Электроника НТБ #4/2012
М.Гольцова
Moщные GaN-транзисторы. Истинно революционная технология
Приборы на основе нитрида галлия не новы. Они изучаются с 1980-х годов. Сегодня GaN-транзистор оказался одним из самых перспективных приборов, способных заменить мощные кремниевые полевые транзисторы в компактных системах силовой электроники. Разработки компаний International Rectifier (IR), Efficient Power Conversion (EPC) и молодой start-up компании Transphorm 600-В GaN-транзисторов убедительно доказали возможность конкуренции нитридгаллиевых транзисторов с высоковольтными МОП-транзисторами и БТИЗ.