕЛЕВОГО ПОЛУПРОВОДНИКА CoFeMnSi, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.1.48.58 Представлены результаты исследования морфологии поверхности тонких пленок CoFeMnSi, выращенных на подложке MgO (100) методом импульсного лазерного осаждения в зависимости от выбранных технологических параметров изготовления. Показано, что при частоте импульсов лазерного излучения 1–2 Гц и энергии импульсов 150 мДж на подложке MgO (100) Растет тонкая островковая пленка CoFeMnSi со средним диаметром зерен D50% = 16,48 нм и значениями параметров шероховатости Ra = 1,29 нм, Rz = 13,06 нм. Уменьшение частоты импульсного лазерного излучения до 0,5 Гц и использование низкой энергии лазера, равной 150 мДж, приводит к изменению механизма роста пленки на послойно-островковый. Значения параметров шероховатости пленок, осажденных в этом режиме, снижаются до Ra = 0,61 нм и Rz = 11,51 нм. Послойный режим нанесения пленок удалось реализовать путем введения временных пауз, равных 1–2 мин, между нанесением каждого нового атомного слоя CoFeMnSi. Установлено, что выращенные пленки являются сплошными, дефекты и неровности микрорельефа их поверхности сглаживаются. Значения параметров шероховатости образцов, выращенных в послойном режиме, снизились до Ra = 0,31 нм и Rz = 4,60 нм. Изготовление тонких полупроводниковых пленок CoFeMnSi с высоким качеством поверхности открывает возможности для создания гетероструктур на их основе. При выбранных технологических параметрах роста изготовлены структуры MgO/CoFeMnSi/Co, средняя шероховатость поверхности которых составила Ra = 0,17 нм. Результаты работы могут быть использованы для изготовления многослойных структур на основе CoFeMnSi и их применения в устройствах спинтроники.

Электроника НТБ #5/2024
В. Соляник, А. Мирошниченко
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОСМИЯ НА ЭМИССИОННУЮ СПОСОБНОСТЬ И ДОЛГОВЕЧНОСТЬ КАТОДА

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.236.5.98.104 В статье представлен обзор исследований влияния основных параметров металлопористых катодов на их эмиссионную способность и долговечность. Особое внимание уделено тонким пленкам, покрывающим эмиссионную поверхность катода. Рассмотрены режимы ионно-плазменного нанесения тонких пленок и методы исследования физических свойств тонких пленок.

Фотоника #2/2023
Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров,П. А. Юнин, Т. С. Сазанова, Ю. П. Кудряшова, В. М. Малышев,А. Д. Куликов, В. М. Воротынцев
Структурные и оптические свойства тонких пленок сульфида галлия, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106 Сульфиды галлия обладают широкой запрещенной зоной в диапазоне 2,85–3,05 эВ и перспективны для использования в фотовольтаике и оптоэлектронике, нелинейной оптики, оптоэлектроники, терагерцевых устройствах, а также в качестве пассивирующих слоев в полупроводниковых приборах III–V групп. В данной работе тонкие пленки сульфида галлия GaxS1−x впервые были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с помощью транспортной реакции с участием хлора, при этом непосредственно высокочистые элементы (Ga и S) были использованы в качестве исходных веществ. Неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40,68 МГц) при пониженном давлении (0,01 Торр) являлась инициатором химических превращений. Были изучены зависимости состава, морфологии поверхности, структурных и оптических свойств полученных пленок от мощности плазменного разряда.

Наноиндустрия #2/2020
И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков
Сканирующая зондовая микроскопия дихалькогенидов переходных металлов

DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.132.134 С помощью зондовой микроскопии проводились измерения перспективных материалов. Простота метода позволяет узнать морфологию и структуру поверхности, проводимость, исследовать свойства материала при нагреве.

Наноиндустрия #1/2020
И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков
Применение сканирующей зондовой и капиллярной микроскопии в международном сотрудничестве

DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.1.16.20 Научное сотрудничество групп зондовой микроскопии МГУ имени М.В.Ломоносова и Технологического университета имени Шарифа (Тегеран) в рамках российско-иранского проекта оказалось крайне плодотворным. За три года проекта получены оригинальные результаты по локальной модификации поверхности в тонких пленках благодаря использованию сканирующей капиллярной микроскопии. Разработана установка комбинированной зондовой и капиллярной микроскопии.

Наноиндустрия #3-4/2019
В.Ю.Васильев
О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах

Рассмотрены проблемы и способы количественной характеризации конформности тонкопленочных покрытий на поверхностях высокоаспектных наноструктур при атомно-слоевом осаждении (АСО). Автор развивает ранее предложенную методологию анализа конформности тонкопленочных покрытий методами химического и плазменного осаждения из газовой фазы и АСО. Предложенная автором методология позволяет проводить адекватную оценку и количественное сравнение результатов для структур различной сложности при использовании различных методов и режимов получения тонких пленок методом АСО.

Наноиндустрия #2/2019
И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков
Сканирующая зондовая микроскопия в исследованиях тонких пленок

В рамках российско-иранского проекта "Инициация локальных химических реакций в осажденных тонких пленках с использованием сканирующей зондовой микроскопии" продолжены исследования с помощью СЗМ и КМ по созданию многопараметрической литографии. Получены оригинальные результаты по контролируемой модификации поверхности. Точность капиллярной нанолитографии находится на уровне единиц нанометров. DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.2.128.130

Наноиндустрия #9/2018
Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния

УДК 538.956/537.226.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281

Наноиндустрия #4/2017
С.Конаков
Технология микрореакторного осаждения тонких пленок и наноструктур – новый подход к исследованию процесса химического осаждения из газовой фазы

В статье анализируется современное состояние развития метода химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Определена основная проблема технологии и анализируются ее фундаментальные причины. Показаны дефицит экспериментальной информации о результатах ХОГФ, а также несовершенство подходов к организации опытных исследований, что ведет к сложности оптимизации технологии получения тонких пленок с заданными физико-химическими параметрами. Для решения этой проблемы впервые предлагается использовать технологию микрореакторного ХОГФ. Сформулировано определение этого метода, описаны его основные свойства. УДК 621.793 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1993-8578.2017.75.4.76.82