Наноиндустрия #9/2018
Вертянов Денис Васильевич, Бураков Михаил Михайлович, Кручинин Сергей Михайлович, Сидоренко Виталий Николаевич, Брыкин Арсений Валерьевич
Трехмерная микросборка на основе коммутационных плат из кремния и бескорпусных элементов МЭМС В статье представлена концепция технологии трехмерной микросборки на основе коммутационных плат из кремния. Описаны преимущества применения данной технологии для производства малогабаритных изделий микросистемной техники на основе бескорпусных элементов МЭМС. Представлены результаты исследований процессов формирования сквозных металлизированных отверстий в коммутационных платах из кремния. Рассмотрены конструкции отечественных акселерометров, разработанных по технологии трехмерной микросборки. УДК 621.3.049.76 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.521.531 Наноиндустрия #9/2018
Баранов Александр Александрович, Жукова Светлана Александровна, Обижаев Денис Юрьевич, Турков Владимир Евгеньевич, Воробьев Алексей Д., Лагун Александр Михайлович, Машевич Павел Романович, Трудновская Евгения Андреевна
Миниатюрный двухосевой микромеханический акселерометр в однокристальном исполнении с диапазоном измеряемых ускорений ±10 м/с2 В настоящем докладе рассмотрены особенности конструкции и технологии изготовления, а также основные характеристики двухосевого микромеханического акселерометра в однокристальном исполнении. Показана возможность герметизации чувствительного элемента на этапе формирования при помощи кремниевой капсулы. УДК 53.087.92 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.512.513 Наноиндустрия #9/2018
Баранов Юрий Николаевич, Шварц Карл-Генрих Маркусович, Соколов Евгений Макарович, Стаценко Владимир Николаевич, Федотов Сергей Дмитриевич, Тарасов Дмитрий Владимирович, Тимошенков Сергей Петрович
Газотранспортный хлоридный перенос кремния в сэндвич-системе В данной работе представлены результаты разработки и исследования процесса формирования эпитаксиальных слоев кремния, полученных с помощью хлоридного газотранспортного переноса в сэндвич-системе. Изучено формирование моно- и поликристаллических слоев на различных кремниевых подложках, а также на структурах типа «кремний с диэлектрической изоляцией» (КСДИ, EPIC). Исследованы распределения температуры в сэндвич-системе и толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Изучены зависимости скорости роста слоя от температуры пластины-источника и подложки, соотношения Cl/H и величины зазора между пластинами в сэндвич-системе. Скорость роста поликристаллических слоев на КСДИ достигает 12 мкм/мин при толщине слоев 300–600 мкм, монокристаллических слоев Si на кремниевых подложка 8–10 мкм/мин при толщине слоев 40–100 мкм. Наиболее значимой особенностью процесса хлоридного газотранспортного переноса кремния с практической точки зрения является то, что при формировании эпитаксиальных слоев в качестве источника кремния можно использовать отбракованные пластины и структуры, прошедшие различные циклы эпитаксиального производства. Механизм переноса позволяет формировать эпитаксиальные монокристаллические слои и поликристаллические опорные слои со скоростью роста более 10 мкм/мин вне зависимости от качества пластины —источника Si, что значительно снижает себестоимость процесса изготовления. УДК 546.05:548.55:54628.121:660.94.49/(Ж/О)35.20 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.273.280 Наноиндустрия #2/2018
Д.Вюнш, Л.Пурвин, Р.Мартинка, И.Шуберт, Р.Юнганс, М.Баум, М.Вимер, Т.Отто
Временное сращивание пластин – ключевая технология для МЭМС-устройств Утонение после временного сращивания пластин – ключевая технология 3D-интеграции датчиков и электронных компонентов для получения миниатюрных систем. Обработка ультратонких кремниевых пластин является сложным процессом, поэтому были разработаны различные технологии их временного сращивания с носителем для стабилизации и защиты пластин во время производственных операций. УДК 621.382.2 /.3; ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.81.2.144.154 Наноиндустрия #6/2016
Э.Бернар-Мулен, А.Уваров, Э.Дезре
Глубокое травление твердых материалов Рассматриваются области применения твердых материалов в полупроводниковой промышленности, а также оборудование и процессы для их плазменного травления. DOI:10.22184/1993-8578.2016.68.6.106.111 Электроника НТБ #3/2016
Б.Александров
Инерциальные датчики: терминология, характеристики, критерии выбора В статье рассмотрена наиболее устоявшаяся терминология, основные характеристики и критерии выбора современных инерциальных датчиков на примере гироскопов. Наноиндустрия #5/2015
В.Вернер, Е.Кузнецов, А.Сауров
Закону Мура 50 лет: развитие микронаноэлектроники Рассматривается влияние закона Мура на развитие микро- и наноэлектроники и его воздействие на изменения в структуре отрасли. Отмечается, что закон Мура определил высокие темпы роста микроэлектроники, что в свою очередь способствовало появлению и развитию новых направлений, например, микросистемной техники в форме МЭМС, а затем и наноэлектроники. DOI:10.22184/1993-8578.2015.59.5.56.72 Наноиндустрия #4/2015
Г.Киселев, П.Горелкин, А.Ерофеев, Д.Колесов, И.Яминский
Детекция вирусов с помощью пьезоэлектрических кантилеверов Быстрый прямой анализ вируса гриппа А в жидкой среде может выполняться с помощью пьезоэлектрического кантилевера с рецептором, модифицированным гликополимером, который содержит сиаловые группы, специфичные к белку оболочки вируса. DOI:10.22184/1993-8578.2015.58.4.62.67 Электроника НТБ #2/2014
А.Бекмачев
Инерциальные МЭМС-датчики и модули европейских производителей. Обзор новинок Обзор посвящен новым акселерометрам, гироскопам и инерциальным измерительным модулям, которые применяются для стабилизации и управления подвижными объектами, а также в пилотажном и навигационном оборудовании. Электроника НТБ #1/2014
Н.Демкович
Программный комплекс OOFELIE::Multiphysics – эффективный инструмент проектирования сложных систем Компания СП ЗАО "Би Питрон" – один из лидеров на рынке внедрения и технической поддержки систем автоматизированного проектирования – предлагает своим клиентам уникальный по возможностям программный комплекс OOFELIE::Multiphysics, ориентированный на решение сложных междисциплинарных задач при создании изделий для различных отраслей промышленности.