Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "3d technology"

Электроника НТБ #2/2021
В. Мейлицев
СИСТЕМЫ В КОРПУСЕ. КРАТКИЙ ОБЗОР ТЕХНОЛОГИЙ

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.203.2.108.113 Описаны возможности и ограничения концепций «система на кристалле» и «система в корпусе». Приведен вариант классификации систем в корпусе и основные типы технологий, применяющихся при их сборке и монтаже

Наноиндустрия #9/2018
Суворова Елена Александровна, Розанов Валентин Владимирович, Шейнин Юрий Евгеньевич
Динамически реконфигурируемые системы и сети на кристалле в ASIC на 2D-3D технологиях

Реконфигурирование СнК может быть использовано для адаптации характеристик системы в соответствии с текущим набором решаемых задач, и расширения области применения. В данном докладе мы рассмотрим возможности по динамическому реконфигурированию систем и сетей на кристалле (SoC и NoC), реализуемых по технологии ASIC, в том числе по технологиям 2,5D и 3D. УДК 004.2 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.197

Наноиндустрия #2/2016
А.Ахметова, В.Штепа, Д.Яминский, И.Яминский
3D-нанотехнологии в центре молодежного инновационного творчества химического факультета МГУ

В центре молодежного инновационного творчества химического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова изучают применение 3D-печати для создания научной аппаратуры, моделирования и прототипирования. DOI:10.22184/1993-8578.2016.64.2.92.94

Электроника НТБ #1/2012
М.Гольцова
Международная Конференция IEDM. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы

Международная конференция по электронным приборам IEDM (International Electron Devices Meeting) – один из выдающихся мировых форумов, на котором производители и научные организации представляют крупные технологические достижения в области физики, проектирования, производства и моделирования полупроводниковых и электронных приборов. В связи с развитием технологий КМОП-транзисторов нанометровых размеров, новых типов продвинутой памяти, дисплеев, сенсоров, МЭМС, новейших квантовых и наноустройств, приборов аккумулирования энергии на конференции, состоявшейся 5–7 декабря 2011 года, основное внимание было уделено трем проблемам. Первая – насколько реально в последующие два–три года развитие технологии трехмерных транзисторов типа FinFET. Вторая – конкуренция между "неумирающей" памятью на фазовых переходах (PCRAM), магнитная память на основе эффекта передачи спинового момента (Spin Torque Transfer MRAM, STT-MRAM), так называемая трековая (гоночная память или "ипподром") память (Racetrack memory) компании IBM и резистивной памяти (MRAM). Третья – развивающиеся технологии – устройства на графене, туннельные полевые транзисторы, в том числе на полупроводниковых соединениях III–V и нанопроводах.