sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)
Книги по электронике
Статьи
Электроника НТБ #9/2025
МОДЕРНИЗАЦИЯ БАЛЛЬНЫХ СИСТЕМ КАК ИНСТРУМЕНТ ДОСТИЖЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ЛИДЕРСТВА
Электроника НТБ #8/2025
Колонка Департамента радиоэлектронной промышленности
Репортажи
//
все
Электроника НТБ #3/2025
ВИЗИТ НА ПР-ВО АО «КРАСНОЗНАМЕНСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ «АРСЕНАЛ»
Электроника НТБ #10/2024
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБОРУДОВАНИЯ. ВИЗИТ НА ПРОИЗВОДСТВО ООО «ПРОТЕХ»
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
26.11.2025
На наших видеоплатформах вышло интервью с гендиректором ООО «НПО ДиОД» Н.А. Одинцовым
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
XXVII Сибирский промышленно-инновационном форум «ПРОМТЕХЭКСПО». г. Омск
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
Медиаданные:
О журнале
Учредитель
Издатель
Редакционный совет
Распространение_
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Реклама:
Отдел рекламы
В журнале
На сайте
Авторам:
Соискателям учёной степени
Требования к статьям
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по электронике
читать книгу
Вонг Б.П., Миттал А., Цао Ю., Старр Г.
Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне /При поддержке ООО «ТехноСтарт» пер. с англ. под ред. д.т.н., проф. Н.А. Шелепина
читать книгу
Красников Г.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
читать книгу
Белоус А.И., Чижик С.А.
МЭМС: конструкции, технологии, приложения
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "quality factor"
Электроника НТБ #5/2025
А. Грешников
КВАРЦЕВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ: ПРЕИМУЩЕСТВА И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.246.5.60.61 В статье рассматриваются преимущества кварцевых генераторов, тренды на рынке пьезокерамических компонентов стабилизации частоты, а также особенности продукции, выпускаемой АО «Завод «Метеор» – одним из ведущих предприятий в области производства кварцевых генераторов.
Электроника НТБ #9/2023
К. Дудинов, Н. Заднепряная
ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127 Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F-класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.
Электроника НТБ #2/2022
В. Кочемасов, С. Хорев
СОВРЕМЕННЫЕ ИНДУКТИВНЫЕ РАДИОКОМПОНЕНТЫ. ЧАСТЬ 1
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.213.2.142.152 Рассмотрены современные индуктивные радиокомпоненты. Приведена информация об основных типах, характеристиках и производителях таких компонентов.
Фотоника #1/2022
А. В. Якухина, В. В. Светухин, А. С. Кадочкин
Сравнение влияния технологических факторов на добротность мезаструктур оптических резонаторов, изготовленных по кремниевой технологии
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.1.10.20 Представлены результаты исследования влияния величины шероховатости поверхности световодного слоя на величину добротности мезаструктур оптических резонаторов, работающих в режиме мод шепчущей галереи (МШГ), изготовленных с использованием кремниевой технологии. В качестве материала световодного слоя исследованы два варианта: SiO2 и Si. Проведено исследование влияния величины шероховатости боковой поверхности световодного слоя на величину добротности для каждого варианта структуры. Величина шероховатости боковой поверхности световодного слоя исследовалась при помощи АСМ и РЭМ. Для мезаструктур оптических резонаторов со световодным слоем как из Si, так и из SiO2 в результате оптимизации базовых технологических процессов удалось достичь снижения величины шероховатости с 30–40 нм до 1–3 нм. Проведенная путем численного моделирования оценка показала, что добротность оптических резонаторов со световодным слоем из SiO2 может быть достигнута 109 за счет снижения шероховатости боковой поверхности световодного слоя.
Электроника НТБ #6/2019
В. Кочемасов, С. Хорев
Конденсаторы переменной емкости
DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.128.135 Рассмотрены конденсаторы переменной емкости. Приведена информация об основных типах таких устройств, их характеристиках и производителях.
Разработка: студия
Green Art