eng
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.221.10.76.91
Рассмотрены антенные переключатели. Приведена информация об особенностях и характеристиках интегральных приемопередающих переключателей, выполненных по КМОП-технологиям.
Рассмотрены антенные переключатели. Приведена информация об особенностях и характеристиках интегральных приемопередающих переключателей, выполненных по КМОП-технологиям.
Антенные переключатели
Часть 4
В. Кочемасов, к. т. н.1, А. Сафин, к. т. н.3, С. Дингес, к. т. н.3
В первой, второй и третьей частях статьи, опубликованных в седьмом, восьмом и девятом номерах журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес» за 2022 год, было рассказано о различных антенных приемопередающих переключателях. В данном номере рассматривается еще один тип таких переключателей.
Интегральные приемопередающие переключатели, выполненные по КМОП-технологиям
К настоящему времени КМОП-переключатели в значительной степени вытеснили с рынка мобильной связи изделия, выполненные по другим технологиям. Среди используемых КМОП-технологий можно назвать BiCMOS, стандартную (bulk) КМОП, КМОП-технологии кремний на изоляторе (КНИ) и кремний на сапфире (КНС), а также другие КМОП-процессы, запатентованные рядом производителей. Компании NXP Semiconductors, pSemi, Infineon, IDT, Mini-Circuits, Skyworks Solutions, Qorvo, Analog Devices (табл. 13, 14) закрыли все потребности рынка мобильной телефонии, включая стандарт 4G, а компании Analog Devices, pSemi, Custom MMIC (табл. 15) эффективно продвигают мобильные изделия, выполненные по стандартам 5G и 6G.
КМОП-изделия в основном выполняются по симметричным (рис. 39 [19–21]) схемам, чаще всего на основе последовательно-параллельных структур и отличаются лишь сложностью реализации. Промышленно выпускаемые переключатели в основном реализуются по симметричным схемам (см., например, data sheets на изделия QPC3024, QPC3025, BGS12PL6). Несмотря на симметричность используемых схемотехнических решений, вносимые ослабления между каналами Тх – Ант и Ант – Rх, а также развязки между каналами Тх – Ант, Ант – Тх, Ант – Rх, Rх – Ант, Тх – Rх и Rх – Тх могут существенно различаться.
Частотный диапазон изделий, выполненных по КМОП-технологиям, постоянно расширяется [22, 23, 24]. Например, SPDT-переключатель [23] в диапазоне частот 75–110 ГГц обеспечил следующие параметры: IL < 6,3 дБ (4,5 дБ на частоте 94 ГГц), Iso > 20 дБ (48 дБ на частоте 94 ГГц), P1дБ = 11,2 дБм (на частоте 77 ГГц) и 11,0 дБм (на частоте 94 ГГц).
Весьма сложная схема симметричного переключателя (рис. 40а) реализована с использованием принципа «бегущей волны», причем последовательно и параллельно включенные транзисторы заменены наборами S (рис. 40б) и P (рис. 40в), каждый из четырех транзисторов [25].
Требуемая во многих случаях неидентичность характеристик передающего и приемного каналов в симметричном последовательно-параллельном переключателе (рис. 41) обеспечивается заменой последовательного транзистора в передающем канале и параллельного транзистора в приемном канале наборами из трех транзисторов [26].
Неидентичность каналов может быть также достигнута применением асимметричных переключателей. Так, в [27] приведена схема переключателя (рис. 42), в передающем канале которого используется последовательное включение транзистора, а в приемном – параллельное.
КМОП-переключатели, работающие в диапазоне частот до 10 ГГц, используются в мобильной телефонии, базовых станциях и ретрансляторах стандартов 2G, 3G, 4G различного назначения (ISM, GSM, WiMAX, WCDMA, LTE, TDD, 802 11a / b / g / n WLANs), в кабельных (CATV) и спутниковых (SATV) системах, а также в качестве экономически эффективной замены мощных pin-диодных переключателей. Допустимые коммутируемые мощности в КМОП-изделиях прежде всего зависят от частоты. Значение этой мощности в диапазоне частот до 6 ГГц достигает 40 Вт (табл. 13, 14), а на частотах 40–60 ГГц не превышает 10 Вт (табл. 15).
Одной из первых на рынок КМОП-переключателей вышла компания NXP Semiconductors c BiCMOS-изделиями SA630 и SA58643. Вносимые ослабления в этих переключателях в передающем Тх и приемном Rx каналах практически одинаковы (рис. 43а), но подвержены некоторым изменениям при вариациях температуры окружающей среды и напряжения питания (рис. 43б, в). Весьма существенно в таких изделиях зависят от напряжения питания компрессионная мощность P1дБ и характеристики IP2, IP3 (рис. 44а, б). Время включения Ton в этих переключателях практически вдвое превышает время выключения Toff, а время нарастания Tr почти втрое больше времени спада Tf (рис. 45).
Линейку переключателей (BGS12PN10, BGS12LP6, BGS12S3N6 и др.), выполненных по запатентованной МОП-технологии и стандартной КМОП-технологии продвигает компания Infineon. Разработанная ею микросхема BGS12PN10 может использоваться в EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SVLTE применениях в качестве приемопередающего переключателя. Вносимое ослабление IL(f) в диапазоне частот 0,5–6,0 ГГц меняется от 0,13 до 0,88 дБ (рис. 46а), как в передающем (Tx – Aнт), так и в приемном (Ант – Rx) каналах. Развязки Iso (Tx – Aнт) и Iso (Rx – Aнт), показанные красным цветом, практически одинаковы и с ростом частоты уменьшаются от 40 до 10 дБ (рис. 46б). При этом развязки между передающим и приемным каналами Iso (Tx – Rx) и Iso (Rx –Tx), показанные синим цветом, также одинаковы, но отличаются от развязок Iso (Tx – Aнт) и Iso (Rx – Aнт) весьма существенно (рис. 46б).
Их уровень в диапазоне частот 0,5–6,0 ГГц снижается с 43 до 17 дБ. Зависимости вносимых потерь от входной мощности IL(Pвх) при значениях Pвх меньше допустимых практически неизменны, но зависят от температуры и частоты сигнала (рис. 46в). Весьма существенно от входной мощности и частоты зависят уровни 2‑й и 3‑й гармоник (рис. 46г), которые при изменении входной мощности от 20 до 38 дБм меняются от –100… –90 дБ до –56… –45 дБ.
Запатентованную КМОП-технологию использует и компания IDT, выпускающая широкую линейку переключателей (F2912, F2923, F2977 и др.). Зависимости IL(f) в передающем (рис. 47а) и приемном (рис. 47б) каналах переключателя F2977 при различных температурах окружающей среды и напряжениях питания отличаются не очень сильно. При этих же условиях практически не отличаются и зависимости Iso (Tx – Aнт), Iso (Rx – Aнт), Iso (Tx – Rx) и Iso (Rx – Tx) (рис. 48а–г). Приведенные в data sheets на микросхему F2923 осциллограммы иллюстрируют процесс формирования частотно-манипулированного сигнала на выходе RFc при подаче на входы RF1 и RF2 непрерывных колебаний постоянной частоты. Эти осциллограммы (рис. 49) свидетельствуют об идентичности обоих каналов и об отсутствии заметного влияния температуры окружающей среды на вид частотно-манипулированного сигнала.
Компрессионная мощность P0,1дБ в обоих каналах переключателя ADRF5132 компании Analog Devices практически одинакова и мало меняется по диапазону (рис. 50а). При этом изменение температуры заметно влияет на ее уровень (рис. 50б). В низкочастотной области компрессионная мощность существенно (рис. 51а, в) зависит от частоты. В этой области частот ее уровень снижается на 15–20 дБ относительно значений на высоких частотах (рис. 51б, г).
У переключателя F2933 (компания IDT) в зоне рабочих входных мощностей компрессионная мощность P1дБ в широком диапазоне температур (–40…105 °C) меняется не более чем на 0,05 дБ (рис. 52). Величина температуры в данном случае определяет предельно допустимое значение входной и компрессионной мощностей. Слабо зависит от температуры и напряжения питания характеризующий линейность переключателя показатель IIP3 (рис. 53а, б). Его значение в обоих каналах в широком диапазоне частот меняется в пределах 5–6 дБ. Подтверждают сказанное о характеристиках IIP3 в микросхеме F2933 и данные, приведенные в data sheets на микросхему RFSW6224. Зависимости IIP3 от частоты при различных температурах окружающей среды и напряжениях питания (рис. 53в) позволяют сделать вывод о том, что это значение IIP3 в первую очередь зависит от частоты, а другие факторы на этом показателе практически не сказываются.
Характер зависимостей IL(f) и Iso(f) в переключателях, выполненных по технологии кремний на сапфире, мало отличается от тех, что выполнены по стандартным (bulk) или КНИ технологиям. Зависимости IL(f) в переключателе PE42525 в широком диапазоне температур меняются весьма слабо (рис. 54а), а от управляющего напряжения вообще не зависят (рис. 54б). В еще меньшей степени от этих факторов зависит развязка Iso(f) между каналами (рис. 55а–г).
В целом же отметим, что рис. 47 и 48 очень мало отличаются от рис. 54 и 55, несмотря на то, что рабочий диапазон переключателя PE42525 ровно на порядок превосходит рабочий диапазон частот переключателя F2977.
Рассмотренные в этом разделе SPDT Rx / Tx переключатели в КМОП-исполнении обеспечивают в диапазоне частот до 6 ГГц значительные уровни коммутируемых мощностей, закрывая тем самым потребности систем связи, включая стандарты 4G, а кроме этого, позволяют реализовать большие коммутируемые мощности на более высоких частотах, включая стандарты 5G и 6G. Ведущие позиции в этой области занимают компании Analog Devices (микросхема ADRF5301, 35–44 ГГц, Pмакс = 5 Вт) и pSemi (микросхема PE42525, 9 кГц – 60 ГГц, Pмакс = 3 Вт). Изделия со столь высокими рабочими частотами (табл. 15) могут быть использованы, помимо широкополосных систем связи, в радиолокаторах, системах радиоэлектронной борьбы, в тестовых и измерительных комплексах.
Работу Rx / Tx SPDT-переключателей оценивают в том числе и по уровню допустимых входных мощностей, среди которых чаще всего используют непрерывные, импульсные и компрессионные мощности (рис. 56). Мощностные характеристики переключателей P0,1дБ, P1дБ и показатель IIP3, характеризующий их линейность, весьма сильно меняются в диапазоне частот 5–100 МГц (рис. 57а, в, д), а в диапазоне частот до 30 ГГц практически не меняются (рис. 57б, г, е). Иногда работу переключателей оценивают по характеристикам IL(Pвх). Резкое возрастание вносимых потерь соответствует предельно допустимым значениям входных мощностей (рис. 58). Эти предельные значения входных мощностей зависят как от входной частоты (рис. 58а), так и от температуры окружающей среды (рис. 58б). В разных моделях переключателей характер зависимости IIP3 от частоты и температуры может существенно отличаться (рис. 59). Так, в изделии QPC1022 компании Qorvo IIP3 действительно очень мало зависит от частоты и температуры (рис. 59а), а в переключателе ADRF5130 влияние частоты и температуры более чем заметно (рис. 59б).
Литература
Emam M., Kaamouchi M. E., Moussa M. S. et al. High Temperature Antenna Switches in 130 nm SOI Technology. 2007 IEEE International SOI Conference Proceedings. 2007. PP. 121–122.
Ta C. M., Skafidas E., Evans R. J. A 60-GHz CMOS Transmit / Receive Switch. 2007 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium. PP. 725–728.
Li Z., Yoon H., Huang F.-J. et al. 5.8-GHz CMOS T / R Switches With High and Low Substrate Resictances in a 0.18‑µm CMOS Process // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2003. V. 13. No. 1. PP. 1–3.
Chao S.-F., Wang H., Su C.-Y. et al. A 50 to 94-GHz CMOS SPDT Switch Using Travelling-Wave Concept // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2007. V. 17. No. 2. PP. 130–132.
Chou C. C., Huang S. C., Lai W. C. et al. Design of W-Band High-Isolation T / R Switch. – Proceedings of the 45th European Microwave Conference. 2015, September. Paris, France. PP. 1084–1087.
Lai R.-B., Kuo J.-J., Wang H. A 60–110 GHz Transmission-Line Integrated SPDT Switch in 90 nm CMOS Technology // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2010. V. 20. No. 2. PP. 85–87.
Yeh M.-C., Tsai Z.-M., Wang H. A Miniature DC-to‑50 GHz CMOS SPDT Distributed Switch. National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan.
Xu H., Kenneth K. O. A 31.3‑dBm Bulk CMOS T / R Switch Using Stacked Transistors with Sub-Design-Rule Channel Length in Floated p-Wells // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2007. V. 42. No. 11. PP. 2528–2534.
Park P., Shin D. H., Pekarik J. J. et al. A High-Linearity, LC-tuned, 24-GHz T / R Switch in 90‑nm CMOS. – 2008 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium. PP. 369–372.
Часть 4
В. Кочемасов, к. т. н.1, А. Сафин, к. т. н.3, С. Дингес, к. т. н.3
В первой, второй и третьей частях статьи, опубликованных в седьмом, восьмом и девятом номерах журнала «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес» за 2022 год, было рассказано о различных антенных приемопередающих переключателях. В данном номере рассматривается еще один тип таких переключателей.
Интегральные приемопередающие переключатели, выполненные по КМОП-технологиям
К настоящему времени КМОП-переключатели в значительной степени вытеснили с рынка мобильной связи изделия, выполненные по другим технологиям. Среди используемых КМОП-технологий можно назвать BiCMOS, стандартную (bulk) КМОП, КМОП-технологии кремний на изоляторе (КНИ) и кремний на сапфире (КНС), а также другие КМОП-процессы, запатентованные рядом производителей. Компании NXP Semiconductors, pSemi, Infineon, IDT, Mini-Circuits, Skyworks Solutions, Qorvo, Analog Devices (табл. 13, 14) закрыли все потребности рынка мобильной телефонии, включая стандарт 4G, а компании Analog Devices, pSemi, Custom MMIC (табл. 15) эффективно продвигают мобильные изделия, выполненные по стандартам 5G и 6G.
КМОП-изделия в основном выполняются по симметричным (рис. 39 [19–21]) схемам, чаще всего на основе последовательно-параллельных структур и отличаются лишь сложностью реализации. Промышленно выпускаемые переключатели в основном реализуются по симметричным схемам (см., например, data sheets на изделия QPC3024, QPC3025, BGS12PL6). Несмотря на симметричность используемых схемотехнических решений, вносимые ослабления между каналами Тх – Ант и Ант – Rх, а также развязки между каналами Тх – Ант, Ант – Тх, Ант – Rх, Rх – Ант, Тх – Rх и Rх – Тх могут существенно различаться.
Частотный диапазон изделий, выполненных по КМОП-технологиям, постоянно расширяется [22, 23, 24]. Например, SPDT-переключатель [23] в диапазоне частот 75–110 ГГц обеспечил следующие параметры: IL < 6,3 дБ (4,5 дБ на частоте 94 ГГц), Iso > 20 дБ (48 дБ на частоте 94 ГГц), P1дБ = 11,2 дБм (на частоте 77 ГГц) и 11,0 дБм (на частоте 94 ГГц).
Весьма сложная схема симметричного переключателя (рис. 40а) реализована с использованием принципа «бегущей волны», причем последовательно и параллельно включенные транзисторы заменены наборами S (рис. 40б) и P (рис. 40в), каждый из четырех транзисторов [25].
Требуемая во многих случаях неидентичность характеристик передающего и приемного каналов в симметричном последовательно-параллельном переключателе (рис. 41) обеспечивается заменой последовательного транзистора в передающем канале и параллельного транзистора в приемном канале наборами из трех транзисторов [26].
Неидентичность каналов может быть также достигнута применением асимметричных переключателей. Так, в [27] приведена схема переключателя (рис. 42), в передающем канале которого используется последовательное включение транзистора, а в приемном – параллельное.
КМОП-переключатели, работающие в диапазоне частот до 10 ГГц, используются в мобильной телефонии, базовых станциях и ретрансляторах стандартов 2G, 3G, 4G различного назначения (ISM, GSM, WiMAX, WCDMA, LTE, TDD, 802 11a / b / g / n WLANs), в кабельных (CATV) и спутниковых (SATV) системах, а также в качестве экономически эффективной замены мощных pin-диодных переключателей. Допустимые коммутируемые мощности в КМОП-изделиях прежде всего зависят от частоты. Значение этой мощности в диапазоне частот до 6 ГГц достигает 40 Вт (табл. 13, 14), а на частотах 40–60 ГГц не превышает 10 Вт (табл. 15).
Одной из первых на рынок КМОП-переключателей вышла компания NXP Semiconductors c BiCMOS-изделиями SA630 и SA58643. Вносимые ослабления в этих переключателях в передающем Тх и приемном Rx каналах практически одинаковы (рис. 43а), но подвержены некоторым изменениям при вариациях температуры окружающей среды и напряжения питания (рис. 43б, в). Весьма существенно в таких изделиях зависят от напряжения питания компрессионная мощность P1дБ и характеристики IP2, IP3 (рис. 44а, б). Время включения Ton в этих переключателях практически вдвое превышает время выключения Toff, а время нарастания Tr почти втрое больше времени спада Tf (рис. 45).
Линейку переключателей (BGS12PN10, BGS12LP6, BGS12S3N6 и др.), выполненных по запатентованной МОП-технологии и стандартной КМОП-технологии продвигает компания Infineon. Разработанная ею микросхема BGS12PN10 может использоваться в EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SVLTE применениях в качестве приемопередающего переключателя. Вносимое ослабление IL(f) в диапазоне частот 0,5–6,0 ГГц меняется от 0,13 до 0,88 дБ (рис. 46а), как в передающем (Tx – Aнт), так и в приемном (Ант – Rx) каналах. Развязки Iso (Tx – Aнт) и Iso (Rx – Aнт), показанные красным цветом, практически одинаковы и с ростом частоты уменьшаются от 40 до 10 дБ (рис. 46б). При этом развязки между передающим и приемным каналами Iso (Tx – Rx) и Iso (Rx –Tx), показанные синим цветом, также одинаковы, но отличаются от развязок Iso (Tx – Aнт) и Iso (Rx – Aнт) весьма существенно (рис. 46б).
Их уровень в диапазоне частот 0,5–6,0 ГГц снижается с 43 до 17 дБ. Зависимости вносимых потерь от входной мощности IL(Pвх) при значениях Pвх меньше допустимых практически неизменны, но зависят от температуры и частоты сигнала (рис. 46в). Весьма существенно от входной мощности и частоты зависят уровни 2‑й и 3‑й гармоник (рис. 46г), которые при изменении входной мощности от 20 до 38 дБм меняются от –100… –90 дБ до –56… –45 дБ.
Запатентованную КМОП-технологию использует и компания IDT, выпускающая широкую линейку переключателей (F2912, F2923, F2977 и др.). Зависимости IL(f) в передающем (рис. 47а) и приемном (рис. 47б) каналах переключателя F2977 при различных температурах окружающей среды и напряжениях питания отличаются не очень сильно. При этих же условиях практически не отличаются и зависимости Iso (Tx – Aнт), Iso (Rx – Aнт), Iso (Tx – Rx) и Iso (Rx – Tx) (рис. 48а–г). Приведенные в data sheets на микросхему F2923 осциллограммы иллюстрируют процесс формирования частотно-манипулированного сигнала на выходе RFc при подаче на входы RF1 и RF2 непрерывных колебаний постоянной частоты. Эти осциллограммы (рис. 49) свидетельствуют об идентичности обоих каналов и об отсутствии заметного влияния температуры окружающей среды на вид частотно-манипулированного сигнала.
Компрессионная мощность P0,1дБ в обоих каналах переключателя ADRF5132 компании Analog Devices практически одинакова и мало меняется по диапазону (рис. 50а). При этом изменение температуры заметно влияет на ее уровень (рис. 50б). В низкочастотной области компрессионная мощность существенно (рис. 51а, в) зависит от частоты. В этой области частот ее уровень снижается на 15–20 дБ относительно значений на высоких частотах (рис. 51б, г).
У переключателя F2933 (компания IDT) в зоне рабочих входных мощностей компрессионная мощность P1дБ в широком диапазоне температур (–40…105 °C) меняется не более чем на 0,05 дБ (рис. 52). Величина температуры в данном случае определяет предельно допустимое значение входной и компрессионной мощностей. Слабо зависит от температуры и напряжения питания характеризующий линейность переключателя показатель IIP3 (рис. 53а, б). Его значение в обоих каналах в широком диапазоне частот меняется в пределах 5–6 дБ. Подтверждают сказанное о характеристиках IIP3 в микросхеме F2933 и данные, приведенные в data sheets на микросхему RFSW6224. Зависимости IIP3 от частоты при различных температурах окружающей среды и напряжениях питания (рис. 53в) позволяют сделать вывод о том, что это значение IIP3 в первую очередь зависит от частоты, а другие факторы на этом показателе практически не сказываются.
Характер зависимостей IL(f) и Iso(f) в переключателях, выполненных по технологии кремний на сапфире, мало отличается от тех, что выполнены по стандартным (bulk) или КНИ технологиям. Зависимости IL(f) в переключателе PE42525 в широком диапазоне температур меняются весьма слабо (рис. 54а), а от управляющего напряжения вообще не зависят (рис. 54б). В еще меньшей степени от этих факторов зависит развязка Iso(f) между каналами (рис. 55а–г).
В целом же отметим, что рис. 47 и 48 очень мало отличаются от рис. 54 и 55, несмотря на то, что рабочий диапазон переключателя PE42525 ровно на порядок превосходит рабочий диапазон частот переключателя F2977.
Рассмотренные в этом разделе SPDT Rx / Tx переключатели в КМОП-исполнении обеспечивают в диапазоне частот до 6 ГГц значительные уровни коммутируемых мощностей, закрывая тем самым потребности систем связи, включая стандарты 4G, а кроме этого, позволяют реализовать большие коммутируемые мощности на более высоких частотах, включая стандарты 5G и 6G. Ведущие позиции в этой области занимают компании Analog Devices (микросхема ADRF5301, 35–44 ГГц, Pмакс = 5 Вт) и pSemi (микросхема PE42525, 9 кГц – 60 ГГц, Pмакс = 3 Вт). Изделия со столь высокими рабочими частотами (табл. 15) могут быть использованы, помимо широкополосных систем связи, в радиолокаторах, системах радиоэлектронной борьбы, в тестовых и измерительных комплексах.
Работу Rx / Tx SPDT-переключателей оценивают в том числе и по уровню допустимых входных мощностей, среди которых чаще всего используют непрерывные, импульсные и компрессионные мощности (рис. 56). Мощностные характеристики переключателей P0,1дБ, P1дБ и показатель IIP3, характеризующий их линейность, весьма сильно меняются в диапазоне частот 5–100 МГц (рис. 57а, в, д), а в диапазоне частот до 30 ГГц практически не меняются (рис. 57б, г, е). Иногда работу переключателей оценивают по характеристикам IL(Pвх). Резкое возрастание вносимых потерь соответствует предельно допустимым значениям входных мощностей (рис. 58). Эти предельные значения входных мощностей зависят как от входной частоты (рис. 58а), так и от температуры окружающей среды (рис. 58б). В разных моделях переключателей характер зависимости IIP3 от частоты и температуры может существенно отличаться (рис. 59). Так, в изделии QPC1022 компании Qorvo IIP3 действительно очень мало зависит от частоты и температуры (рис. 59а), а в переключателе ADRF5130 влияние частоты и температуры более чем заметно (рис. 59б).
Литература
Emam M., Kaamouchi M. E., Moussa M. S. et al. High Temperature Antenna Switches in 130 nm SOI Technology. 2007 IEEE International SOI Conference Proceedings. 2007. PP. 121–122.
Ta C. M., Skafidas E., Evans R. J. A 60-GHz CMOS Transmit / Receive Switch. 2007 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium. PP. 725–728.
Li Z., Yoon H., Huang F.-J. et al. 5.8-GHz CMOS T / R Switches With High and Low Substrate Resictances in a 0.18‑µm CMOS Process // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2003. V. 13. No. 1. PP. 1–3.
Chao S.-F., Wang H., Su C.-Y. et al. A 50 to 94-GHz CMOS SPDT Switch Using Travelling-Wave Concept // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2007. V. 17. No. 2. PP. 130–132.
Chou C. C., Huang S. C., Lai W. C. et al. Design of W-Band High-Isolation T / R Switch. – Proceedings of the 45th European Microwave Conference. 2015, September. Paris, France. PP. 1084–1087.
Lai R.-B., Kuo J.-J., Wang H. A 60–110 GHz Transmission-Line Integrated SPDT Switch in 90 nm CMOS Technology // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2010. V. 20. No. 2. PP. 85–87.
Yeh M.-C., Tsai Z.-M., Wang H. A Miniature DC-to‑50 GHz CMOS SPDT Distributed Switch. National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan.
Xu H., Kenneth K. O. A 31.3‑dBm Bulk CMOS T / R Switch Using Stacked Transistors with Sub-Design-Rule Channel Length in Floated p-Wells // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2007. V. 42. No. 11. PP. 2528–2534.
Park P., Shin D. H., Pekarik J. J. et al. A High-Linearity, LC-tuned, 24-GHz T / R Switch in 90‑nm CMOS. – 2008 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium. PP. 369–372.
Отзывы читателей
