sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)
Книги по электронике
Статьи
Электроника НТБ #9/2025
МОДЕРНИЗАЦИЯ БАЛЛЬНЫХ СИСТЕМ КАК ИНСТРУМЕНТ ДОСТИЖЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ЛИДЕРСТВА
Электроника НТБ #8/2025
Колонка Департамента радиоэлектронной промышленности
Репортажи
//
все
Электроника НТБ #3/2025
ВИЗИТ НА ПР-ВО АО «КРАСНОЗНАМЕНСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ «АРСЕНАЛ»
Электроника НТБ #10/2024
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБОРУДОВАНИЯ. ВИЗИТ НА ПРОИЗВОДСТВО ООО «ПРОТЕХ»
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
26.11.2025
На наших видеоплатформах вышло интервью с гендиректором ООО «НПО ДиОД» Н.А. Одинцовым
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
XXVII Сибирский промышленно-инновационном форум «ПРОМТЕХЭКСПО». г. Омск
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
Медиаданные:
О журнале
Учредитель
Издатель
Редакционный совет
Распространение_
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Реклама:
Отдел рекламы
В журнале
На сайте
Авторам:
Соискателям учёной степени
Требования к статьям
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по электронике
читать книгу
Лапин А.
Интерфейсы. Выбор и реализация
читать книгу
При поддержке: Министерство промышленности и торговли РФ, Межведомственный совет главных конструкторов по электронной компонентной базе, «Ростех» АО «Российская электроника», АО «НИИМА «Прогресс», ОАО «НИИМЭ и Микрон», НИУ МИЭТ
Международная конференция «Микроэлектроника 2015» Интегральные схемы и микроэлектронные модули:проектирование, производство и применение.Сборник тезисов Крым, г. Алушта, 28 сентября – 3 октября 2015 г.
читать книгу
Белоус А.И., Солодуха В.А., Шведов С.В.
Программные и аппаратные трояны – способы внедрения и методы противодействия. Первая техническая энциклопедия в 2-х книгах / Под общей редакцией Белоуса А.И. В 2-х книгах
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "структурный анализ"
Электроника НТБ #8/2024
Е. Семенова, М. Смирнова, С. Гейко
МЕТОДИКА АНАЛИЗА И ОЦЕНКИ РИСКОВ ИНФОРМАЦИОННОГО ОБМЕНА С ПРИМЕНЕНИЕМ ИНФОРМАЦИОННО-УПРАВЛЯЮЩЕЙ СИСТЕМЫ
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.239.8.90.93 Рассматриваются вопросы сокращения рисков информационного обмена между проектантом наукоемкого изделия и его изготовителем. Применение методов структурного и статистического анализа позволило осуществить корректирующие действия и минимизировать количество инцидентов при новом проектировании.
Аналитика #4/2018
Osamu Terasaki, Yanhang Ma, Yuusuke Sakuda, Hideyuki Takahashi, Kenichi Tsutsumi, Shunsuke Asahina, Masato Kudo, Robert W.Corker
Оценка и структурный анализ наноматериалов на сканирующем электронном микроскопе с высоким пространственным разрешением
В сканирующей электронной микроскопии эмиттер испускает пучок электронов, фокусируе- мый электромагнитными линзами в тончайший электронный луч (зонд), который в процессе растрового сканирования облучает поверхность образца. Сигналы генерируются в виде вторичных иотраженных электронов, а также характеристического рентгеновского излучения. Сканирование с нанометровым пространственным разрешением позволяет получать инфор- мацию отопографии поверхности образца, ее составе, кристаллической структуре и химиче- ских связях. Уменьшая энергию первичных электронов, можно минимизировать повреждения образца в результате облучения, а также повысить качество изображения диэлектрических образцов с возможностью выборочного получения информации о поверхности. УДК 53.086; ВАК 05.11.01 DOI: 10.22184/2227-572X.2018.41.4.380.383
Разработка: студия
Green Art