Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2026
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "кмоп-технология"

Наноиндустрия #5/2023
А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305 Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.

Электроника НТБ #2/2019
А. Сафонов
Матричные КМОП-фотоприемники: современное состояние и перспективы развития

КМОП-фотоприемники – наиболее динамично развивающийся сектор полупроводниковой индустрии. Основные области применения устройств – автомобильная промышленность, системы искусственного интеллекта и видеонаблюдения, смартфоны и т. д. Прогресс в технологии изготовления 3D фотоприемных устройств значительно повлиял на развитие технологии сборки всех типов электронных модулей. УДК 621.383 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.183.2.140.154

Электроника НТБ #9/2018
Ю. Горячкин, А. Однолько
Моделирование интегральных магнитотранзисторов, формируемых в рамках КМОП-технологии

Рассмотрено моделирование двухколлекторных магнитотранзисторов с горизонтальным и вертикальным расположением коллекторов. Приведены параметры магнитотранзисторов, оптимальные для их применения в составе магниточувствительных микросхем. УДК 621.382:004.94 | ВАК 05.13.18 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.180.9.108.113

Наноиндустрия #5/2017
С.Удовиченко, А.Писарев, А.Бусыгин, О.Маевский
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора

Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34