Выпуск #9/2025
Э. Литвиненко, В. Полевиков, А. Красюков
РАЗРАБОТКА ДАТЧИКА ХОЛЛА НА ОСНОВЕ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЕНИЕМ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
РАЗРАБОТКА ДАТЧИКА ХОЛЛА НА ОСНОВЕ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЕНИЕМ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
Просмотры: 2
В статье представлен датчик Холла на основе КНИ МОП-транзистора, разработанный в АО «ЗНТЦ». Спроектирована и протестирована опытная микросхема бесконтактного датчика с линейным аналоговым выходом. Полученные характеристики устройства демонстрируют его применимость в различных областях техники, требующих точных измерений и управления.
Ключевые слова: датчик Холла, кремний на изоляторе, бесконтактное измерение, КНИ МОП-транзистор
Теги: hall effect sensor non-contact measurement silicon on insulator soi mosfet
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Ключевые слова: датчик Холла, кремний на изоляторе, бесконтактное измерение, КНИ МОП-транзистор
Теги: hall effect sensor non-contact measurement silicon on insulator soi mosfet
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
eng



