Наноиндустрия #2/2023
А.В.Неженцев, К.А.Царик
АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ВЖИГАЕМЫХ И НЕВЖИГАЕМЫХ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.2.114.122 В работе рассмотрены технологические особенности изготовления омических контактов с сопротивлениями от 0,025 до 0,4 Ом ∙ мм к наногетероструктурам на основе нитрида галлия. Установлено, что невжигаемые омические контакты являются наиболее подходящими для освоения рабочих частот вплоть до терагерцового диапазона. Электроника НТБ #3/2022
В. Беспалов, В. Егоркин, М. Журавлёв
НИТРИД ГАЛЛИЯ: НОВЫЙ ПОДХОД ДЛЯ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ DOI: 10.22184/1992-4178.2022.214.3.150.157 Рассмотрено применение высоковольтных нитридгаллиевых транзисторов в блоках питания и беспроводных зарядных устройствах. Простые безмостовые схемы преобразования мощности достигают пиковой эффективности 98% в диапазоне частот 100–200 кГц, что недостижимо при использовании Si и SiC элементной базы. Электроника НТБ #5/2020
В. Бельков, А. Цоцорин, И. Семейкин, М. Черных
МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80 В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В Электроника НТБ #6/2018
А. Туркин
Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ Приведен обзор ряда работ по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике. Отмечено, что исследования GaN-гетероструктур, которые достаточно активно ведутся в настоящее время, носят как фундаментально-научный, так и прикладной характер. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.177.6.70.73 УДК 621.382 | ВАК 05.27.01 Наноиндустрия #9/2018
Аболдуев Игорь Михайлович, Краснов Вячеслив Владимирович, Миннебаев Станислав Вадимович, Филатов Анатолий Леонидович
Проектирование GaN HEMT для приемных устройств DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.459.463 Электроника НТБ #5/2017
Р.Ай, Г.Кон
Мощные GAN-усилители в корпусах QFN: работа в непрерывном режиме Рассмотрена проблема обеспечения работы GaN-усилителей в корпусах QFN в непрерывном режиме. На примере усилителя TGA2307-SM компании Qorvo показано, что непрерывный режим работы возможен при монтаже микросхемы на печатную плату с медными площадками при условии надежного контакта между корпусом усилителя, платой и теплоотводом. УДК 621.382 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.165.5.114.115 Электроника НТБ #1/2017
И.Викулов
Технологическая база GAN CВЧ-микроэлектроники: компании, процессы, возможности В ряде стран сложились целые направления электронной промышленности, связанные с разработкой приборов и устройств на основе GaN. Сформировался и рынок GaN СВЧ-электроники. По данным аналитической компании Strategy Analytic, в период 2015–2020 годов он будет ежегодно расти в среднем на 17,5% и составит к 2020-му около 700 млн. долл. DOI: 10.22184/1992-4178.2017.161.1.106.115 Электроника НТБ #10/2015
Ж.-П.Гильме
Измерение параметров усилителя мощности в импульсных режимах: использование ВАЦ Anritsu VectorStar Рассматривается применение векторных анализаторов цепей (ВАЦ) для измерения параметров усилителя мощности в импульсных режимах. Новый метод измерений, реализованный в ВАЦ VectorStar компании Anritsu, повышает точность отслеживания изменений в импульсных выходных сигналах усилителя мощности на базе нитрида галлия. Электроника НТБ #4/2015
А.Балакирев, А. Туркин
Перспективы нитрида галлия в СВЧ-электронике. Решения компании RFHIC Рассматриваются перспективы применения GaN и его твердых растворов в опто-, СВЧ- и силовой электронике. Компания RFHIC (Южная Корея) разрабатывает и выпускает широкую номенклатуру СВЧ-изделий на основе GaN – от усилителей для кабельного телевидения до мощных усилителей для радиолокационных систем. Наноиндустрия #7/2013
Th.Dieingv
Конфокальная рамановская 3D-визуализация высокого разрешения нитридов III группы Требования к надежности электронных компонентов высоки, потому важно получение детальных сведений о свойствах кристаллических структур полупроводниковых материалов. Обычно для определения толщины пленок, параметров кристаллической решетки и испытаний деформированных состояний слоистых структур применяется рентгеновская дифракция, а для исследования поверхностей и дефектов конструкции, позволяющих установить хронологию роста кристаллов, – растровая электронная микроскопия. В статье представлены результаты исследований методом конфокальной рамановской 3D-визуализации, который позволяет выявлять деформацию и изменения в структуре кристаллической решетки.