eng
Выпуск #9/2025
Э. Литвиненко, В. Полевиков, А. Красюков
РАЗРАБОТКА ДАТЧИКА ХОЛЛА НА ОСНОВЕ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЕНИЕМ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
РАЗРАБОТКА ДАТЧИКА ХОЛЛА НА ОСНОВЕ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЕНИЕМ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
Просмотры: 344
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.251.9.62.68
В статье представлен датчик Холла на основе КНИ МОП-транзистора, разработанный в АО «ЗНТЦ». Спроектирована и протестирована опытная микросхема бесконтактного датчика с линейным аналоговым выходом. Полученные характеристики устройства демонстрируют его применимость в различных областях техники, требующих точных измерений и управления.
Теги: hall effect sensor non-contact measurement silicon on insulator soi mosfet бесконтактное измерение датчик холла кни моп-транзистор кремний на изоляторе
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В статье представлен датчик Холла на основе КНИ МОП-транзистора, разработанный в АО «ЗНТЦ». Спроектирована и протестирована опытная микросхема бесконтактного датчика с линейным аналоговым выходом. Полученные характеристики устройства демонстрируют его применимость в различных областях техники, требующих точных измерений и управления.
Теги: hall effect sensor non-contact measurement silicon on insulator soi mosfet бесконтактное измерение датчик холла кни моп-транзистор кремний на изоляторе
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
