Платформа для проектирования СнК DARE65T обеспечивает низкое энергопотребление, высокую плотность упаковки элементов СБИС, а также высокую стойкость к накопленной дозе, возникновению тиристорного эффекта и воздействию тяжелых заряженных частиц. В статье рассматриваются методы повышения радиационной стойкости проектируемых СБИС, реализованные на платформе, а также ее основные параметры и функциональные особенности.

DOI: 10.22184/1992-4178.2018.179.8.122.128
УДК 004.94 | ВАК 05.27.00

sitemap

Разработка: студия Green Art